• 제목/요약/키워드: Channel Width

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소자 레이아웃이 n-채널 MuGFET의 특성에 미치는 영향 (Effects of Device Layout On The Performances of N-channel MuGFET)

  • 이승민;김진영;유종근;박종태
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권1호
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    • pp.8-14
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    • 2012
  • 전체 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 특성을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 핀 수가 16이며 핀 폭이 55nm인 소자와 핀 수가 14이며 핀 폭이 80nm인 2 종류의 소자이다. 측정 소자성능은 문턱전압, 이동도, 문턱전압 roll-off, DIBL, inverse subthreshold slope, PBTI, hot carrier 소자열화 및 드레인 항복전압 이다. 측정 결과 핀 폭이 작으며 핀 수가 많은 소자의 단채널 현상이 우수한 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자열화는 핀 수가 많은 소자가 심하며 hot carrier에 의한 소자열화는 비슷한 것을 알 수 있었다. 그리고 드레인 항복 전압은 핀 폭이 작고 핀 수가 많은 소자가 높은 것을 알 수 있었다. 단채널 현상과 소자열화 및 드레인 항복전압 특성을 고려하면 MuGFET소자 설계 시 핀 폭을 작게 핀 수를 많게 하는 것이 바람직하다.

Study of MOSFET Subthreshold Hump Characteristics by Phosphorous Auto-doping

  • 이준기;김효중;김광수;최병덕
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.319-319
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    • 2012
  • 현재 폭넓게 이용되고 있는 STI (Shallow Trench Isolation) 공정에서 active edge 부분에 발생하는 기생 transistor의 subthreshold hump 특성을 제어하는 연구가 활발히 이루어지고 있다. 일반적으로 STI 공정을 이용하는 MOSFET에서 active edge 부분의 얇게 형성된 gate oxide, sharp한 active edge 형성, STI gap-fill 공정 중에 생기는 channel dopant out-diffusion은 subthreshold hump 특성의 주된 요인이다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 active edge rounding process와 channel dopant compensation의 implantation을 이용하여 subthresold hump 특성 개선을 연구하였다. 본 연구는 STI 공정에 필요한 wafer와 phosphorus를 함유한 wafer를 한 chamber 안에서 auto-doping하는 방법을 이용하여 subthresold hump 특성을 구현하였다. phosphorus를 함유한 wafer에서 빠져나온 phosphorus가 STI 공정중인 wafer로 침투하여, active edge 부분의 channel dopant인 boron 농도를 상대적으로 낮춰 active edge 부분의 가 감소하고 leakage current를 증가시킨다. transistor의 channel length, gate width이고, wafer#No가 클수록 phosphorous를 함유한 wafer까지의 거리는 가까워진다. wafer #01은 hump 특성이 없고, wafer#20은 에서 심한 subthreshold hump 특성을 보였다. channel length 고정, gate width를 ~으로 가변하여 width에 따른 영향을 실험하였다. active 부분에 대한 SCM image로 확인된 phosphorus에 의한 active edge 부분의 boron 농도 감소와 gate width vs curve에서 확인된 phosphorus에 의한 감소가 narrow width로 갈수록 커짐을 확인하였다.

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Bi-layer channel large grain TFT의 channel width의 변화에 따른 전기적 특성 비교 분석

  • 이원백;박형식;박승만;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.430-430
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    • 2010
  • MICC 방법으로 제작된 TFT는 large grain과 그에 따른 grain boundary의 감소로 인하여여, 소자의 전기적 특성을 좋게 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel의 large grain size TFT를 제작하여 소자의 전기적 특성을 비교하였다. Channel의 width / length의 크기는 각 각의 경우 $7/5{\times}2$, $10/5{\times}2$, $15/5{\times}2$ (${\mu}m$)로 하였다. 소자의 성능 측정 결과 Field-effect mobility의 경우에는 channel width가 증가할 수록 감소하는 경향성을 나타내었으며, Threshold voltage의 경우에는 조금 감소하는 경향성은 있었으나 변화의 폭이 매우 작았다. Output characteristics 의 경우에는 모든 set에서 좋은 saturation 특성을 보였다. 이것은 current croding이 없었다는 것을 의미하는데, 큰 grain size로 인한 효과로 해석 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel에서 corner effect에 중점을 두어 소자의 전기적 특성 변화에 대하여 논하였다.

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채널 폭 변화에 따른 전압-제어 발진기의 신뢰성 특성 (Reliability Characteristics of Voltage-Controlled Oscillator with Channel Width Variation)

  • 최진호;임인택
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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    • pp.717-718
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    • 2013
  • CMOS로 구성된 전압-제어 발진기의 채널 폭과 길이가 변화하면, 입력 전압에 따른 출력 주파수가 변화할 것이다. 본 논문에서는 FLL(Frequency Locked Loop) 회로의 구성 요소로 사용되는 전압-제어 발진기의 채널 폭 변화에 따른 전기적인 특성 변화를 시뮬레이션을 통하여 살펴보고자 한다. 그리고 변화하는 채널 폭에 따른 전압-제어 발진기의 신뢰성 특성을 향상하기 위한 방안을 살펴보고자 한다.

