Effects of annealing of the gas-atomized Fe-9%Si-2%Cr powder which is suitable for high frequency application in mobile devices because of its high electrical resistivity were studied with an emphasis on the order-disorder phase transition. The formation of B2 ordered phase could not be suppressed during atomization process. When the powder was annealed at a temperature higher than $550^{\circ}C$ the peak diffracted from $DO_3$ phase could be detected. With increasing annealing temperature lattice parameter and coercivity decreased. An interesting phenomenon was an abrupt increment of coercivity in the powder annealed at $450^{\circ}C$. Highest permeability could be shown in the powder annealed at a relative low temperature of $150^{\circ}C$ and then the permeability decreased with annealing temperature. The above-mentioned results could be successfully explained by both the formation of $DO_3$ ordered phases and the change of electrical resistivity of the Fe-Si-Cr powder which was also originated from the phase transition.
Fe-3, 4.2 and 6.8% Si compressed cores were fabricated, and then electrical resistivity, AC and DC magnetic properties, microhardness, and other properties were analyzed in order to know whether best soft magnetic properties could be also obtained in an Fe-Si compressed core with the well-known composition of Fe-6.5% Si. With increasing the silicon content, eddy current loss and hysteresis loss decreased and increased, respectively, so that a minimum total loss was not obtained in the well-known Fe-6.8 % Si cores, but obtained in the Fe-4.2 % Si cores. Also electrical resistivity of the cores and hardness of the particles increased monotonously with silicon content so that compaction ratio of the cores decreased. B2 and $DO_3$ ordered phase could be observed only in Fe-6.8% Si powder. A minimum loss and highest permeability of the Fe-4.2 % Si cores can be explained by the ratio of specific electrical resistivity of insulator to that of magnetic particles, micro-hardness, compaction ratio and demagnetization coefficient of the Fe-Si powder particles with silicon content.
In 1993, a large number of relics was found in Cheongju Sanesa Buddhist Temple. They show superiority as bronze-based products, and are especially important in since they provide much information about the time of their creation. However, there are many opinions about the time they were hoarded: in the middle of the 13th century, late in the 13th century, early in the 14th century, etc. This study estimates the time they were hoarded to be some time in April 1291 during the invasion of Kădīn (哈丹) in the Yuan Dynasty. Kădīn's troops invaded the Goryeo Dynasty, then went through Yangpyeong and Wonju in January 1291 and appeared in Yeongi-hyeon on May 1 of that year. Based on records, this study verified that the troops passed through Cheongju on their way from Chungju to Yeongi-hyeon (currently Sejong-si) and pointed out that the invasion route of the troops was the background for the hoarding of Sanesa relics. The estimation that the Sanesa relics were hoarded in 1291 when Kădīn's invasion was going on makes it possible to reasonably clear up the era of the relics in which the Heavenly Stems called gānzhī (干支) Muo (戊午), Gyeongshin (庚申), Giyu(己酉) etc. were written. That is, Giyu Geumgo is presumed to be the year 1249, Muo Hyangro 1258, Gyeongshin Hyangwan 1260, etc.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.2
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pp.109-113
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2013
ZnO thin films were synthesized on Si substrates by MOCVD using diethyl zinc as a precursor. Effects of $O_2$/DEZ gas mixing ratio on the growth rate, surface morphology, preferred orientation, and electrical properties of the ZnO thin films were investigated with SEM, XRD, and Hall measurement. The surface reflectance variations of ZnO thin films were analyzed using laser-photometer apparatus. As the $O_2$/DEZ mixing ratio increased, growth rate and $I_{(002)}/I_{(101)}$ in XRD of ZnO thin films decreased, and the crystal structure was changed from columnar to planar structure. All ZnO films deposited at various CVD conditions exhibited c-axis (002) plane preferred orientation. The electrical properties of ZnO thin films mainly depended on the carrier mobility.
Lee, Sang Woo;Yi, Minseo;You, Zikang;Lee, Hyun-Jeong
Journal of Urban Science
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v.9
no.2
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pp.1-11
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2020
The purpose of this study was to assess needs for housing improvement of children group homes in Cheongju-si through interviews with the group home directors and staffs. From April 6, 2018, to April 25, 2018, a series of face-to-face interviews with four directors and three staffs working in four children group homes was conducted. The results were analyzed using thematic analysis technique. Highlights of major findings and implications were as follow: (1) Bedroom: Needs for independent bedrooms and desks for each child were dominant. (2) Common activity space: Interviewees showed somewhat different opinions on common activity spaces according to group home types and/or between directors and staffs. (3) Between "a big and good-quality house" and "a house in good location", interviewees were found to prefer "a big and good-quality house" in order for children to have enough space to run and play. (4) Interviewees insisted that to provide proper group home services and protection similar to a real family, current policy to accommodate up to eight children in one group home should be improved.
