• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권5호
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• pp.237-240
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• 2012

A conducting polymer, poly 3-hexylthiophene (P3HT) is characterized with the metal-insulator-semiconductor (MIS) measurement method and the high frequency planar circuit method. From the MIS measurement method, the relative dielectric constant of the P3HT film is estimated to be 4.4. For the high frequency planar circuit method, a coplanar waveguide is fabricated on the P3HT film. When applying +20 V to the CPW on P3HT film, the P3HT film is in accumulation mode and becomes lossy. The CPW on P3HT film is 1.5 dB lossier than the CPW on $SiO_2$ film without P3HT film at 50 GHz.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.581-584
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• 2002

In this work, a CPW resonator was designed and fabricated to investigate the basic microwave properties, such as effective dielectric constant, of BST thin films. Their properties were used as basic data to simulate and design CPW tunable bandpass filter. We also report on gold/$Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) ferroelectric thin film C-band tunable bandpass filters(BPFs) designed and fabricated on magnesium oxide substrates using CPW structure. The 2 pole filter was designed for a center frequency of 5.88 GHz with a bandwidth of 9 %. The BST based CPW filter offers a high sensitivity parameter as well as a low loss parameter. The tuning range for the bandpass filter with CPW structure was determined to be 170 MHz.

• ETRI Journal
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• 제26권4호
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• pp.315-320
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• 2004

This paper proposes a 10-${\mu}m$ thick oxide layer structure that can be used as a substrate for RF circuits. The structure has been fabricated using an anodic reaction and complex oxidation, which is a combined process of low-temperature thermal oxidation (500 $^{\circ}C$ for 1 hr at $H_2O/O_2$) and a rapid thermal oxidation (RTO) process (1050 ${\circ}C$, for 1 min). The electrical characteristics of the oxidized porous silicon layer (OPSL) were almost the same as those of standard thermal silicon dioxide. The leakage current density through the OPSL of 10 ${\mu}m$ was about 10 to 50 $nA/cm^2$ in the range of 0 to 50 V. The average value of the breakdown field was about 3.9 MV/cm. From the X-ray photo-electron spectroscopy (XPS) analysis, surface and internal oxide films of OPSL prepared by a complex process were confirmed to be completely oxidized. The role of the RTO process was also important for the densification of the porous silicon layer (PSL) oxidized at a lower temperature. The measured working frequency of the coplanar waveguide (CPW) type short stub on an OPSL prepared by the complex oxidation process was 27.5 GHz, and the return loss was 4.2 dB, similar to that of the CPW-type short stub on an OPSL prepared at a temperature of 1050 $^{\circ}C$ (1 hr at $H_2O/O_2$). Also, the measured working frequency of the CPW-type open stub on an OPSL prepared by the complex oxidation process was 30.5 GHz, and the return was 15 dB at midband, similar to that of the CPW-type open stub on an OPSL prepared at a temperature of $1050^{\circ}C$ (1 hr at $H_2O/O_2$).

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권6호
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• pp.11-19
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• 1997

For the circuit modeling of th ecoplanar waveguide (CPW) discontinuities, th eequivalent inductance is analyzed via the 3-dimensional boundary element method. The proposed method utilizes the magnetic scalar potential to obtain the magnetic flux passing sthrough the air-dielectric interfaces of the coplanar waveguide. The boundary integral is simplified by use fo the symmetry when the substrate is composed of the nonmagnetic material. In the numerical analysis, linear basis function and the collocationscheme are employed. The short-end and the step discontinuities are cahracterized through the calculations of the equivalent inductance andd the capacitance. The present method avoids the usual vector formulation and is quite advantageous in the quasi-staic characterization of the CPW disconditnuities.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.809-818
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• 2007

일반적으로 MIC(Microwave Integrated Circuit) 집적 회로의 경우, 조립 및 개별 측정 그리고 수리의 용이성을 위하여 기능별로 마이크로웨이브 회로가 장착된 캐리어를 이용하여 조립되게 되는데, 캐리어 모듈간의 연결시 마이크로스트립으로 구성된 회로를 와이어 본딩으로 직접 연결할 경우, 캐리어에 의한 깊이와 간격에 따라 주파수가 높아질수록 부정합에 의한 삽입 손실은 커지게 된다. 반면 CPW의 경우 전자계가 윗면에 주로 형성되어 있어 이를 통하여 연결할 경우 캐리어 깊이의 영향을 적게 받아 낮은 삽입 손실을 가져올 수 있다. 따라서 본 논문에서 MIC 캐리어 연결시 적용 가능한 저 손실을 갖는 CBFGCPW(Conductor Backed Finite Ground CPW)-microstrip 천이 구조를 제안하고 해석하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권6호
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• pp.1-10
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• 1997

By using the boundary element method, the cahracterization and the circuit modelling of the coplanar waveguide (CPW) discontinuities are performed bvia quasi-static approximation. The capacitive equivalent circuits are obtained by developing the 3-D boundary element method with collocation method. On the triangular patch, the numerical scheme employed the linear basis functions and the analytic solutions of the integrals on the singular points. The capacitive discontinuities of gaps, end-gaps, and open-ends are characterized and the results compared with the conductor backed coplanar waveguides.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권4호
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• pp.61-71
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• 1999

