ZnO is gathering great interest for large square optoelectrical devices of flat panel display (FHD) and solar cell as a transparent conductive oxide (TCO). Herewith, Mg and IIIA (Al, In) co-doped ZnO films were prepared on SLG substrate using RF magnetron sputtering system. The effect of variation of atomic weight % of Mg and ZnO have been investigated. The atomic weight % Al and In are of 3% and kept constant throughout. The numbers of samples were prepared according to their different contents, which are $M_{3%}AZO_{94%}$, $M_{4%}AZO_{93%}-(MAZO)$ and $M_{3%}IZO_{94%}$, $M_{4%}IZO_{93%}-(MIZO)$ respectively. A RF power of 225 W and working pressure of 6 m Torr was used for the deposition at $300^{\circ}C$. All of the two thin film show good uniformity in field emission scanning electron microscopy image. $M_{3%}AZO_{94%}$ thin film shows overall better performance among the all. The film shows the best lowest resistivity, carrier concentration, mobility and Sheet resistance and is found to be are of $8.16{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, $4.372{\times}10^{20}/cm^3$, $17.5cm^2/vs$ and $8.9{\Omega}/sq$ respectively. Also $M_{3%}AZO_{94%}$ thin film shows the relatively high optical band gap energy of 3.7 eV with high transmittance more than 80% in visible region required for the better solar cell performance.
We suggest new emitter formation method using solid-phase epitaxy (SPE); solid-phase epitaxy emitter (SEE). This method expect simplification and cost reduction of process compared with furnace process (POCl3 or BBr3). The solid-phase epitaxy emitter (SEE) deposited a-Si:H layer by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) on substrate (c-Si), then thin layer growth solid-phase epitaxy (SPE) using rapid thermal process (RTP). This is possible in various emitter profile formation through dopant gas ($PH_3$) control at deposited a-Si:H layer. We fabricated solar cell to apply solid-phase epitaxy emitter (SEE). Its performance have an effect on crystallinity of phase transition layer (a-Si to c-Si). We confirmed crystallinity of this with a-Si:H layer thickness and annealing temperature by using raman spectroscopy, spectroscopic ellipsometry and transmission electron microscope. The crystallinity is excellent as the thickness of a-Si layer is thin (~50 nm) and annealing temperature is high (<$900^{\circ}C$). We fabricated a 16.7% solid-phase epitaxy emitter (SEE) cell. We anticipate its performance improvement applying thin tunnel oxide (<2nm).
Different power output of solar cells can be observed at high-temperature regions such as desert areas. In this study, performance dependence on operating temperature of crystalline silicon solar cells with different emitter types was analyzed. Based on the light current-voltage (LIV) measurement, temperature coefficients of short-circuit current density ($J_{SC}$), open-circuit voltage ($V_{OC}$), fill factor (FF) and power conversion efficiency were measured and compared for two groups of crystalline silicon solar cells with different emitter types. One group had homogeneously doped (conventional) emitter and another selectively doped (selective) emitter. Varying the operating temperature from 25 to 40, 60, and $80^{\circ}C$, LIV characteristics of the cells were measured and the properties of saturation current densities ($J_0$) were extracted from dark current-voltage (DIV) curve. From the DIV data, effect of temperature on the performance of the solar cells with different electrical structures for the emitter was analyzed. Increasing the temperature, both emitter structures showed a slight increase in $J_{SC}$ and a rapid degradation of $V_{OC}$. FF and power conversion efficiency also decreased with the increasing temperature. The degrees of $J_{SC}$ increase and $V_{OC}$ degradation for two groups were compared and explained. Also, FF change was explained by series and shunt resistances from the LIV data. It was concluded that the degradation of solar cells shows different values at different temperatures depending on the emitter type of solar cells.
CIGS solar cell consisted of various films. In this research, we investigated electrode materials in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) cells, including Al-doped ZnO (ZnO:Al), intrinsic ZnO (i-ZnO), and Al films. The sputtered ZnO:Al film with a sputtering power at 200W showed the lowest series resistance and highest cell efficiency. The electrical resistivity of the 200-W sputtered ZnO:Al film was $5.2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ by the rapid thermal annealing at $200^{\circ}C$ for 1 min. The electrical resistivity of i-ZnO was not measurable due to its high resistance. But the optical transmittance was highest with less oxygen supply and high efficiency cell was achieved with $O_2/(Ar+O_2)$ ratio was 1% due to the increase of short-circuit current. No significant change in the cell performance by inserting a Ni layer between Al and ZnO:Al films was observed.
