Kim, Jae-Hoon;Julien, Pierre Y.;Ji, Un;Kang, Joon-Gu
한국환경과학회지
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제20권5호
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pp.555-564
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2011
This study examines the potential restoration of abandoned channels of the Mangyeong River in South Korea. To analyze the morphological changes and equilibrium conditions, a flow duration analysis was performed to obtain the discharge of 255 m3/s with a recurrence interval of 1.5 year. It is a gravel-bed stream with a median bed diameter of 36 mm. The reach-averaged results using HEC-RAS showed that the top width is 244 m, the mean flow depth is 1.11 m, the width/depth ratio is very high at 277, the channel velocity is 1.18 m/s, and the Froude number is also high at 0.42. The hydraulic parameters vary in the vicinity of the three sills which control the bed elevation. The total sediment load is 6,500 tons per day and the equivalent sediment concentration is 240 mg/l. The Engelund-Hansen method was closer to the field measurements than any other method. The bed material coarser than 33 mm will not move. The methods of Julien-Wargadalam and Lacey gave an equilibrium channel width of 83 m and 77 m respectively, which demonstrates that the Mangyeong River is currently very wide and shallow. The planform geometry for the Mangyeong River is definitely straight with a sinuosity as low as 1.03. The thalweg and mean bed elevation profiles were analyzed using field measurements in 1976, 1993 and 2009. The measured profiles indicated that the channel has degraded about 2 m since 1976. The coarse gravel material and large width-depth ratio increase the stability of the bed material in this reach.
The purpose of this paper is to study the upstream waves in front of an advancing arbitrary hull shape in a restricted water channel. Conventionally, in a restricted water channel, shallow water effects are amplified because of the finite water depth and width. When the effects of shallow water and the restricted channel width are severe, upstream waves propagate forward from the fore-body of the advancing hull. In this study, numerical simulations are carried out for the relevant analysis of the flow phenomena by the draft variation of advancing hull in a restricted water channel. Numerical simulations are done with a finite-difference method based on the MAC scheme in a rectangular grid system.
Temperature gradient focusing (TGF) of analytes via Joule heating is achieved when electric field is applied along a microchannel of varying width. The effect of varying width of the microchannel for the focusing performance of the device was numerically studied. The governing equations were implemented into a quasi-1D numerical model along a microchannel. The validity of the numerical model was verified by a comparison between numerical and experimental results. The distributions of temperature, velocity, and concentration along a microchannel were predicted by the numerical results. The narrower middle width and wider outside width of the channel having the fixed length contribute to improve the focusing performance of the device. However, too narrow middle width of the channel generates a higher temperature which can cause the problems including sample denaturation and buffer solution boiling. Therefore, the channel geometry should be optimized to prevent these problems. The optimal widths of the microchannel for the improvement on TGF were proposed and this model can be easily applied to lab-on-a-chip (LOC) applications where focusing is required based on its simple design.
The flow of an incompressible Ellis fluid in an inclined asymmetric channel, driven by peristaltic waves was studied under low Reynolds number and long wavelength assumptions. The wave on each side of the channel are assumed to be an infinite train of sinusoidal waves, both having the same constant wave speed and wavelength however, they vary in wave amplitude, channel half width and phase angle. We derived expressions for the axial and transverse velocities, volume flow rate, pressure rise per unit wavelength and streamlines. The effects of varying the wave amplitudes, the phase angle, the channel width, the angle of inclination of the channel as well as the fluid parameters on the flow were analyzed. Trapping conditions were determined and the presence of reflux highlighted using the streamlines for the necessary channel and fluid conditions. By varying the fluid parameters, changes in the fluid that deviated from the Newtonian case resulted in a reduction in the axial velocity in the neighborhood of the center of the channel and a simultaneous increase in the velocity at the periphery of the channel. A nonlinear relation was observed with the pressure rise and the volume flow rate. This nonlinear relation is more pronounced with an increase in the absolute value of the volume flow rate. For Newtonian fluids a linear relation exists between these two variables. The fluid parameters had little effects on the streamlines. However, variations of the wave amplitudes, volume flow, channel width and phase angle had greater effects on the streamlines and hence the trapped region.
소하천의 효율적 관리 및 개수를 위하여 우리나라의 소하천에 대한 수문지형학적 자료를 조사 분석하여 소하천의 범위를 제시하고 이들 소하천의 특성을 파악하였다. 그리고 소하천 개수시에 계획하폭을 결정하기 위한 지표로 제시하고 있는 기존 계획하폭 결정공식의 문제점올 검토하고 새로운 계획하폭 결정공식을 제시하였다. 연구의 결과로서 우리나라 소하천의 유역면적은 $10km^2$ 이하, 유로연장은 6 km 이하, 하상경사는 0.02 이상으로 매우 급경사이며, 홍수도달시간은 30분 이내로 나타났다. 그리고 제시된 새로운 계획하폭 결정공식은 계획홍수량 $300m^3/sec$ 이하의 소하천에 적용할 수 있는 $B=1.235Q^{064}$와 유역면적 $10km^2$ 이하에서 적용할 수 있는 $B=8.794A^{0.56}$이다.