In this study, the photo-deposition method was used to introduce Ag onto the surface of TiO2 to synthesize an Ag-TiO2 composite. The effects of the varying amounts of AgNO3 precursor and annealing time periods on the Ag content in the composites, as well as their antibacterial characteristics under visible light conditions were studied. SEM analysis revealed the spherical morphology of the Ag-TiO2 composite. Compared with TiO2, the Ag particles were too small to be observed. An XPS analysis of the Ag-TiO2 surface confirmed the Ag content and showed the peak intensities for elements such as Ag, Ti, O, C, and Si. The highest Ag content was observed when 33.3 wt.% of AgNO3 and an annealing time of 6 h were employed; this was the optimum annealing time for Ti-Ag-O bonding, in that the lowest number of O bonds and the highest number of Ag bonds were confirmed by XPS analysis. Superior antibacterial properties against Bacillus and Escherichia coli, in addition to the widest inhibition zones were exhibited by the Ag-TiO2 composite with an increased Ag content in a disk diffusion test, the bacterial reduction rate against Staphylococcus aureus and Escherichia coli being 99.9%.
A clonorchiasis case in a captive leopard cat, Prionailurus bengalensis euptilurus, was confirmed by ultrasonographic findings and egg morphologies found in the bile juice sample in the Korea. The leopard cat was introduced from the wild habitat of Gyeongsangnam-do, to Cheongju Zoo in Cheongju-si, Chungcheongbuk-do, Korea in August 2014. Physical examinations were basically performed for quarantine and check-up health. The cat was comparatively good in health except anorexia. The cyst-like bile duct dilation and the increased echogenicity of gall bladder wall and hepatic parenchyma were observed by ultrasonography. Ultrasound-guided needle biopsy was conducted for collecting bile juice and the specimens were observed under light microscope. The numerous small trematode eggs were detected in the bile juice sample of the light microscopy. The eggs were $25-33(28{\pm}3){\mu}m$ by $18-22(20{\pm}1){\mu}m$ in size and showed typical characteristics of Clonorchis sinensis egg, i.e., a dominantly developed operculum, shoulder rim and dust-like wrinkles in surface. To treat the liver fluke infection, 20 mg/kg of praziquantel was orally administered only once to the case. Follow-up studies including fecal examinations were conducted during 2 years after treatment. But no more eggs were detected from the case. In the present study, we described the first clonorchiasis case of leopard cat, which was confirmed by ultrasonographic findings and egg morphologies from the bile juice sample in Korea.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.10
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pp.1694-1696
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2016
Present thin film solar cells with hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiO:H) as an absorber suffer from low fill factor(FF) of 61~64 [%] in spite of its benefits related to high open circuit voltage ($V_{oc}$). Since degraded quality of a-SiO:H absorber by alloying with oxygen can affect the FF, we aimed to achieve high photosensitivity by minimizing $CO_2$ gas addition. Improving optical gap($E_{opt}$) has been attained by strong hydrogen dilution combined with lowering substrate temperature down to 100 [$^{\circ}C$]. Small amount of the $CO_2$ was added in order to disturb microcrystalline formation by high hydrogen dilution. The developed a-SiO:H has high photosensitivity (${\sim}2{\times}10^5$) and high $E_{opt}$ of 1.85 [eV], which contributed to attain remarkable FF of 74 [%] and high $V_{oc}$ (>1 [V]). As a result, high power conversion efficiency of 7.18 [%] was demonstrated by using very thin absorber layer of only 100 [nm], even though we processed all experiment at extremely low temperature of 100 [$^{\circ}C$].
Silicon heterojunction solar cells (SHJ) have dominated the photovoltaic market up till now but their conversion performance is practically limited to around 26% compared with the theoretical efficiency limit of 29.4%. A silicon based multi-junction devices are expected to overcome this limitation. In this report, we briefly review the state-of-art characteristic of wide-gap materials which has played a role as top sub-cells in silicon based multi-junction solar cells. In addition, we indicate significantly practical challenges and key issues of these multi-junction combination. Finally, we focus to some characteristics of III-V/c-Si tandem configuration which are reaching highly record performance in multi-junction silicon solar cells.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.11
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pp.20-25
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2007
In this paper, It was reported the dielectric constant in organic inorganic hybrid silica material such as SiOC film modeling of bond structure by annealing in organic properties. The organic inorganic hybrid silica material were deposited using bis-trimethylsilymethane (BTMSM, [(CH3)3Si]2CH2) and oxygen gas precursor by a plasma chemical vapor deposition (CVD). The organic inorganic hybrid silica material have three types according to the deposition condition. The dielectric constant of the films were performed MIS(Al/Si-O-C film/p-Si) structure. The C 1s spectra in organin inorganic silica materials with the flow rate ratio of O2/BTMSM=1.5 was organometallic carbon with the peak 282.9 eV by XPS. It means that organometallic carbon component is the cross-link bonding structure with good stability. The dielectric constant was the lowest at annealed films with cross-link bonding structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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