• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제50권2호
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• pp.87-92
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• 2001

This paper proposes a new content-addressable memory implemented with an analog array which has linear writing and erasing characteristics. The size of the array in this memory is $2{\times}2$, which is a reasonable structure for checking the disturbance of the unselected cells during programming. An intermediate voltage, Vmid, is used for preventing the interference during programming. The operation for reading in the memory is executed with an absolute differencing circuit and a winner-take-all (WTA) circuit suitable for a nearest-match function of a content-addressable memory. We simulate the function of the mechanism by means of Hspice with 1.2${\mu}m$ double poly CMOS parameters of MOSIS fabrication process.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권3호
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• pp.458-464
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• 2017

A magnetic tunnel junction (MTJ) based ternary content addressable memory (TCAM) is proposed which provides non-volatility. A unit cell of the TCAM has two MTJ's and 4.875 transistors, which allows the realization of TCAM in a small area. The equivalent resistance of parallel connected multiple unit cells is compared with the equivalent resistance of parallel connected multiple reference resistance, which provides the averaging effect of the variations of device characteristics. This averaging effect renders the proposed TCAM to be variation-tolerant. Using 65-nm CMOS model parameters, the operation of the proposed TCAM has been evaluated including the Monte-Carlo simulated variations of the device characteristics, the supply voltage variation, and the temperature variation. With the tunneling magnetoresistance ratio (TMR) of 1.5 and all the variations being included, the error probability of the search operation is found to be smaller than 0.033-%.

• 한국통신학회논문지
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• 제39B권7호
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• pp.433-439
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• 2014

본 논문은 DPI (deep packet insepction)를 위한 CAM (content-addressable memory)과 병렬의 비트 분리(bit-split) 문자열 매처(matcher)를 이용한 2단의 문자열 매칭 엔진의 구조를 제안한다. 긴 타겟 패턴은 같은 길이의 서브 패턴으로 잘라지게 되고, 각 서브패턴은 1단의 CAM에 매핑된다. CAM으로부터의 매칭 인덱스의 시퀀스를 사용하여 2단에서 긴 패턴의 매칭 여부를 알 수 있다. CAM과 비트 분리 문자열 매처를 사용하여 이 기종의 메모리를 사용했을 경우에 메모리 요구량을 크게 줄일 수 있다.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권8호
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• pp.1-9
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• 1998

A new parallel test algorithm and a built-in self test (BIST) architecture are developed to test various types of functional faults efficiently in content addressable memories (CAMs). In test mode, the read oepratin is replaced by one parallel content addressable search operation and the writing operating is performed parallely with small peripheral circuit modificatins. The results whow that an efficient and practical testing with very low complexity and area overhead can be achieved.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.51-59
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• 2006

일반 컴퓨터에서 중앙처리장치와 메모리 사이의 병목현상인 "Von Neumann Bottleneck"을 보이는데 본 논문에서는 이러한 문제점을 해소하고 검색위주의 응용분야에서 우수한 성능을 보이는 Content-addressable memory(CAM) 기반의 확장 가능한 범용 Associative Processor(AP) 구조를 제안하였다. 본 연구에서는 Associative computing을 효율적으로 수행할 수 있는 명령어 세트를 제안하였으며 다양하고 대용량 응용분야에도 적용할 수 있도록 구조를 확장 가능하게 설계함으로써 유연한 구조를 갖는다. 12 가지의 명령어가 정의되었으며 프로그램이 효율적으로 수행될 수 있도록 명령어 셋을 구성하고 연속된 명령어를 하나의 명령어로 구현함으로써 처리시간을 단축하였다. 제안된 프로세서는 bit-serial, word-parallel로 동작하며 대용량 병렬 SIMD 구조를 갖는 32 비트 범용 병렬 프로세서로 동작한다. 포괄적인 검증을 위하여 명령어 단위의 검증 뿐 아니라 최대/최소 검색, 이상/이하 검색, 병렬 덧셈 등의 기본적인 병렬 알고리즘을 검증하였으며 알고리즘은 처리 데이터의 개수와는 무관한 상수의 복잡도 O(k)를 갖으며 데이터의 비트 수만큼의 이터레이션을 갖는다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.105-111
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• 2013

