• 한국결정성장학회지
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• 제11권5호
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• pp.211-217
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• 2001

Czochralski법에 의한 ZnWO₄단결정을 [100], [101], [001] 방향으로 성공적으로 성장시켰다. 각 축 방향에 따른 성장조건이 rotation speed, pulling rate, 성장된 결정의 직경 등의 변수를 가지고 조사되어졌다. 성장된 결정의 냉각시 발생되는 균열을 annealing 효과에 의하여 방지할 수 있었다. 성장된 결정의 방위는 Laue back reflection으로 결정하였다. 각 축 방향으로 성장된 결정의 미세구조적 특징이 논하여졌으며, 경도, 열팽창계수 및 유전상수의 물리적 특성이 평가되어졌다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권6호
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• pp.566-572
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• 2007

본 연구에서는 DME 직접 합성을 위한 혼성촉매가 두 가지 방법으로 제조되었으며, 이들의 촉매적 활성이 조사되었다. DME 합성을 위한 혼성촉매는 메탄올 합성과 메탄올 탈수반응에 촉매적 활성을 가진 성분들로 제조되었다. 메탄올 합성촉매는 Cu와 Zn이 함유된 전구물질로부터 합성되었으며, 메탄올 탈수촉매는 ${\gamma}-Al_2O_3$를 이용하였다. 두 촉매는 물리혼합법과 침전법에 의해서 혼성촉매로 제조되었다. 물리혼합법은 두 촉매를 분말상태에서 혼합하는 것이며, 침전법은 ${\gamma}-Al_2O_3$ 촉매상에 Cu-Zn 또는 Cu-Zn-Al 성분을 퇴적시키는 방법이다. 제조된 촉매의 물리적 특성을 조사하기 위하여 X선 회절법에 의한 결정구조, 질소흡착에 의한 BET 표면적, $N_2O$ 화학흡착에 의한 Cu의 표면적 그리고 주사전자현미경에 의한 표면형상 등이 조사되었다. 또한 이들 혼성촉매의 촉매적 활성은 여러 가지 반응조건을 변화시키면서 조사되었다. 이때 반응온도는 $250{\sim}290^{\circ}C$, 반응압력은 30~70 atm, $[H_2]/[CO]$ 몰비는 0.5~2.0, 그리고 공간속도는 $1,500{\sim}6,000 h^{-1}$ 촉매활성이 조사되었다. 반응성 실험 결과로부터 침전법으로 제조된 혼성촉매(CP-CZA/D)가 물리혼합법으로 제조된 혼성촉매(PM-CZ+D)보다 우수한 반응성을 나타냄을 확인할 수 있었으며, 특히 반응 온도, 압력, $[H_2]/[CO]$ 비, 공간속도가 각각 $260^{\circ}$, 50 atm, 1.0, $3,000h^{-1}$인 조건에서 침전법에 의해 제조된 촉매의 CO 전화율이 72%로 물리혼합법으로 제조된 촉매보다 약 20% 이상 높았다. $N_2O$ 화학흡착실험으로부터 Cu 표면적을 측정한 결과, PM-CZ+D 혼성촉매보다 CP-CZA/D 혼성촉매의 Cu 표면적이 더 높았다. 그러므로 침전법으로 제조된 혼성촉매상의 Cu입자가 더 잘 분산되었기 때문에 촉매의 활성이 개선된 것으로 판단된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권7호
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• pp.767-773
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• 1988

We have proposed a new simple and easy method for the observation of OSF growth and shrinkage. This method is to observe the behavior of OSF in thedamaged region during oxidation as well as annealing process after introducing mechanical damage on the silicon surface by pressure-controllable indentor. The effect of SiO2 layer on the shrinkage of pregrown OSF generated by the proposed method has been investigated using the samples with or without SiO2 layer. From the experimental data, we suggest a model for the shrinkage of OSF, which is based on the recombinaiton mechanism between silicon interstitial and vacancy at the Si-SiO2 interface.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권2호
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• pp.39-43
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• 2012

This paper presents a study on the design of a pulling module for silicon ingot and an apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot using the same method. The pulling module is conceptually designed by using TRIZ. Czochralski method(CZ) is representative way to manufacture single crystal ingot for wafers. The seed can be broken by high tension which is caused by large weight of a silicon ingot. The solution of this problem has been derived using 6SC(6 steps creativity)TRIZ. The pulling module is actuated by DC motor and rollers. High tension in the seed is removed by the rotate-elevate motion of rollers in the pulling module. A rubber belt is included in the rotate-elevate mechanism for increasing friction between rollers and silicon ingot.

• 충청수학회지
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• 제31권1호
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• pp.29-42
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• 2018

In this paper, we investigate the stability of two functional equations f(ax+by + cz) - abf(x + y) - bcf(y + z) - acf(x + z) + bcf(y) - a(a - b - c)f(x) - b(b - a)f(-y) - c(c - a - b)f(z) = 0, f(ax+by + cz) + abf(x - y) + bcf(y - z) + acf(x - z) - a(a + b + c)f(x) - b(a + b + c)f(y) - c(a + b + c)f(z) = 0 by applying the direct method in the sense of Hyers and Ulam.

