• 한국광학회지
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• 제12권3호
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• pp.230-234
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• 2001

반전대칭이 없는 광굴절결정에 있어 위상접합이 만족되지 않은 상태에서 발생된 제2고조파의 세기가 외부전기장에 의존한다는 사실을 이용하여 광굴적결정의 광굴절율 변형현상에 관한 중요상수를 측정할 수 있는 방법을 개발하였다. 마커무늬의 전기장의존도에 관한 근사식을 구하였고 이를 이용하여 제2고조파의 세기변화로부터 공간전하장의 크기를 측정할 수있었다. 실험적으로 congruent $LiNbO_3$에 빛을 두가지 다른 세기로 비추어 유도되는 공간저하장의 시간의존성을 조사하였고 측정결과를 근사식과 비교분석하여 $LiNbO_3$의 광기전력상수, 암전도상수 및 광전도상수를 결정할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1243-1245
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• 1994

SiN films were deposited in $Si_2H_6$(99.9%), $NH_3$(99.99%) gas mixture with carrier gas $N_2$ on Si substrate by ArF Excimer Laser CVD. SiN film deposition conditions that are substrate temperature and Laser average power were varied in order to investigate the dependence of SiN film on the condition. A post-deposition anneal was performed to examine variation of fixed charge density in the films. The deposition rate was increased as the substrate temperature and Laser power were increased during film deposition. The refractive index was increased with increasing substrate temperature, but it didn't have the dependence on Laser power. The fixed charge density was decreased when a post-deposition anneal was performed.

• 한국재료학회지
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• 제21권7호
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• pp.377-383
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• 2011

Thermoelectric power, dc conductivity, and the dielectric relaxation properties of $La_2NiO_{4.03}$ are reported in the temperature range of 77 K - 300 K and in a frequency range of 20 Hz - 1 MHz. Thermoelectric power was positive below 300K. The measured thermoelectric power of $La_2NiO_{4.03}$ decreased linearly with temperature. The dc conductivity showed a temperature variation consistent with the variable range hopping mechanism at low temperatures and the adiabatic polaron hopping mechanism at high temperatures. The low temperature dc conductivity mechanism in $La_2NiO_{4.03}$ was analyzed using Mott's approach. The temperature dependence of thermoelectric power and dc conductivity suggests that the charge carriers responsible for conduction are strongly localized. The relaxation mechanism has been discussed in the frame of the electric modulus and loss spectra. The scaling behavior of the modulus and loss tangent suggests that the relaxation describes the same mechanism at various temperatures. The logarithmic angular frequency dependence of the loss peak is found to obey the Arrhenius law with activation energy of ~ 0.106eV. At low temperature, variable range hopping and large dielectric relaxation behavior for $La_2NiO_{4.03}$ are consistent with the polaronic nature of the charge carriers.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제52권4호
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• pp.538-543
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• 2014

이산화지르코늄 표면에 흡착되는 금 입자의 분포 또는 그 반대 경우의 분포에 영향을 끼칠 수도 있는 정전기적 상호작용과 금 입자를 코팅한 Glutathione층의 표면물성을 규명하였다. 이를 위하여, 원자힘현미경(AFM)으로 Glutathione 층 표면과 이산화지르코늄표면 사이의 표면힘을 염 농도와 pH 값에 따라 측정하였다. 측정된 힘은 Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek(DLVO) 이론으로 해석되어 표면의 전하밀도와 포텐셜들이 정량적으로 산출되었다. 이 특성들이 염 농도와 pH에 대하여 나타내는 의존성을 질량보존의 법칙으로 기술하였다. pH 8 조건에서 실험으로 산출된 표면 특성의 염 농도 의존성은 이론적으로 예측했던 결과와 일치하는 것으로 관찰되었다. Glutathione 층의 표면이 이산화지르코늄 표면보다 높은 전하밀도와 포텐셜을 갖는 것이 발견되었는데, 이는 Glutathione 층의 이온화-기능-그룹에 기인한 것으로 생각된다.

• 청정기술
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• 제20권2호
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• pp.130-135
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• 2014

지르코니아 표면에 흡착되는 금 입자의 분포 또는 그 반대 경우의 분포에 영향을 끼칠 수도 있는 정전기적 상호작용과 금 입자를 코팅한 메르캡토파이러빅산(mercaptopyruvic-acid)층의 표면물성을 규명하였다. 이를 위하여, 원자힘현미경(atomic force microscope)으로 메르캡토파이러빅산층 표면과 지르코니아표면 사이의 표면힘을 염농도와 pH값에 따라 측정하였다. 측정된 힘은 derjaguin-landau-verwey-overbeek (DLVO) 이론으로 해석되어 표면의 포텐셜과 전하밀도들이 정량적으로 산출되었다. 이 특성들이 염농도와 pH에 대하여 나타내는 의존성을 질량보존의 법칙으로 기술하였다. pH 8 조건에서 실험으로 산출된 표면 특성의 염농도 의존성은 이론적으로 예측했던 결과와 일치하는 것으로 관찰되었다. 메르캡토파이러빅산층의 표면이 지르코니아 표면보다 높은 포텐셜과 전하밀도를 갖는 것이 발견되었는데, 이는 메르캡토파이러빅산 층의 이온화-기능-그룹에 기인한 것으로 생각된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권5호
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• pp.245-248
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• 2014

$Pt/Al_2O_3/Si_3N_4/SiO_2/Si$ charge trap flash memory structures with various thicknesses of the $Si_3N_4$ charge trapping layer were fabricated. According to the calculated and measured results, we depicted electron loss in a schematic diagram that illustrates how the trap to band tunneling and thermal excitation affects electrons loss behavior with the change of $Si_3N_4$ thickness, temperature and trap energy levels. As a result, we deduce that $Si_3N_4$ thicknesses of more than 6 or less than 4.3 nm give no contribution to improving memory performance.

