• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1380-1383
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• 2007

The secondary electron emission coefficient (${\gamma}$) of the cathode is an important factor for improving the discharge characteristics of AC-PDP, because of its close relationship to discharge voltage. In this experiment, we have investigated the electronic structure of the energy band in the MgO layer responsible for the high ${\gamma}$. We used three kinds of MgO pellet that have another component, and each MgO layers have been deposited by electron beam evaporation method. The work-functions of MgO layer have been investigated from their ion-induced secondary electron emission coefficient (${\gamma}$), respectively, using various ions with different ionization energies in a ${\gamma}-FIB$ (Focused Ion Beam) system. We have compared work-function with ${\gamma}-FIB$ system current signal for measurement defect energy level in MgO layer. MgO-A in the three types has lowest work-function value (4.12eV) and there are two defect energy levels.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제6권4호
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• pp.177-185
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• 2005

Fatigue characteristics of lead zirconate titanate (PZT) films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECVD) were investigated. The fatigue characteristics were investigated with respect to PZT film thickness, domain structure, fatigue pulse height, temperature, electrode materials and electrode configurations. The used top and bottom electrode materials were Pt and $RuO_2$. In the fatigue characteristics with fatigue pulse height and PZT film thickness, the fatigue rates are independent of the applied fatigue pulse height at the electric field regions to saturate the P-E hysteresis and polarization $(P^*,\;P^A)$ characteristics. The unipolar and bipolar fatigue characteristics of PZT capacitors with four different electrode configurations $(Pt//Pt,\;Pt//RuO_2,\;RuO_2//Pt,\;and\;RuO_2//RuO_2)$ were also investigated. The polarization-shifts during the unipolar fatigue and the temperature dependence of fatigue rate suggest that the migration of charged defects should not be expected in our CVD-PZT films. It seems that the polarization degradations are attributed to the formation of charged defects only at the Pt/PZT interface during the domain switching. The charged defects pin the domain wall at the vicinity of Pt/PZT interface. When the top and bottom electrode configurations are of asymmetric $(Pt//RuO_2,\;RuO_2//Pt)$, the internal fields can be generated by the difference of charged defect densities between top and bottom interfaces.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제34권3호
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• pp.551-562
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• 2004

골재생을 위한 술식은 자가골, 합성골 등의 이식술, 골견인술, 골유도 재생술 등이 있으며, 더 나은 결과를 위해서 성장 인자나 cytokine의 적용, 전기적 자극 등이 이용될 수 있다. 이 중 골재생을 위한 전기적 자극을 이용한 골재생 방법에서 비교적 양호한 결과가 보고되어지고 있으며, 전기적 자극은 크게 direct current, inductive coupling, capacitive coupling으로 나뉘어 사용, 연구되어지고 있다. 하지만, 위의 전기적 자극들은 비교적 침습적이고, 환자들에게 불편감을 줄 수 있으며, 부가적인 장치가 필요한 단점이 있다. 따라서, 본 실험에서는 골재생을 촉진하기 위한 비침습적인 전기자극의 방법으로, negatively charged membrane을 이용하여, 토끼 요골의 골절성 결손부에서 negative electric field가 골재생에 미치는 영향을 연구하고자 하였다. 8마리 토끼의 양 요골에 10mm의 골절성 결손부를 형성한 후, 코로나 방전 장치로 -l000V로 대전시킨 polytetrafluoroethylene membrane을 사용하여, 실험군에는 negatively charged membrane을, 대조군에는 noncharged membrane을 적용시킨 후, 2, 4, 6, 8주째 2마리씩 희생하여 조직학적, 조직형태학적 분석을 실시하였다. 2주째, 대조군에서 골결손부에 대한 신생골의 비율은 0.32%, 실험군에서는 1.10%로 나타났으며, 4주째 대조군에서 골결손부에 대한 신생골의 비율은 6.86%, 실험군에서는 13.75%로, 대조군에 비해 실험군에서 더 많은 양의 신생골이 관찰되었다. 6주와 8주째도 대조군에 비해 실험군에서 더 많은 신생골이 관찰되었으나, 그 차이는 크지 않았다. 결론적으로, 토끼 요골의 골절성 결손부의 골치유에서 negatively charged membrane을 이용한 전기적 자극은 초기 골치유를 촉진시키며, 따라서, 이러한 방법의 전기극은 장골의 치유에 있어 비침습적이며, 유용한 수단이라고 사료된다.

• 세라미스트
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• 제3권1호
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• pp.45-52
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• 2000