• 대한미생물학회지
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• 제21권1호
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• pp.1-16
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• 1986

Fifty-one strains of Pseudomonas aeruginosa were isolated from various clinical specimens. Among them, 26 (51%) strains were gentamicin-resistant (Gm') and 25 (49%) were susceptible to gentamicin (Gm'). The frequencies of resistant strains to piperacillin (Pi), cefotaxime, moxalactam, cefoperazone (Cz), and amikacin (Ak) ranged from 21.6 to 31.4%, and $MIC_{50}$ of these drugs were lower than the critical concentrations of susceptibility and resistance. Thirty (58.8%) strains were multiply resistant to 12 or more drugs. All Gm' strains were multiply resistant to 12 or more drugs and one was resistant to all 18 drugs tested, while only four Gm' strains were multiply resistant to 12 drugs and the multiplicity of resistance of the other Gm' strains were less than 10 drugs. Resistance to Gm appeared to have a significant correlation with the resistance to tobramycin (Tb), Ak, Pi, and Cz. All Gm' strains were resistant to Tb and about 38.4 to 46.1% of them were resistant to Ak, Pi, and Cz. The incorporation of $Ca^{++}$ and $Mg^{++}$ ions in Mueller-Hinton agar (MHA) did not influence the MICs of Gm, Tb, carbenicillin (Cb), Pi, and Cz as compared with the results obtained in MHA without these ions. Gm strains were studied on the combined effect of beta-lactam antibiotics and aminoglycosides by the methods of checkerboard and modified paper strip diffusion. Most Gm' strains showed significant synergistic effects by the FIC index between Ak and three beta-lactam antibiotics; Cb, Pi, and Cz, but these results did not in agreement the results obtained through the method of modified paper strip diffusion test. In order to know the nature of the drug resistance of P. aernginosa, the plasmid profile analysis was studied. Agarose gel electrophoresis of lysates processed by the method of Kado and Liu showed one or more plasmids in 22 (43.1%) strains. A group of 19 strains showed at least one band of plasmid and three strains two bands. The range of the molecular weight of plasmids was 3.8 to 243 Mdal. All strains carrying large plasmids larger than 200 Mdal were isolated from wound specimens. Three Gm' strains also harboured the plasm ids of 13 to 203 Mdal.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권6호
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• pp.246-251
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• 2014

최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 특히 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우 높은 효율을 낼 수 있는 소재로써 고효율 태양전지연구에 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 단결정으로 Czochralski(Cz)-Si 성장 시 산소농도를 다르게 하여 산소석출결함의 변화와 그에 따른 셀효율과의 관계를 비교하였다. 산소불순물은 Cz법으로 성장시킨 실리콘의 주된 불순물이다. 산소불순물 존재 시 태양전지 공정에서 산소석출결함이 생성되며 발생된 산소석출결함은 셀효율에 악영향을 미치게 된다. 그러므로 고효율 태양전지를 위한 웨이퍼를 생산하기 위한 산소석출결함 밀도와 셀효율의 상관성을 연구하였다. 또한 산소농도에 따른 산소석출결함을 분석하여 산소석출결함이 발생되지 않는 잉곳 내 산소농도 범위를 연구하여 14.5 ppma 이하에서 Bulk Micro Defect(BMD)가 발생하지 않음을 확인하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권10호
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• pp.29-38
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• 1998

본 논문에서는 CZ 방법으로 성장된 실리콘에서 임의의 열처리 과정 또는 VLSI 공정중에 발생하는 산소석출물(oxygen precipitates)의 성장 및 감소에 대한 모델을 유도하고 수치해석법으로 시뮬레이션을 수행하여 모델에 대한 타당성을 검증하였다. 확산제한 성장법칙(diffusion-limited growth law)과 DBET(detailed balance equilibrium theory)를 이용하여 산소 석출물의 성장률과 감소율을 유도하고 이를 CREs(chemical rate equations)와 PFE (Fokker-Planck equation)이 결합된 식에 적용하여 수치해석법으로 풀었다. 또한 어닐링 분위기에 따라 표면에서 일어나는 현상을 달리 고려해야 하는데, 특히 O₂가스 분위기에서는 산화막이 성장되는 조건을 고려해야 하므로 산화막 성장 모델과 산소 용해도 증가등의 영향을 고려하였다. 이 방법으로 기존의 결과보다 더 정확하게 깊이에 따른 산소 농도의 분포와 산소 석출물의 밀도분포 함수를 계산할 수 있었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제29권2호
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• pp.110-117
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• 2022

The grain growth behavior in the (1-x)K_0.5Na_0.5NbO₃-xCaZrO₃ (KNNCZ-x) system is studied as a function of the amount of CZ and grain shape. The (1-x)K_0.5Na_0.5NbO₃-xCaZrO₃ (KNNCZ-x) powders are synthesized using a conventional solid-state reaction method. A single orthorhombic phase is observed at x = 0 - 0.03. However, rhombohedral and orthorhombic phases are observed at x = 0.05. The grain growth behavior changes from abnormal grain growth to the suppression of grain growth as the amount of CaZrO₃ (CZ) increases. With increasing CZ content, grains become more faceted, and the step-free energy increases. Therefore, the critical growth driving force increases. The grain size distribution broadens with increasing sintering time in KNNCZ-0.05. As a result, some large grains with a driving force larger than the critical driving force for growth exhibit abnormal grain growth behavior during sintering. Therefore, CZ changes the grain growth behavior and microstructure of KNN. Grain growth at the faceted interface of the KNNCZ system occurs via two-dimensional nucleation and growth.

• 한국결정성장학회지
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• 제1권1호
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• pp.74-81
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• 1991

Czochralski 단결정 성장계에서 유체동의 표면 복사열전달을 고려하여 온도분포를 모사하였다. 복사열전달 고려시 표면요소들의 view factor를 고려하였다. 고-액의 2상은 고상에 가상적으로 매우 큰 점성을 부여하여 연속의 단상으로 처리하였으며 응고시 잠열은 반복열량 방출법을 개발하여 처리하였다. 본 연구에서 개발한 응고 모델을 증명하기 위하여 Ca 금속의 용융에 적용하여 실험결과와 비교한 결과 잘 맞는다는 것을 알아낸 후 본 모사 프로그램을 Cz계에서 Al금속의 단결정 성장에 적용하였다.