• 대한설비공학회:학술대회논문집
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• 대한설비공학회 2008년도 하계학술발표대회 논문집
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• pp.288-293
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• 2008

The cooling load in winter is significant in many commercial buildings and hotels because of the usage of office equipments and the high efficiency of wall insulation. The development of a multi-heat pump that can cover heating and cooling simultaneously for each indoor unit is required. In this study, the performance of a multi-heat pump with 3-piping system was investigated as a function of refrigerant charge and its performance was analyzed in cooling mode, heating mode, and heat recovery mode. COP in the heating or cooling mode showed little dependence on refrigerant charge at overcharge conditions, while those were strongly dependent on refrigerant charge at undercharge conditions and outdoor inlet temperature. In the heat recovery mode, the performance of the system was very sensitive to charge amount at all conditions. Optimum charge amount in the heat recovery mode was 14% lower than that in the cooling mode at the standard condition because the refrigerant only passed the indoor units. It is required to store the excessive refrigerant charge in a storage tank to optimize the system performance at operating modes.

• 설비공학논문집
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• 제20권7호
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• pp.492-499
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• 2008

The cooling load in winter is significant in many commercial buildings and hotels because of the usage of office equipments and the high efficiency of wall insulation. The development of a multi-heat pump that can cover heating and cooling simultaneously for each indoor unit is required. In this study, the performance of a multi-heat pump with 3-piping system was investigated as a function of refrigerant charge and its performance was analyzed in cooling mode, heating mode, and heat recovery mode. COP in the heating or cooling mode showed little dependence on refrigerant charge at overcharge conditions, while those were strongly dependent on refrigerant charge at undercharge conditions and outdoor inlet temperature. In the heat recovery mode, the performance of the system was very sensitive to charge amount at all conditions. Optimum charge amount in the heat recovery mode was 14% lower than that in the cooling mode at the standard condition because the refrigerant only passed the indoor units. It is required to store the excessive refrigerant charge in a storage tank to optimize the system performance at operating modes.

• 한국토양비료학회지
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• 제14권3호
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• pp.110-116
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• 1981

동일한 화산회로부터 발달한 세개의 하와이 토양을 사용하여 중요한 토양 물리화학적 성질을 결정하는 인자인 토양표면전하 (soil surface charge)의 특성에 대한 조사를 수행하였다. 높은 강우량(년 3050mm 이상)하에서 발달한 두 Typic Hydrandepts 토양은 pH 변화에 따른 음 양 전하의 발달이 대단히 컸으며 등전점은 각각 Akaka 토양이 5.0-5.5 사이, Hilo 토양이 6.5-7.0 사이에 있었다. 한편 낮은 강우량(년 500mm 이하)하에서 발달한 Ustolic Camorthid 토양은 pH 변화에 따른 음 양전하의 발달이 위 두 토양에 비하여 훨씬 낮았으며, 등전점 역시 4.5-5.0 사이로서 낮았다. 따라서 자연조건에서 Kawaihae 토양만이 -(음)의 ${\Delta}pH$를 나타내고 Akaka와 Hilo 토양은 +(양) 내지 0 근처의 ${\Delta}pH$ 값을 보여 주고 있다. X-ray 회절분석에 의하여 Typic Hydrandepts 토양의 주광물은 무정형 광물 (60 % 이상)이었고, Ustollic Camorthid 토양중의 주광물은 dehydrated halloysite(1:1 점토광물) (45-50 %)이었음이 밝혀졌다. 이같은 동일한 화산회에서부터 발달한 토양의 현저한 광물학적 차이는 토양발달과정중의 강우량 차이에서 기인한 것으로 추정된마, 세토양중의 점토함량은 최저 42% (Akaka 토양)와 최고 57% (Hilo 토양)로 그 차이가 크지 않았으나 이들 토양의 표면적 ($m^2/g$)은 289 (Akaka 토양), 268 (Hilo 토양) 그리고 93 (Kawaihae 토양)으로서 특별히 Kawaihae 토양이 현저히 낮았다. 이같은 토양간의 표면적과 전하적 특성의 현저한 차이는 토양중의 광물학적 차이에서 오는 것이며 1:1 광물이 주를 이루는 우리나라 대부분의 토양은 본 연구 중의 Kawaihae 토양과 유사한 특성을, 그리고 우리나라 제주도 화산회토의 일부는 Akaka나 Hilo 토양의 특성을 따를 것으로 예상되는 바이다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권3호
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• pp.46-52
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• 1994

We investigated theoretically the current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes with a single quantum well structure. using a self-consistent method. This method is a numerical analysis which is able to include the effects of the undoped spacer layer and the band bending by charge accumulation and depletion on the contact layers which have not been considered in the flat-band model reported by Esaki. so that it is better suited to explain experimental results. The structure used is an $AL_{0.5}Ga_{0.5}AS/GaAs/Al_{0.5}Ga_{0.5}AS$ single quantum well. In this work. we estimate the theoretical current-voltage characteristics of the same structure, and then, the dependence of the current-voltage curves on the thickness of undoped spacer layers sandwiched between the barrier and highly n-doped GaAs contact layer.