We fabricated plate typed shunt resistors composed of carbon nanotube (CNT) and metal alloy for measuring DC current. CNT plates were prepared from dispersed CNT/Urethane solution by squeezing method. Cu/Ni alloys were prepared from composition-designed alloy wires for adjusting the temperature coefficient of resistance (TCR) by pressing them. As well, we fabricated a hybrid resistor by squeezing the CNT/Urethane solution on the metal alloy plate directly. In order to confirm the composition ratio of the Cu/Ni alloy, we used an energy-dispersed X-ray spectroscopy (EDX). Cross-section and surface morphology were analyzed by using a scanning electron microscopy (SEM). Finally, we measured the initial resistance of 2.35 Ω at 25℃ for the CNT paper resistor, 7.56 mΩ for the alloy resistor, and 7.38 mΩ for the hybrid resistor. The TCR was also measured to be -778.72 ppm/℃ at the temperature range between 25℃ to 125℃ for the CNT paper resistor, 824.06 ppm/℃ for the alloy resistor, and 17.61 ppm/℃ for the hybrid resistor. Some of the hybrid resistors showed a near-zero TCR of 1.38, -2.77, 2.66, and 5.49 ppm/℃, which might be the world best-value ever reported. Consequently, we could expect an error-free measurement of the DC current using this resistor.
The future neuro-prosthetic devices would be required spikes data monitoring through sub-nanoscale transistors that enables to neuroscientists and clinicals for scalable, wireless and implantable applications. This research investigates the spikes monitoring through integrated CNT front-end amplifier for neuro-prosthetic diagnosis. The proposed carbon nanotube-based architecture consists of front-end amplifier (FEA), integrate fire neuron and pseudo resistor technique that observed high electrical performance through neural activity. A pseudo resistor technique ensures large input impedance for integrated FEA by compensating the input leakage current. While carbon nanotube based FEA provides low-voltage operation with directly impacts on the power consumption and also give detector size that demonstrates fidelity of the neural signals. The observed neural activity shows amplitude of spiking in terms of action potential up to $80{\mu}V$ while local field potentials up to 40 mV by using proposed architecture. This fully integrated architecture is implemented in Analog cadence virtuoso using design kit of CNT process. The fabricated chip consumes less power consumption of $2{\mu}W$ under the supply voltage of 0.7 V. The experimental and simulated results of the integrated FEA achieves $60G{\Omega}$ of input impedance and input referred noise of $8.5nv/{\sqrt{Hz}}$ over the wide bandwidth. Moreover, measured gain of the amplifier achieves 75 dB midband from range of 1 KHz to 35 KHz. The proposed research provides refreshing neural recording data through nanotube integrated circuit and which could be beneficial for the next generation neuroscientists.
기판과의 동시소성에 의한 고주파 MCM-C (Multi Chip Module-Cofired)용 저항을 제작하고 DC 및 6 GHz 까지의 RF 특성을 측정하였다. 기판은 저온 소성용 기판으로서 총 8층으로 구성하였으며, 7층에 저항체 및 전극을 인쇄하고 via를 통하여 기판의 최상부까지 연결되도록 하였다. 저항체 페이스트, 저항체의 크기, via의 길이 변화에 따라서 저항의 RF 특성은 고주파일수록 더욱 DC 저항값에서 부터 변화되는 양상을 보였다. 측정결과로부터 내부저항은 저항용량에 관계없이 전송선로, capacitor, inductor성분이 저항성분과 함께 혼재되어 있는 하나의 등가회로로 표현할 수 있으며, 내부저항의 구조 변화에 의한 전송선로의 특성임피던스 $Z_{o}$의 변화가 RF 특성을 크게 좌우하는 것으로 보여진다.
CMOS기술의 발전에 의해 연속신호시스템은 상당한 발전을 가져왔다. 이 논문에서는 새로운 CMOS floating저항을 써서 저역통과필터를 설계하고 PSpice Simulation을 통하여 그 특성이 우수함을 입증하였다. 특히, CMOS로 구성되는 새로운 floating저항은 포화영역에서 동작하도록 구현하였다. 이 방법으로 설계된 저역통과필터는 SC필터보다 구조가 더 간단하므로 IC화 할 때 칩 면적을 감소시킬 수 있다.
