• 한국전자파학회논문지
• /
• 제22권12호
• /
• pp.1097-1106
• /
• 2011

본 논문에서 우수한 측파대와 반송파 억압을 갖는 광대역 단측파대 믹서(SSM)의 설계 방법을 제시한다. 균일한 출력 평탄도를 위해 4개 대역 분할 구조를 제안한다. 마이크로 오피스를 이용한 이 구조의 회로 시뮬레이션을 통해 만족스러운 결과를 도출하였고, 이 결과에 근거하여 SSM을 구현하였으며 시험을 수행하였다. 측정된 결과는 시뮬레이션 결과와 잘 일치함을 보여준다. 우리는 또한 두 SSM(M사 SM0218LC1CDC SSM과 제작 SSM)을 비교하였다. 제작된 SSM은 비교 SSM에 비해 약 3.3배 크지만, 측파대 억압과 반송파 억압은 각각 3 dBc, 8 dBc 우수한다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제22권4호
• /
• pp.489-499
• /
• 2011

RFID 기술은 각 사물에 전자 태그를 부착하고, 사물의 고유 ID를 무선으로 인식하여 해당 정보를 수집, 저장, 가공, 추적하는 기술로 다양한 분야에 적용되고 있다. 본 논문에서는 UHF 대역 RFID 리더 수신기에서 반송파 누설 신호를 억압하기 위한 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 반송파 누설 전력 억압용-RF 전단부 구조를 갖는 리더는 리미터를 포함하는 비선형 경로를 통해 송신 반송파 누설 복제 신호를 생성한다. 리미팅 기능은 반송파 누설 신호의 주파수와 위상 정보는 유지하면서 태그의 진폭 변조 성분을 제거한다. 위상 천이기를 포함하는 선형 구간에 송신 반송파 누설 복제 신호를 주입함으로써 태그의 역산란 신호 손실 없이 리더 반송파 누설 신호를 효과적으로 억압할 수 있다. 제작된 반송파 누설 전력 억압 회로는 910 MHz 중심 주파수에서 반송파 누설 신호 대비 태그 신호 비가 36 dB 억압 효과를 달성하였음을 측정 결과를 통해 확인하였으며, 이는 시뮬레이션 결과와 일치한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
• /
• pp.735-736
• /
• 1998

Reduction of hot carrier degradation in MOS devices has been one of the most serious concerns for MOS-ULSIs. In this paper, three types of LDD structure for suppression of hot carrier degradation, such as spacer-induced degradation and decrease of performance due to increase of series resistance will be investigated. LDD-nMOSFETs used in this study had three different drain structure. (1) conventional ${\underline{S}}urface$ type ${\underline{L}}DD$(SL), (2) ${\underline{B}}uried$ type ${\underline{L}}DD$(BL), (3) ${\underline{S}}urface$urface ${\underline{I}}mplantation$ type LDD(SI). As a result, the surface implantation type LDD structure showed that improved hot carrier lifetime to comparison with conventional surface and buried type LDD structure.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
• /
• 제11권11호
• /
• pp.5377-5391
• /
• 2017

In this paper, we propose a new scheme to suppress the narrowband interference (NBI) in OFDM-based systems. The scheme utilizes code division multiple access (CDMA) and weighted-type fractional Fourier transform (WFRFT) domain preprocessing technologies. Through setting the WFRFT order, the scheme can switch into a single carrier (SC) or a multi-carrier (MC) frequency division multiple access block transmission system. The residual NBI can be eliminated to the maximum extent when the WFRFT order is selected properly. Final simulation results show that the proposed system can outperform MC and SC with CDMA and frequency domain preprocessing in terms of the narrowband interference suppression.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제22권1호
• /
• pp.30-37
• /
• 2011

본 논문에서는 LTE-Advanced 상향 링크 시스템을 위한 적응적 채널 추정을 통한 고속 ICI 제거 알고리즘을 제안한다. 시변 채널 환경에서 위상 잡음과 반송파 주파수의 영향을 효과적으로 제거하기 위해서 comb type 파일럿을 사용하였다. 본 논문의 목적은 기존의 PNFS(Phase Noise & Frequency offset Suppression) 알고리즘보다 계산상의 복잡도를 줄여서 시스템 처리 속도의 향상을 가져오는 것이다. 중복되거나 불필요한 계산을 줄여서 계산상의 복잡도를 줄였다. 또한, 효과적으로 다중 경로 채널을 추정하기 위한 방법을 제안한다. 제안하는 적응적 채널 추정 방법을 이용하여 다중 경로 채널을 효과적으로 추정하고 보상한다. 제안된 방법이 Vehicular A 채널 환경에서 BER이 약 0.5 dB 정도 성능이 더 좋다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제41권7호
• /
• pp.21-29
• /
• 2004

본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano-scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에, PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는, Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 측정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot camel lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며, Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 F
• /
• pp.2058-2061
• /
• 1997

A main research topic in PWM inverter drive system is to reduce the generated acoustic noise. One method to reduce the acoustic noise is to cause the switching pattern to be random. This RPWM(Random Pulse Width Modulation) technique for voltage controlled inverters is a kind of good solutions for reduction of acoustic noise and suppression of vibration. This paper describes a carrier frequency modulated real-time RPWM inverter. Changing the carrier frequency randomly, the power spectrum of tile acoustic noise was spread over the wide-band area. And experimental results showed that emitted noise is much more comportable and less annoying

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.1-6
• /
• 2002

The hot carried degradation in a metal oxide semiconductor device has been one of the most serious concerns for MOS-ULSI. In this paper, three types of LDD(lightly doped drain) structure for suppression of hot carried degradation, such as decreasing of performance due to spacer-induced degradation and increase of series resistance will be investigated. in this study, LDD-nMOSFETs used had three different drain structure, (1) conventional surface type LDD(SL), (2) Buried type LDD(BL), (3) Surface implantation type LDD(SI). As experimental results, the surface implantation the LDD structure showed that improved hot carrier lifetime to comparison with conventional surface and buried type LDD structures.

• 대한기계학회논문집B
• /
• 제22권6호
• /
• pp.813-822
• /
• 1998

The microexplosion of a slurry droplet was considered to be caused by the shell formation and the following pressure build-up in the shell which would be promoted by the suppression of evaporation, subsequent superheating and heterogeneous nucleation of liquid carrier. To closely investigate the pressure build-up and the heterogeneous nucleation, a numerical model was introduced by considering the internal temperature distributions with the shell formation, suppression of evaporation and pressure build-up inside. The microexplosion time was estimated by postulating the limit of superheat for heterogeneous nucleation. The simulation yielded a reasonably good agreement with experimental results for Al/n-heptane slurry droplets under various solid loadings.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제26권8호
• /
• pp.35-41
• /
• 2012

As automation equipment and electronic device progresses, the importance of power quality is more increasing. This paper represents the analysis and suppression about the causes of trouble by the inverter's ON/OFF noise in plant in order to prevent damage resulting in a secondary damage to conduct precise diagnosis and effective noise reduction. The countermeasure as a reduced carrier frequency and the LC resonant filter had been applied and confirmed the effective results to solve the trouble of noise.