A calculation method of the breakdown voltage for the Drain region with the spherical structure in high voltage analog CMOS is proposed. The Drain depletion region is divided into many sub-regions and the doping concentration of each sub-region is assumed to be constant. The field in each sub-region is calculated by the integration of the net charge and the breakdown voltage is calculated using the ionization integral method. The breakdown voltage calculated using the proposed method shows the maximum relative error of 3.3% compared with the result of the 2-dimensional device simulation using BANDIS.
In this paper, electric field interference was analyzed in the Printed Circuit Board to restrain the elcctromagnetic wave using Boundary Element Method and Finite Element Method. First, charge density distribution was simulated using Boundary Element Method and the characteristic impedance was caculated to restrain the reflex wave, and mutual capacitance was caculated in the multi-strip line PCB. Finally, electric field was simulated in the variable patterns using Finite Element Method. As a result, the optimal structure and characteristics of strip line was obtained and the imformations about the optimal design pattern could be obtained with the analysing the feild distribution.
실리카 유리는 매우 우수한 광도파 소재이지만 비선형 광특성이 거의 없다. 그러나 이런 실리카 유리에 금속 전극과 같은 차단전극을 이용하여 강한 전기장을 장시간 가하게 되면 공간 전하 분극이 발생하게 되고 이에 의해 비선형 광특성이 나타나게 된다는 것은 실험적으로 알려져 왔다. 본 연구에서는 전기분극 시 실리카 유리에서 나타나는 비선형 광특성의 경시적인 변화를 공간적인 위치와 시간에 따라 정확히 예측할 수 있는 수치해석적인 모델을 제시하고자 하였다. 이를 위해서 지금가지 실험들에서 실리카 유리의 비선형 광특성 발생의 원인으로 밝혀진 공간전하분극을 전기분극 기구의 전산모사를 통하여 규명하였다. 비정질 실리카를 전해질 용액과 같은 특성을 지니는 매질로 가정하고 전하운반체가 단지 $Na^{+}$ 밖에 없다는 가정 하에 유한 차분법 (finite difference method)을 이용하였다. 원래의 복잡한 함수들을 표준화 변수들을 이용하여 간단한 식으로 변환하여 $Na^{+}$의 농도와 전기장의 분포를 표준화된 시편의 길이와 인가된 전압의 세기만으로 구할 수 있도록 하였다.
In this study, molecular dynamics simulations of SPC/E (extended simple point charge) model have been carried out in the canonical NVT ensemble over the range of temperatures 300 to 550 K with and without Ewald summation. The quaternion method was used for the rotational motion of the rigid water molecule. Radial distribution functions $g_{OO}(r)$, $g_{OH}(r)$, and $g_{HH}(r)$ and self-diffusion coefficients D for SPC/E water were determined at 300-550 K and compared to experimental data. The temperature dependence on the structural and diffusion properties of SPC/E water was discussed.
Youssef M. Elsayed.;Lim, Tak-Hyoung;Song, Rak-Hyun;Lee, Seung-Bok;Shin, Dong-Ryul
전기화학회지
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제9권4호
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pp.151-157
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2006
A two-dimensional numerical model to study the performance of anode-supported flat-tube solid oxide fuel cell (SOFC) far the cross section of the cell in the flow direction of the fuel and air flows is developed. In this model a mass and charge balance, Maxwell-Stefan equation as well as the momentum equation by using, Darcy's law are applied in differential form. The finite element method using FEMLAB commercial software is used for meshing, discritization and solving the system of coupled differential equations. The current density distribution and fuel consumption as well as water production are analyzed. Experimental data is used to verify a predicted voltage-current density and power density versus current density to judge on the model accuracy.
This paper analyzes the characteristics of the power system of Jeju island in 2014, which has wind farms with the support of BESSs (Battery Energy Storage Systems). In the simulation, the electrical loads are predicted based on Korea Power Exchange's data and the wind turbines are considered with new installed plans within 2014. The situation that some wind farms are forced to disconnect from the grid instantaneously is considered. The BESSs are controlled by using SOC (State of Charge) and power smoothing control algorithm. The simulation results show the effectiveness of the proposed method.
매우 짧은 시간동안 큰 압력을 유발하는 폭발하중은 지형적인 조건 및 대기조건, 장약량과 구조물의 위치 및 형상에 따라 상이하게 발생된다. 그러므로 본 연구에서는 콘크리트 구조물에 작용하는 정밀한 폭발하중의 전파해석을 위해, Arbitrary Lagrangian-Eulerian기법을 적용한 대기 및 폭발물의 모델을 통해 복합적인 폭발파를 구현하고 구조물의 동적재료 특성을 고려하여 대기-구조물의 통합모델 해석기법을 제안하였다. 또한 대기-구조물의 통합모델 해석기법의 검증을 위하여 폭발하중을 받는 철근콘크리트 구조물의 폭발실험결과와 비교함으로써 제안된 해석기법의 타당성을 검증하였다.
Temperature is an essential process variable in nanoimprint lithography(NIL) where the temperature varies between room temperature and above the glass transition temperature. To simulate NIL process, we employ both the Nose-Poincare method for temperature controlled molecular dynamics(MD) and force field for polymer material i.e. polymethyl methacrylate(PMMA), which is most widely selected as NIL resist. Nose-Poincare method, which convinces the conservation of Hamiltonian structure and time-reversal symmetry, overcomes the drawbacks inherent in the conventional methods such as Nose thermostat and Nose-Hoover thermostat. Thus, this method exhibits enhanced numerical stability even when the temperature fluctuation is large. To describe PMMA, we adopt the force field which account for bond stretch, bending, torsion, inversion, partial charge, and van der Waals energy.
This Paper describes an algorithm for the design of axi-symmetrical spacer under specified field conditions. The electric field alas been calculated by combination method of Integral Equation Method(IEM) and Charge Simulation Method(CSM). The contour of spacer is represented with NURB(Non-Uniform Rational B-spline) curve of which effectiveness has been proved. This algorithm introduces a design process in the aspect of electrical field, when a spacer in airtight cylinder is designed. Also various field conditions for obtaining optical shapes have been proposed. Due to the algorithm, the entire process shows a stable convergence. Both tangential and total electrical field are taken into consideration as specified field criteria.
NAND-type SONOS with a separated double-gate FinFET structure (SDF-Fin SONOS) flash memory devices are proposed to reduce the unit cell size of the memory device and increase the memory density in comparison with conventional non volatile memory devices. The proposed memory device consists of a pair of control gates separated along the direction of the Fin width. There are two unique alternative technologies in this study. One is a channel doping method and the other is an oxide thickness variation method, which are used to operate the SDF-Fin SONOS memory device as two-bit. The fabrication processes and the device characteristics are simulated by using technology comuter-adided(TCAD). The simulation results indicate that the charge trap probability depends on the different channel doping concentration and the tunneling oxide thickness. The proposed SDG-Fin SONOS memory devices hold promise for potential application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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