0.5㎛ 2중 폴리 CMOS 공정을 이용하여 새로운 뉴럴 오실레이터를 설계, 제작하였다. 제안하는 뉴럴 오실레이터는 트랜스콘덕터 및 캐패시터와 비선형 가변 부성저항으로 이루어진다. 뉴럴 오실레이터의 입력단으로 사용되는 비선형 가변 부성저항은 정귀환의 트랜스콘덕터와 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 또한 SPICE 모의실험을 통하여 제안한 오실레이터의 특성분석 후 집적회로 설계를 실시하였다. 한편 흥분성 및 억제성 시냅스로 연결된 4개의 뉴럴 오실레이터로 간단한 신경회로망을 구성하여 그 특성을 확인하였다. 집적회로로 제작된 뉴럴 오실레이터에 대하여 ± 2.5 V 전원 조건하에서 측정된 결과를 분석하고 모의실험 결과와 비교한다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제11권3호
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pp.198-206
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2011
This paper presents a new programmable compensation circuit (PCC) for a System-on-Chip (SoC). The PCC is integrated with $0.18-{\mu}m$ BiCMOS SiGe technology. It consists of RF Design-for-Testability (DFT) circuit, Resistor Array Bank (RAB) and digital signal processor (DSP). To verify performance of the PCC we built a 5-GHz low noise amplifier (LNA) with an on-chip RAB using the same technology. Proposed circuit helps it to provide DC output voltages, hence, making the RF system chain automatic. It automatically adjusts performance of an LNA with the processor in the SoC when it goes out of the normal range of operation. The PCC also compensates abnormal operation due to the unusual PVT (Process, Voltage and Thermal) variations in RF circuits.
As the performance and density of IC devices increase, especially the clock frequency increases, power grid network integrity problems become more challenging. To resolve these power integrity problems, the use of passive devices such as resistor, inductor, and capacitor is very important. To manage the power integrity with little noise or ripple, decoupling capacitors are essential in electronic packaging. The decoupling capacitors are classified into voltage regulator capacitor, board capacitor, package capacitor, and on-chip capacitor. For next generation packaging technologies such as 3D packaging or wafer level packaging on-chip MIM decoupling capacitor is the key element for power distribution and delivery management. This paper reviews the use and necessity of on-chip decoupling capacitor.
This paper describes result of a study on safety against a fire of charging cable for mobile phone for vehicle. Combustion on the USB cable in the car was happened while driving. Gas coming from the burning USB cable could be a reason which can make a secondary car accident since the driver also can be embarrassed while driving. In order to prevent a secondary car accident connected on the road, to research a reason why USB cable can emit gas and be burned in charging. We did simulation test with abnormal fault condition for the electronic component on the board in the USB cable. So we get the result from abnormal fault condition simulation test, for instance, shorted test for output terminal of 8 pin switch, shorted test for chip resistor after thermal aging in the condition $25^{\circ}C$, 93 % RH during 48 hours. To analysis the result of all test, Combustion on the USB cable was not the 8 pin but other electrical component such as a chip resistor. Therefore we guess that the reason for USB cable combustion in charging in a car was not 8 pin and a LED but another defective component.
본 논문에서는 전자계의 시간 변화 파형을 측정하기 위한 모노폴 안테나의 복소 안테나 인자 및 전달함수의 주파수 응답 특성 등을 논의하고 있다. 안테나에 흐르는 전류분포는 구분적 정현함수를 사용한 Galerkin의 모멘트법으로 계산하고 있으며 저주파수 대역에서는 반사를 줄이기 위해 칩저항을 접속한 경우의 복소 안테나 인자에 대하여 검토하고 있다. 이론 해석의 결과, 칩저항이 접속된 경우는 접속하지 않은 경우보다 복소 안테나 인자의 절대치는 5.6㏈정도 커진다는 것을 확인하였다. 또한, 주파수가 낮은 경우에 유용하게 사용할 수 있는 변형 복소 안테나 인자의 특성에 대해서도 논의하고 있다. 근역장 보정법으로 측정된 복소 안테나 인자와도 비교하여 이론 계산의 타당성을 확인하고 있다.
태그 안테나를 설계할 때에는 태그 칩이 패드(pad)에 마운트(mount)된 상태에서 구한 칩 임피던스(chip impedance)와 읽기 전력감도(read power sensitivity) 값이 필요하다. 하지만 칩 임피던스 값은 태그 설계와 제조공정에 따라 그 값이 달라지기 때문에 칩 제조회사들이 이 자료를 제공하지 못하고, 단지 참고할 수 있는 근사값을 만을 제고하고 있다. 본 연구는 간단한 보조기구들과 RF 측정장비들을 가지고 마운트된 칩의 임피던스와 읽기 전력감도를 산출할 수 있는 방법을 제시한다. 본 연구는 마운틴된 칩의 단자에서 직접 측정하는 것이 불가능하기 때문에 보조 픽스쳐(fixture)들이 사용되었으며, 보조 픽스쳐에서 발생되는 전기력 특성들은 등가회로 모델과 디임베드(de-embed) 기법을 사용하여 제거함으로써 칩 임피던스와 읽기 전력감도 값을 산출하였다. 값을 알고 있는 커패시터와 저항 칩을 가지고 제안된 디임베드 방법의 타당성과 정확도를 검증하였으며, 상업용 태그 칩을 대상으로 한 심험에서도 제안된 방법의 타당성을 재확인 할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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