• 산업경영시스템학회지
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• 제26권3호
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• pp.67-73
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• 2003

Manufacturing technologies of compound semiconductor are similar to the process of memory device, but management technology of manufacturing process for compound semiconductor is not enough developed. Semiconductor manufacturing environment also has been emerged as mass customization and open foundry service so integrated manufacturing system is needed. In this study we design the integrated manufacturing system for compound semiconductor fabrication t hat has monitoring of process, reduction of lead-time, obedience of due-dates and so on. This study presents integrated manufacturing system having database system that based on web and data acquisition system. And we will implement them in the actual compound semiconductor fabrication.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 1999년도 추계 기술심포지움 논문집
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• pp.13-21
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• 1999

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.335-336
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• 2006

Compound semiconductor manufacturing environment also has been emerged as mass customization and open foundry service so integrated manufacturing system is needed. In this study, we design data acquisition system of compound semiconductor fabrication that has monitoring and control of process. The developed DAS is consisted of key-in system inputted by operator and automatic acquisition system by GEM protocol. And we implemented them in the actual compound semiconductor. It is expected that using developed system would offer precise process information to buyer, reduce a lead-time, and obey a due-dates and so on.

• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.500-506
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• 1999

레이저 다이오드와 수신광검출기가 집적된 소자를 V-홈을 가진 실리콘 광학벤치에 flip-chip 본딩하고, 경사면을 가진 하나의 단일모드 광섬유와 수동정렬하는 방법을 사용하여 가입자망을 위한 저가의 양방향 송수신 모듈을 설계, 제작하였다. 광섬유의 단면 경사각에 따른 송신광결합 효율과 수신광결합 효율사이의 병목점을 찾기 위해 Gaussian빔 모델을 사용하여 수평정렬거리, 광섬유 단면 경사각, 수직정렬오차등의 변수에 따른 광결합계수를 계산함으로써, 최적의 광정렬조건을 예측하였다. 또한 실리콘 광학벤치에서 광결합효율을 측정하여 광섬유의 수직정렬오차에 따른 광결합계수의 감소가 광섬유의 경사각에 의해 보상될 수 있다는 계산결과의 타당함을 확인하였다. 실제의 sub-module 제작 및 광결합 실험에서 송신빔이 광섬유 단면에 반사되어 PD로 입사되는 것을 최소화하기 위하여 광섬유 단면을 경사절두원추형으로 제작함으로써 PD의 수신 잡음을 $30mu$m 이상의 정렬거리에서 -35dB이하로 유지할 수 있었다. 같은 조건에서 단면 경사각이 $12^{\circ}$인 광섬유에 의해 -12.1dB의 송신출력과 0.2A/W의 responsivity를 얻을 수 있었다.

• ETRI Journal
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• 제18권3호
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• pp.171-179
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• 1996

Fully passivated low noise AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic (PM) HEMT with wide head T-shaped gates were fabricated by dose split electron beam lithography (DSL). The dimensions of gate head and footprint were optimized by controlling the splitted pattern size, dose, and spaces of each pattern. We obtained stable T-shaped gate of $0.15{\mu}m$ gate length with $1.35{\mu}m-wide$ head. The maximum extrinsic transconductance was 560 mS/mm. The minimum noise figure measured at 18 GHz at $V_{ds}=2V andI_{ds}=17mA$ was 0.41 dB with associated gain of 8.19 dB. At 12 GHz, the minimum noise figure and an associated gain were 0.26 and 10.25 dB, respectively. These noise figures are the lowest values ever reported for GaAs-based HEMTs. These results are attributed to the extremely low gate resistance of wide head T-shaped gate having a ratio of the head to footprint dimensions larger than 9.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.426-429
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• 1988

A simple design method of a single balanced MMIC mixer is described. It uses small signal S11 and capacitive load for the input matching circuit and the output loading circuit, respectively. It is found that the conversion gain of the FET mixer is independent of FET gate width. The fabricated mixer has 2.5 dB conversion gain at 9 GHz with 50 ohm IF load and 2 dBm local oscillator power.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1418-1419
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• 2011