통신분야에서 사용주파수대역의 증가, 제품의 소형화 및 가격경쟁력등의 요구에 따라 RF 소자의 패키징 기술도 플라스틱 패키지 대신에 flip chip interconnection, MCM(multichip module)등과 같은 고밀도 실장기술이 발전해가고 있다. 따라서, 본 논문은 최근 수년간 보고된 응용사례를 중심으로 RF flip chip의 기술적인 개발방향과 장점들을 분석하였고, RF 소자 및 시스템의 개발단계에 따른 적합한 적용기술을 제시하였다. RF flip chip의 기술동향을 요약하면, 1) RF chip배선은 microstrip 대신에 CPW 구조을 선택하며, 2) wafer back-side grinding을 하지 않아서 제조공정이 단순하고 wafer 파손이 적어 제조비용을 낮출 수 있고, 3) wire bonding 패키징에 비해 전기적인 특성이 우수하고 고집적의 송수신 모듈개발에 적합하다는 것이다. 그러나, CPW 배선구조의 RF flip chip 특성에 대한 충분한 연구가 필요하며 RF flip chip의 초기 개발 단계에서 flip chip interconnection 방법으로는 Au stud bump bonding이 적합할 것으로 제안한다.

• 한국항행학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.180-190
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• 2003

실수축 상의 적분 방법에 의한 정확한 closed-form 그린함수를 이용하여 코플래너 도파로의 불연속에 대한 공간영역 full-wave 해석을 하였다. MPIE(Mixed Potential Integral Equation)를 풀기 위한 수치계산 방법으로는 삼각형 요소를 이용한 갤러킨 방법을 사용하였다. 경계면에서 삼각형 요소상의 기저함수로는 선형함수를 사용하였으며, 관측점과 전원점이 일치하는 특이점 근방의 적분 계산을 위해 면적분을 선적분 형태로 바꾸어 피적분 함수의 특이점이 사라지도록 하는 해석적인 방법을 사용하였다. 실수축 적분방법에 의한 그린함수를 이용함으로써 불연속에 대한 정확한 특성을 구하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제38권3호
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• pp.213-222
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• 2010

본 연구에서는 리그닌 전구물질 생합성에 관여하는 CCoAOMT (Caffeoyl-CoA-O-methyltransferase)유전자의 발현을 분자생물학적으로 억제시킨 상태와 정상적인 상태에서 생장한 현사시나무를 대상으로 홀로셀룰로 오스, 리그닌과 단당류 조성에 관한 정량 분석을 각각 실시하였다. 그리고 각각의 목질바이오매스로부터 MWL (milled wood lignin)을 추출하여 메톡실기정량, DFRC, Py-GC/MS, GPC, $^{13}C$ NMR 분석 등 리그닌의 화학 구조적 특성을 비교하였다. 정상재와 형질전환체의 홀로셀룰로오스 함량은 각각 81.6%와 82.3%로 큰 차이는 없었지만, 리그닌 함량은 각각 21.7%와 18.3%로 형질전환체가 약 3.4% 정도 낮았다. 정상재와 형질전환체의 구성 단당류 분석결과, 글루코오스는 각각 511.0 mg/g와 584.8 mg/g, 그리고 자일로오스는 각각 217.8 mg/g와 187.5 mg/g로 나타나 CCoAOMT 발현억제는 단당류 조성에 영향을 미치는 것으로 분석되었다. 각 시 료로부터 단리한 리그닌(MWL)의 메톡실기 정량에 따르면 CCoAOMT 발현을 억제한 시료에서 약 7% 정도의 메톡실기가 감소하는 것으로 나타났고, 이는 $^{13}C$-NMR 분석과 Py-GC/MS 분석을 통하여 확인할 수 있었다. 또한 Py-GC/MS 분석에 의하면 정상재와 형질전환체 리그닌의 G/S 비율이 각각 0.59와 0.44로 나타난점으로 미루어 CCoAOMT 발현 억제는 리그닌 생합성 과정에서 G unit 생합성보다 S unit 생합성에 더 많은 영향을 미치는 것으로 예측할 수 있다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제6권2호
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• pp.135-145
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• 2006

This paper presents the theory, design, fabrication and characterization of the novel low actuation voltage capacitive shunt RF-MEMS switch using a corrugated membrane with HRS MEMS packaging. Analytical analyses and experimental results have been carried out to derive algebraic expressions for the mechanical actuation mechanics of corrugated membrane for a low residual stress. It is shown that the residual stress of both types of corrugated and flat membranes can be modeled with the help of a mechanics theory. The residual stress in corrugated membranes is calculated using a geometrical model and is confirmed by finite element method(FEM) analysis and experimental results. The corrugated electrostatic actuated bridge is suspended over a concave structure of CPW, with sputtered nickel(Ni) as the structural material for the bridge and gold for CPW line, fabricated on high-resistivity silicon(HRS) substrate. The corrugated switch on concave structure requires lower actuation voltage than the flat switch on planar structure in various thickness bridges. The residual stress is very low by corrugating both ends of the bridge on concave structure. The residual stress of the bridge material and structure is critical to lower the actuation voltage. The Self-alignment HRS MEMS package of the RF-MEMS switch with a $15{\Omega}{\cdot}cm$ lightly-doped Si chip carrier also shows no parasitic leakage resonances and is verified as an effective packaging solution for the low cost and high performance coplanar MMICs.