전자싸이클로트론공명플라즈마 화학기상증착법(ECR-PECVD)에 의한 Pt 및 $RuO_2$ 기판에서의 PZT 박막의 증착특성 및 전기적 특성을 조사하였다. $RuO_2$ 기판에서는 Pt 기판에 비하여 Pb-관련 이차상이 형성되기 쉬웠고, PZT 페로브스카이트 핵생성이 어려웠다. 하지만, $RuO_2$ 기판에서도 금속유기 원료기체의 정확한 유량조절(특히, $Pb(DPM)_2$ 유량)과 Ti-oxide 씨앗층의 도입을 통하여 $450^{\circ}C$의 비교적 낮은 증착온도에서 단일한페로브스카이트 박막 제조가 가능하였으며, $RuO_2$ 기판에서도 미세구조가 향상된 PZT 박막의 경우 $10^{-6}A/cm^2@100kV/cm$의 우수한 누설전류 특성을 나타내었다. 4 가지 전극배열의 PZT 커패시터들 중에서 $RuO_2//RuO_2$ 커패시터는 누설전류밀도가 $10^{-4}A/cm^2@100kV/cm$ 정도로 높았지만, 피로현상은 나타나지 않았다. 일방향 전계 (unipolar) 피로특성에서 나타난 polarization-shift 현상과 양방향 전계 (bipolar) 피로특성의 온도의존성 결과는 PZT 박막내 charged defect의 이동이 어려움을 나타내었다. Bipolar 신호에 의한 피로현상은 인가전계에 의한 분극반전 과정에서 Pt 계면에서 charged defect의 형성과 관련이 있는 것으로 판단되었다. 또한, 상하부 전극물질 이 다른 경우에는 상하부 계면의 charged defect 밀도에 차이가 생겨 내부전계가 형성되는 것으로 판단되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.906-909
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• 2006

The secondary electron emission coefficient $({\gamma})$ of the cathode is an important factor for improving the discharge characteristics of AC-PDPs because of its close relationship to discharge voltage. In AC-PDPs, MgO is most widely used as a surface protective layer. In this experimental, we have investigated the electronic structure of the energy band structure of the MgO layer responsible for the high ${\gamma}$. The MgO layers have been deposited by electron beam evaporation method, where the $O_2$ partial pressures have been varied as 0, $5.2{\times}10^{-5}$ torr, $1.0{\times}10^{-4}$ torr, and $4.1{\times}10^{-4}$ torr, in this experiment. It is noted that work function that is energy gap between surface and first defect level of MgO layer has the lowest value for the highest O2 partial pressure of $4.1^{\ast}10^{-4}$ Torr.

• 한국재료학회지
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• 제2권3호
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• pp.207-212
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• 1992

과잉의 CaO와 $TiO_2$를 각각 포함한 $CaTiO_3$의 결함구조를 평형상태의 전기전도도를 $85O^{\circ}C$와 $1050^{\circ}C$사이에서 산소분압의 함수로 측정하여 연구하였다. 과잉의 CaO는 A site와 B site에 나누어져서 용해되어 $Ca_{Ti}$"와 Vo", 결함을 생성하였으며, 과잉의 $TiO_2$는 $V_{Ca}$"과 Vo"을 생성했다. 평형상태의 전기전도도는 CaO 용해도 5000ppm과 $TiO_2$ 용해도 2000ppm을 각각 나타냈다. 과잉의 양이온에 의하여 생성된 산소공공은 이온전도를 하여 넓은 영역의 산소 분압에 무관한 전도도 최소값을 보였으며, 반대로 대전된 음이온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제4권2호
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• pp.156-161
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• 1998

We have measured changes of the non-stoichiometry, $\Delta\delta$, in Fe-doped nicked oxide , by thermogravimetry for four iron fractions, x=0.01, 0.031, 0.057 and 0.10, and three temperatures, T=1273, 1373 and 1473 K. The obtained data can be modelled by a defect structure in which substitutional trivalent iron ions, FeNi, are compensated by cation vacancies, $V_{Ni}$", and (4:1)-clusters. These clusters consist of tetravalent interstitial iron, $Fe_i\;^4$

• 대한화학회지
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• 제39권3호
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• pp.157-162
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• 1995

비화학량론적 산화물$WO_{3-x}$의 비화학량 x값과 전기전도도를 350~700$^{\circ}C$의 온도 범위와 $2{\times}10_{-1}\;to\;1{\times}10_{-5}$ atm의 산소분압 범위에서 측정하였다. 비화학량론적 조성식에서 x의 생성엔탈피 ${\Delta}H^{\circ}_f$가 양의 값을 가지는 것으로 보아 결함생성은 흡열 과정이고, 결함생성의 산소분압 의존성인 1/n값은 -1/5.7~-1/6.1로 변하였다. 전기전도도의 활성화에너지는 각 산소분압에 따라 0.24~0.29 eV이었고, 전기전도도의 산소분압 의존성인 1/n은 -1/4.3~-1/7.6의 값을 나타내었다. 이로부터 n형 반도체로써 산화텅스텐의 결함모델은 낮은 온도에서는 1가로 하전된 산소공위가 우세하지만 온도가 상승함에 따라 2가로 하전된 산소공위가 우세해진다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.224-227
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• 2007

The reconstruction characteristics of MgO (111) textured protective layer by over-frequency accelerated discharge in AC-PDP were investigated and correlated to the variations of electronic structures. The reconstruction process and exaggerated grain growth (EGG) were explained by defect-assisted 2-D nucleation and growth mechanism combined with charged cluster model.

• Advances in nano research
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• 제4권1호
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• pp.45-50
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• 2016

Data of Raman spectroscopy from graphene and few-layer graphene (FLG) irradiated by SEM electron beam in the range of energies 0.2 -30 keV are presented. The obvious effect of damaging the nanostructures by all used beam energies for specimens placed on insulator substrates ($SiO_2$) was revealed. At the same time, no signs of structural defects were observed in the cases when FLG have been arranged on metallic substrate. A new physical mechanism of under threshold energy defect production supposing possible formation of intensive electrical charged puddles on insulator substrate surface is suggested.