본 연구에서는 채널 길이와 폭의 변화에 따른 실리콘 나노와이어 MOSFET 소자의 아날로그 특성을 비교 분석 하였다. 측정 온도는 $30^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $75^{\circ}C$, $100^{\circ}C$이다. 사용된 소자의 폭은 20nm, 30nm, 80nm, 130nm 와 길이는 250nm, 300nm, 250nm, 500nm을 사용하였다. 소자의 아날로그 특성은 이동도, 트랜스컨덕턴스, Early 전압, 전압이득, 드레인 전류 이다. 이동도는 폭이 증가함에 따라 증가하고 길이와 온도가 증가할수록 감소한다. 트랜스 컨덕턴스는 폭이 증가하면 증가한다. Early 전압은 길이와 온도가 증가함에 따라 증가하고 폭이 증가함에 따라 감소한다. 따라서 이득은 폭의 감소와 길이가 증가함에 따라 증가하고 온도가 증가함에 따라 감소하는 것을 알 수 있었다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권2호
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pp.156-163
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2008
We proposed a new $p^+/n^+$ gate locally-separated-channel (LSC) bulk FinFET which has vertically formed oxide region in the center of fin body, and device characteristics were optimized and compared with that of normal channel (NC) FinFET. Key device characteristics were investigated by changing length of $n^+$ poly-Si gate ($L_s$), the material filling the trench, and the width and length of the trench at a given gate length ($L_g$). Using 3-dimensional simulations, we confirmed that short-channel effects were properly suppressed although the fin width was the same as that of NC device. The LSC device having the trench non-overlapped with the source/drain diffusion region showed excellent $I_{off}$ suitable for sub-50 nm DRAM cell transistors. Design of the LSC devices were performed to get reasonable $L_s/L_g$ and channel fin width ($W_{cfin}$) at given $L_gs$ of 30 nm, 40 nm, and 50 nm.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제29권8호
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pp.862-869
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2005
A study on convective cooling characteristics has been done in the channels with heat pipes and associated Plane fins Analysis with FLUENT V5.0 lies its Purpose on the possible enhancement of heat transfer capability between an existing three in-line arrayed heatpipes and an extending four in-line arrayed heatpipes with increasing channel width. Numerical analysis is limited to the laminar flow in an isolated flow channel by employing cyclic boundary conditions for calculation purposes. Friction factors for three and four in-line arrayed heatpipes are compared with experimental results. In addition, temperature behavior at the plate fin for the three in-line arrayed heatpipes is compared with experiment. Friction factors and overall channel heat transfer coefficients (and/or Nusselt numbers) are presented as a function of Reynolds number. An increase of number of heatpipes and channel width reults in a decrease of the friction factor and doesn't not result in an increase of heat transfer performance. However. considering the 25$\%$ increase of heat load accompanies with maximum 8$^{\circ}C$ rise of average temperature of heat pipes, the four in-line array with the increase of channel width of heat pipe heat sink can be considered appropriate.
Nature of magnetic creep phenomena in low coercive force films(Ni 80%-Fe 20%) in form of narrow channels imbedded in high coercive force films is studied in this work. Aluminium is evaporated on the hot glass substrate and eched free in the shape of narrow channels by photoetoetching method. then, Permalloy(Ni 80%, Fe 20%) is deposited on these Aluminium substrate under the uniform field of 30(Oe) to introduce anisotropy. Permalloy film on Al has a high coercive force and one on the substrate devoid of Al has how coercive force. Magnetic revers domain which is introduced at the end of channel grows under the a.c field in hard axis direction, in spite of very weak d.c field in easy axis direction. This creeping is investigated as a function of external fields and channel widths. Permalloy film thickness is 500.angs.-900.angs. and channel widths are 40, 51, 65, 81, 115.mu. respectively. Creeping increases as external field increases while it decreases with channel width decrease. Creep velocity in channels depends on the a.c field along hard axis, d.c field along easy axis and channel widths and its range is 1-10cm/sec in this experiment. From study of dependence of creep velocity on channel width, it can be concluded that creep velocity is expressed in form of v=v$_{0}$ exp .alpha.(H-H$_{0}$) where .alpha. is a function of a.c field along hard axis and H is driving d.c field along easy axis, H$_{0}$ is not a coercive force of film as usuall expected but the d.c threshold field along easy axis which is a function of channel width. This characteristic is also confirmed by the study of dependence of creep velocity upon easy axis field strength. Value of .alpha. obtained is 1.3-2.3cm/sec We depending upon film charactor, hard axis field strength and frequency.uency.
This paper proposes a PWM(Pulse Width Modulation) circuit using CMOS OTA with a single-voltage supply. The OTA employed has an input stage which consists of a pair of two MOSFETs operating in plural operation regions. The MOSFETs work complemetarily and realize a rail-to-rail input range. The input stage requires no matching of an n-channel type input circuit and a p-channel type input circuit unlike conventional rail-to-rail input stages because the input stage is realized by single channel type MOSFETs. In order to confirm the validity of the proposed circuit, it is simulated by H-SPICE program. Futhermore, the proposed circuit will be integrated on chip using 0.35 $\mu\textrm{m}$ CMOS technology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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