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고분자 전해질 연료전지용 바이폴라 플레이트의 유로 연구 (Study on the channel of bipolar plate for PEM fuel cell)

  • 안범종;고재철;조영도
    • 한국가스학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.15-27
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    • 2004
  • 본 논문은 상용 프로그램인 Fluent를 이용하여 고분자 전해질 연료전지(polymer electrolyte membrane fuel cell)의 바이폴라 플레이트 위에 새겨진 유로형상을 분석함으로서 연료전지의 성능을 향상시키는데 그 목적이 있다. 수소 소모량이 가장 많은 유로크기를 구하기 위하여 0.5 ${\~}$ 3.0mm의 범위에 대해 시뮬레이션을 수행하였으며, 유로너비, 지면너비, 유로깊이가 적을수록 아노드에서 수소이용율이 높음을 알 수 있었다. 유로너비가 증가하면 유로의 전체길이를 감소하므로 유로에서 압력하락이 감소하게 되며, 지면너비를 증가시키면 수소가 지면 밑으로 확산하여 수소의 순 소비가 감소하기 때문이다. 또한 유로너비를 변화시키는 것은 지면너비를 변화시키는 것보다 수소 소모에 민감하게 영향을 끼침을 알 수 있었다. 유로깊이에 따른 수소 소모량의 변화는 유로너비에 비해 크지 않으나 유로깊이는 바이폴라 플레이트의 부피에 크게 영향을 미치므로 가능한 한 적게 하여야 한다. 그러나 현실적으로 기계가공이 가능한 1mm이상의 유로에서는 유로너비 1.0mm, 지면너비 1.0mm, 유로깊이 0.5mm에서 수소 이용율이 가장 높았으며 최적 유로크기로 판단된다. 시뮬레이션결과로부터 최적 유로크기로 성형한 2cm${\times}$2cm크기의 대각선형과 5자형 유동장에 MEA를 결합한 단위전지의 성능을 100W 연료전지평가시스템을 이용하여 측정하였다. 측정결과는 대각선형과 5자형에서 유사하게 높은 OCV가 나타났으며, 전류밀도는 0.6V이하에서는 대각선형이 $2-40mA/m^2$ 더 높았으나 0.7-0.8V에서는 S자형이 $5-10mA/m^2$ 더 높게 나타났다.질을 향상시키고 의료자원의 효율적인 이용을 촉진하기 위해 호스피스 완화의료 서비스의 표준화와 제도화가 필요하다.를 활용한 사용자인터페이스(UI)디자인의 가능성을 확대시킬 수 있을 것이다. 스크린의 사용에 있어서 사용자의 시각적 한계성을 극복하기 위한 새로운 GUI의 시도와 제안은 향후 모바일 기기 디자인의 새로운 방향성을 제시하고 있다.각되며 이를 위해서는 호스피스 관련 기관뿐만 아니라 국가적 차원의 아동 호스피스에 대한 관심과 지원이 요구된다고 생각한다. 양상과 일치하였고 표준조건(water flux 1 cm/일)에서 예측된 이동소요시간에 따라 metolcarb는 most mobile, molinate와 fenobucarb, isazofos는 mobile내지 most mobile, dimepiperate는 moderately mobile이나 mobile, diazinon은 mobile, fenitrothion과 parathion은 slightly mobile 또는 mobile, chloipyrifos-methyl은 immobile이나 slightly mobile 등급에 속하는 것으로 나타났다.히 요구되고 있는 현실이다.브로 출시에 따른 마케팅 및 고객관리와 관련된 시사점을 논의한다.는 교합면에서 2, 3, 4군이 1군에 비해 변연적합도가 높았으며 (p < 0.05), 인접면과 치은면에서는 군간 유의차를 보이지 않았다 이번 연구를 통하여 복합레진을 간헐적 광중합시킴으로써 변연적합도가 향상될 수 있음을 알 수 있었다.시장에 비해 주가가 비교적 안정적인 수준을 유지해 왔다고 볼 수 있다.36.4%)와 외식을 선호(29.1%)${\lrcorner}$ 하기 때문에 패스트푸드를 이용하게 된 것으로 응답 하였으며, 남 여 대학생간에는 유의한

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Theoretical analysis of simply supported channel girder bridges

  • Hu, Hong-Song;Nie, Jian-Guo;Wang, Yu-Hang
    • Structural Engineering and Mechanics
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    • 제56권2호
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    • pp.241-256
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    • 2015
  • Channel girder bridges that consist of a deck slab and two side beams are good choices for railway bridges and urban rail transit bridges when the vertical clearance beneath the bridge is restricted. In this study, the behavior of simply supported channel girder bridges was theoretical studied based on the theory of elasticity. The accuracy of the theoretical solutions was verified by the finite element analysis. The global bending of the channel girder and the local bending of the deck slab are two contributors to the deformations and stresses of the channel girder. Because of the shear lag effect, the maximum deflection due to the global bending could be amplified by 1.0 to 1.2 times, and the effective width of the deck slab for determining the global bending stresses can be as small as 0.7 of the actual width depending on the width-to-span ratio of the channel girder. The maximum deflection and transversal stress due to the local bending are obtained at the girder ends. For the channel girders with open section side beams, the side beam twist has a negligible effect on the deflections and stresses of the channel girder. Simplified equations were also developed for calculating the maximum deformations and stresses.

