Nam Hyo-Jin;Kim Young-Sik;Lee Caroline Sunyong;Jin Won-Hyeog;Jang Seong-Soo;Cho Il-Joo;Bu Jong-Uk
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.1
no.1
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pp.73-77
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2005
In this paper, a new silicon nitride cantilever integrated with silicon heater and piezoelectric sensor has been firstly developed to improve the uniformity of the initial bending and the mechanical stability of the cantilever array for thermo-piezoelectric SPM(scanning probe microscopy) -based data storages. This nitride cantilever shows thickness uniformity less than $2\%$. Data bits of 40 nm in diameter were recorded on PMMA film. The sensitivity of the piezoelectric sensor was 0.615 fC/nm after poling the PZT layer. For high speed operation, 128${\times}$128 probe array was developed.
A high-throughput sorting (HTS) system has been designed to separate target particles using a negative dielectrophoretic (n-DEP) force. The system consists of a meso-sized channel and a cantilever-type electrode(CE) array designed to separate a large number of target particles by discerning subtle difference of weight and dielectric material property of the particles. Using the polystyrene beads with various sizes of 10, 25 and $50{\mu}m$, the developed system exhibits high-throughput sorting of about 200 beads/sec and more than 80 % of separation efficiency.
Piezoresistive type contact force sensor array is fabricated by (111) Silicon bulk micromachining for continuous blood pressure monitoring. Length and width of the unit sensor structure is $200{\mu}m$ and $190{\mu}m$, respectively. The gap between sensing elements is only $10{\mu}m$. To achieve wafer level packaging, the sensor structure is capped by PDMS soft cap using wafer molding and bonding process with $10{\mu}m$ alignment precision. The resistance change over contact force was measured to verify the feasibility of the proposed sensor scheme. The maximum measurement range and resolution is 900 mm Hg and 0.57 mm Hg, respectively.
Jang, Seong-Soo;Jin, Won-Hyeog;Kim, Young-Sik;Cho, Il-Joo;Lee, Dae-Sung;Nam, Hyo-Jin;Bu, Jong. U.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.6
no.4
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pp.293-298
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2006
Thermopiezoelectric method, using poly silicon heater and a piezoelectric sensor, was proposed for writing and reading in a probe based data storage system. Resistively heated tip writes data bits while scanning over a polymer media and piezoelectric sensor reads data bits from the self-generated charges induced by the deflection of the cantilever. 34${\times}$34 array of thermopiezoelectric nitride cantilevers were fabricated by a single step wafer level transfer method. We analyzed the noise level of the charge amplifier and measured the noise signal. With the sensor and the charge amplifier 20mn of deflection could be detected at a frequency of 10KHz. Reading signal was obtained from the cantilever array and the sensitivity was calculated.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.2
no.4
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pp.246-252
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2002
Two kinds of PZT cantilevers integrated with a piezoresistor have been newly designed, fabricated, and characterized for high speed AFM. In first cantilever, a piezoresistor is used to sense atomic force acting on tip, while in second cantilever, a piezoresistor is integrated to calibrate hysteresis and creep phenomena of the PZT cantilever. The fabricated PZT cantilevers provide high tip displacement of $0.55\mu\textrm{m}/V$ and high resonant frequency of 73 KHz. A new cantilever structure has been designed to prevent electrical coupling between sensor and PZT actuator and the proposed cantilever shows 5 times lower coupling voltage than that of the previous cantilever. The fabricated PZT cantilever shows a crisp scanned image at 1mm/sec, while the conventional piezo-tube scanner shows blurred image even at $180\mu\textrm{m}/sec$. The non-linear properties of the PZT actuator are also well calibrated using the piezoresistive sensor for calibration.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.5
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pp.215-220
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2012
Miniature ultrasonic and tactile sensors on Si substrate have been proposed, fabricated and characterized to detect objects for a dexterous robot. The ultrasonic sensor consists of piezoelectric PZT thin film on a Pt/Ti/$SiO_2$ and/or Si diaphragm fabricated using a micromachining technique; the ultrasonic sensor detects the piezoelectric voltage as an ultrasonic wave. The sensitivity has been enhanced by improving the device structure, and the resonant frequency in the array sensor has been equalized. Position detection has been carried out by using a sensor array with high sensitivity and uniform resonant frequency. The tactile sensor consists of four or three warped cantilevers which have NiCr or $Si:B^+$ piezoresistive layer for stress detection. Normal and shear stresses can be estimated by calculation using resistance changes of the piezoresitive layers on the cantilevers. Gripping state has been identified by using the tactile sensor which is installed on finger of a robot hand, and friction of objects has been measured by slipping the sensor.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.1
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pp.24-29
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2005
Silicon nitride cantilevers integrated with silicon heaters and piezoelectric sensors were developed for the scanning probe microscope (SPM) based data storage application. These nitride cantilevers are expected to have better mechanical stability and uniformity of initial bending than the previously developed silicon cantilevers. Data bits of 40 nm in diameter were recorded on PMMA film and the sensitivity of the piezoelectric sensor was 0.615 fC/nm, meaning that indentations less than 20 nm in depth can be detected. For high speed operation, $128{\times}128$ cantilever array was developed.
Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
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v.17
no.4
s.121
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pp.324-332
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2007
Sensor placement method for damage identification has been developed for model updating using Taguchi method. In order to select the optimal sensor location, the analysis of variance of objective function using orthogonal array was carried out. Then, modal data at the selected locations were used for damage identification using model updating. The numerical model of a cantilever beam was used in order to compare the damage identification results with conventional sensor location method.
We have developed a cost effective test socket for ball grid array(BGA) integrated circuit(IC) packages using BeCu metal sheet as a test probe. The BeCu furnishes the best combination of electrical conductivity and corrosion resistance. The probe of the test socket was designed with a BeCu cantilever. The cantilever was designed with a length of 450 ${\mu}m$, a width of 200 ${\mu}m$, a thickness of 10 ${\mu}m$, and a pitch of 650 ${\mu}m$ for $11{\times}11$ BGA. The fabrication of the test socket used techniques such as through-silicon-via filling, bonding silicon wafer and BeCu metal sheet with dry film resist(DFR). The test socket is applicable for BGA IC chip.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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