차세대 전력 반도체인 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 특성을 개선하기 위해서 열 산화공정이 제안되었다. AlGaN/GaN 에피탁시 위에 쇼트키 장벽 다이오드 구조가 제작되었으며, 쇼트키 컨택은 증착 후 $450^{\circ}C$에서 산화되었다. 열 산화공정이 메사 측벽의 AlGaN 및 GaN 표면에 $AlO_x$ 및 $GaO_x$를 형성하여 표면으로 흐르는 누설전류를 억제한다. 표면 및 GaN 버퍼를 통한 누설전류는 열 산화 공정 이후 100 ${\mu}m$-너비당 51.3 nA에서 24.9 pA로 1/2000 배 수준으로 감소하였다. 표면 산화물 형성으로 인하여 생성된 Ga-vacancy와 Al-vacancy는 acceptor로 동작하여 surface band bending을 증가시켜 쇼트키 장벽 높이를 증가시킨다. 애노드-캐소드 간격이 5 ${\mu}m$인 제작된 소자는 0.99 eV의 높은 쇼트키 장벽 높이를 획득하여, -100 V에서 0.002 A/$cm^2$의 낮은 누설전류를 확보하였다. 애노드-캐소드 간격이 5에서 10, 20, 50 ${\mu}m$로 증가되면 소자의 항복전압은 348 V에서 396, 606, 941 V로 증가되었다. 열 산화공정은 전력용 GaN 전자소자의 누설전류감소와 항복전압 증가를 위한 후처리 공정으로 적합하다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.73-82
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• 1989

실리콘계 절연박막 형성을 위한 저온공정을 개발하기 위하여 photo-CVD장치를 제작하여 $SiO_2$ 박막을 $50{\sim}250^{\circ}C$ 범위에서 증착시켰다. 이때 $SiH_4/N_2O$ 혼합가스는 수은증감반응법을 사용하지 않고 저압수은램프의 직접 광여기에 의해 분해시켰다. AES와 ESCA 분석결과 Si와 O의 화학량론적 구성이 거의 모든 공정조건에서 1:2로 나타났고, Si와 O원자의 결합상태가 $SiO_2$의 형태로 이루어져 있음을 보여주었다. 그리고 박막의 굴절율은 $1.39{\sim}1.44$의 범위로 나타나, 저온증착에 의해 밀도가 비교적 낮은 박막이 형성됨을 보였다.

• 산업공학
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• 제23권3호
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• pp.205-212
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• 2010

The learning curve model is a mathematical form which represents the relationship between the manufacturing experience and its effectiveness. The semiconductor manufacturing is widely known as an appropriate example for the learning effect due to its complicated manufacturing processes. In this paper, I propose a new compound learning curve model for semiconductor products in which the general learning curve model and the growth curve are composed. The dependent variable and the effective independent variables of the model were abstracted from the existing learning curve models and selected according to multiple regression processes. The simulation results using the historical DRAM data show that the proposed compound learning curve model is one of adequate models for describing learning effect of semiconductor products.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제22권10호
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• pp.1-7
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• 2017

In this paper, the separation force measuring system is developed. The separation force aries due to adhesive strength between semiconductor epoxy molding compound(EMC) and the metal plate in semiconductor formed plate. In general, when removing the metal plate in semiconductor formed plate from semiconductor epoxy molding compound, excessive strength can result in a increase in semiconductor defect rates, or conversely, if too little force is exerted on the metal plate in semiconductor formed plate, the semiconductor production rates can decrease. In this study, the design criteria for the selection of the AC servo motor, the role of the ball screw, the relationship between the load cell and the ball screw, and the rate of deceleration are given. In addition, minimizing the reject rate of semiconductors and maximizing the semiconductor production rate are achieved through the standardization of the collected separation force data measured by the proposed system.