Channel width 변화에 따른 Large Size Grain TFT의 전기적 특성 비교 분석

  • 정우정;이원백;조재현;이준신
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.61-61
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    • 2009
  • P-type SGS-TFTs with 10 ${\mu}m$ channel length and two channel widths; $W_1=5{\mu}m$ and $W_2=10{\mu}m$ which has gate insulator made of 20nm $SiO_2$ and 80nm SiNx was fabricated and the electrical properties of them were measured. The field-effect mobility was increased from 95.84 to 104.19 $cm^2/V-s$ and threshold voltage also increased from -0.802 V to -0.954 V, when channel width is increased from5 ${\mu}m$ to 10 ${\mu}m$. Subthreshold swing decreased from 0.418 to 0.343 V/dec and $I_{on/off}$ ratio increased from $4.77{\times}10^7$ to $7.30{\times}10^7$.

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새로운 고주파용 MOS 트랜지스터의 시작에 관한 연구 (Study on Experimental Fabrication of a New MOS Transistor for High Speed Device)

  • 성영권;민남기;성만영
    • 전기의세계
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    • 제27권4호
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    • pp.45-51
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    • 1978
  • A new method of realizing the field effect transistor with a sub-.mu. channel width is described. The sub-.mu. channel width is made possible by etching grooves into n$^{+}$ pn$^{[-10]}$ n$^{[-10]}$ structure and using p region at the wall for the channel region of the Metal-Oxide-Semiconductor transistor (MOST), or by diffusing two different types of impurities through the same diffusion mask and using p region at the surface for the channel region of MOST. When the drain voltage is increased at the pn$^{[-10]}$ drainjunction the depletion layer extends into the n$^{[-10]}$ region instead of into p region; this is also the secret of success to realize the sub-.mu. channel width. As the result of the experimental fabrication, a microwave MOST was obtained. The cut-off frequency was calculated to be 15.4 GHz by Linvill's power equation using the measured capacitances and transconductance.

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CMOS 트랜지스터의 채널 폭 및 길이 변화에 따른 RF 특성분석 및 최적화 (Analysis and Optimization of the CMOS Transistors for RF Applications with Various Channel Width and Length)

  • 최정기;이상국;송원철
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권8호
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    • pp.9-16
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    • 2000
  • 0.35m CMOS공정을 이용하여 MOSFET의 RF특성을 평가하였다. 채널길이(L-0.25~0.8m)와 채널폭(W=50~600m) 및 바이어스 전압의 변화에 따른 RF특성을 분석하였으며, 차단주파수$f_T$는 최대 22GHz, 최대공진주파수($f_{max}$)는 최대 28GHz의 값을 얻었다. 채널폭의 변화에 대해서 차단주파수는 영향을 받지 않았으며, 최대공진주파수는 감소하는 경향을 보였고, 채널길이 증가에 대해서는 차단주파수 및 최대공진주파수 모두 감소하는 경향을 나타내었다. 최소잡음지수는 채널폭이 증가할수록 감소하고 채널길이가 증가할수록 증가하는 경향을 얻었는데, 2GHz에서 최소 0.45dB의 값을 얻었다. 평가결과로부터 0.35m CMOS공정이 2GHz대역의 상업용 RFIC 구현에 충분한 RF특성을 보유하고 있음을 확인할 수 있었으며, 바이어스 및 채널폭과 길이변화에 대한 CMOS 트랜지스터의 RF 특성분석을 통하여 RF 회로설계에 대한 지침을 제시하였다.

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수로형 해역에서의 파랑전달에 미치는 영향인자 분석 (Analysis of Impact Factors for the Wave Transmission in the Narrow Channel Sea)

  • Lee, Gyong-Seon;Yoon, Han-Sam;Ryu, Cheong-Ro;Park, Jong-Hwa
    • 한국해양공학회:학술대회논문집
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    • 한국해양공학회 2003년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.303-308
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    • 2003
  • In this paper, wave numerical modeling was experimented for the analysis of impact factors for the wave transmission as the incident wave and topographic conditions in the narrow channel sea. Recently, Although the results of many researcher for the wave modelling, numerical equations have limited to simulation of wave transformation effects. Despite of thispresent problems, the models was used to design the coastal structures in barrow channel sites. Finally, this paper estimated the wave model(mild slope eq. model) as the analysis of the wave energy transmission according to changing of impact factors(width of channel, bottom slope in channel, incident wave angle, wave period). As the results of numerical experiment, the major impact factors which influence to wave energy transmission were the width of channel and incident wave direction. But in the case that the width of channel is larger than 3L(L=Length of wave), the reduction of wave energy was small.

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