선형적인 읽기와 쓰기 특성을 가지고 있는 승자전취메커니즘 방식의 아날로그 메모리를 구현하였다. 메모리의 읽기 동작은 연상메모리의 최적 함수 선택을 위하여 절대값 회로와 승자전취메커니즘 회로가 이용된다. 본 연구에서는 병렬의 고속 쓰기와 읽기 동작뿐만 아니라 고집적을 가능하게 하는 시스템 구성이 실현된다. 복수의 메모리 셀의 구현이 더 높은 집적도와 고속의 쓰기 읽기를 위하여 구현된다. 실시간 인식을 위하여 본 연구에서 사용된 함수는 이상적이며 메커니즘의 시뮬레이션을 위하여 MOSIS의 $1.2{\mu}$ 더블폴리 CMOS 공정 파라미터를 사용하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.145-154
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• 1991

본 논문에서는 데이터의 저장과 판독은 일반 SRAM과 같고 명령과 탐색을 수행하는 8비트 $\times16$ 워드 연상메모리(CAM: Content Addressable Memory)의 알고리즘과 하드웨어를 제시하였다. 설계된 연상메모리 칩은 5개의 기능별 블록(연상메모리 셀 어레이. 어드레스 디코더, 어드레스 인코터, 데이터 셀럭터, 감지 증폭기)으로 나누어서 설계하고 논리 및 회로 검증을 마친 후 3 um CMOS N Well공정을 이용하여 칩을 제작하였다

• 한국통신학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.46-56
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• 1991

본 논문에서는 16위도 X 8비트 Content Addressable and Reentrant Memory(CARM)를 설계하였다. CARM은 읽기, 저장, 매칭, 리엔트린트(Reentrant)의 4가지 동작 모드를 수행한다. CARM의 읽기와 저장 동작은 기존의 스태틱 RAM과 같다.CARM은 집 장에서 레영역 회수(Garbate collection)를 조건적으로 수행할 수 있는 리엔트런트 동작을 가지고 있다. 이러한 기능은 다이내믹 데이타 플로우 컴퓨터의 고속 매칭 유닛에 사용될 수 있다. CARM은 또한 매칭어드레스를 그들의 우선권에 따라 순차적으로 인코딩을 할 수 있는 기능을 가지고 있다. 이러한 CARM은 전체적으로 메모리 셀, 순차적 어드레스 인코더(Sequential Address Encoer, S.A.E), 리엔트런트 동작, 읽기/저장 제어, 데이타/마스크 레지스터, 감지 증폭기, 인코더, 디코더 등의 8개의 블럭으로 구성된다.CARM은 데이타 플로우 컴퓨터, 패턴 인식,테이블 룩업(Table look-up), 영상처리 등에 응용될 수 있을 것이다. 설계된 회로에 대해 각 동작별로 Apollo 워크스테이션의 QUICKSIM을 이용하여 논리 시물레이션을 하였고, 각 블럭별 회로의 SPICE 시뮬레이션을 하였다. 시뮬레이션결과 액세스 타임은 26ns였고, 매치 동작을 수행하는 데에는 4lns의 자연시간이 소요됐다. 결체 레이아웃은 3{\;}\mu\textrm{m} n well CMOS 공정에 따른 설계 규칙을 이용하여 수행하였다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.19-23
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• 2013

본 논문에서는 고속 데이터 처리용 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 설계를 위하여 6T SRAM cell의 안정성 분석 방법에 대해 기술하였다. TCAM은 고속 데이터 처리를 목적으로 하기 때문에 동작 주파수가 높아질수록 필요 시 되는 CMOS 공정의 단위가 작아지게 된다. 공급 전압의 감소는 TCAM 동작에 불안정한 영향을 줄 수 있으므로 SRAM cell 안정성 분석을 통한 TCAM 설계가 필수적이다. 우리는 6T SRAM의 정적 노이즈 마진(SNM)을 측정하여 분석하였고, TCAM의 모든 시뮬레이션은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 확인하였다.

• 한국음향학회지
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• 제15권6호
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• pp.16-25
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• 1996

본 논문에서는 한글의 유형 분류를 CAM(Content Addressable Memory)을 이용하여 칩으로 설계하였다. 문자 인식의 전 과정을 종전의 소프트웨어에 의해서 손차적으로 처리할 경우, 실시간 처리가 가능한 고속 문자 인식기의 구현에는 어려움이 있다. 따라서, 이들 실시간으로 처리하기 위해서는 파이프라인식 하드웨어로 구현하여 시간적인 병렬성을 갖도록 하는 것이 필요하다. 하드웨어로 용이하게 구현하기 위해서 고속 병렬 매치 기능을 가진 CAM을 이용하였으며, 20개의 참조패턴만으로 유형을 분류하였다. 설계한 회로는 DAZIX의 DLAB을 사용하여 결과를 평가하였으며, 그 결과 자당 $1.6{\mu}S$의 처리속도를 보였다. 또한, C-언어로 구현하여 그 결과를 비교하였다.