Polymer:nonfullerene solar cells with an inverted-type device structure were fabricated by employing the bulk heterojunction (BHJ) active layers, which are composed of poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophene-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))] (PBDB-T) and 3,9-bis(6-methyl-2-methylene-(3-(1,1-dicyanomethylene)-indanone))-5,5,11,11-tetrakis(4-hexylphenyl)-dithieno[2,3-d:2',3-d']-s-indaceno[1,2-b:5,6-b']dithiophene (IT-M). The BHJ layers were formed on a pre-patterned indium-tin oxide (ITO)-coated glass substrate by spin-coating using the blend solutions of PBDB-T and IT-M. The solar cell performances were investigated with respect to the cell position on the ITO-glass substrates. In addition, the short-term shelf lifetime of solar cells was tested by storing the PBDB-T:IT-M solar cells in a glovebox filled with inert gas. The results showed that the performance of solar cells was relatively higher for the cells close to the center of substrates, which was maintained even after storage for 24 h. In particular, the PCE of PBDB-T:IT-M solar cells was marginally decreased after storage for 24 h owing to the slightly reduced fill factor, even though the open circuit voltage was unchanged after 24 h.
Here we report the long-term stability of polymer:nonfullerene solar cells which were stored under dark and indoor light condition. The polymer:nonfullerene solar cells were fabricated using bulk heterojunction (BHJ) layers of poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl) thiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))] (PBDB-T) and 3,9-bis(6-methyl-2-methylene-(3-(1,1-dicyanomethylene)-indanone))-5,5,11,11-tetrakis(4-hexylphenyl)-dithieno[2,3-d:2',3-d']-s-indaceno[1,2-b:5,6-b']dithiophene (IT-M). To investigate their long-term stability, the PBDB-T:IT-M solar cells were stored in an argon-filled glove box. One set of the fabricated solar cells was completely covered with an aluminum foil to prevent any effect of light, whereas another set was exposed to indoor light. The solar cells were subjected to a regular performance measurement for 40 weeks. Results revealed that the PBDB-T:IT-M solar cells underwent a gradual decay in performance irrespective of the storage condition. However, the PBDB-T:IT-M solar cells stored under indoor light condition exhibited relatively lower power conversion efficiency (PCE) than those stored under the dark. The inferior stability of the solar cells under indoor light was explained by the noticeably changed optical absorption spectra and dark spot generation, indicative of degradations in the BHJ layers.
Awet Mana Amare;Inchan Hwang;Inyoung Jeong;Joo Hyung Park;Jin Gi An;Soomin Song;Young-Joo Eo;Ara Cho;Jun-Sik Cho;Seung Kyu Ahn;Jinsu Yoo;SeJin Ahn;Jihye Gwak;Hyun-wook Park;Jae Ho Yun;Kihwan Kim;Donghyeop Shin
Current Photovoltaic Research
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제11권1호
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pp.8-12
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2023
In this work, we investigated the thickness of Ag precursor layer to improve the performance of flexible CIGSe solar cells grown on stainless steel (STS) substrates through three-stage co-evaporation with Ga grading followed by alkali treatments. The small amount of incorporated Ag in CIGSe films showed enhancement in the grain size and device efficiency. With an optimal 6 nm-thick Ag layer, the best cell on the STS substrate yielded more than 16%, which is comparable to the soda-lime glass (SLG) substrate. Thus, the addition of controlled Ag combined with alkali post-deposition treatment (PDT) led to increased open-circuit voltage (VOC), accompanied by the increased built-in potential as confirmed by capacitance-voltage (C-V) measurements. It is related to a reduction of charge recombination at the depletion region. The results suggest that Ag alloying and alkali PDT are essential for producing highly efficient flexible CIGSe solar cells.
In this paper, a machine learning model by using a regression algorithm is proposed to estimate the power generation performance of the BIPV system. The physical model formula for estimating the generation performance and the proposed model were compared and analyzed. For the physical model formula, simple efficiency model, temperature correction model, and regressive physics model for changing an irradiance were used. As a result, when comparing the regressive physics model for changing an irradiance and the proposed model with the actual generation measured data, the respective RMSE values are 0.1497 kW, 0.0451 kW and the accuracy values are 86.44%, and 96.56%. Therefore, the proposed model implemented in this experiment can be useful in estimating power generation.
본 연구는 응급처치 교육프로그램이 간호대학생의 셀프리더십, 진로결정자기효능감 및 수행능력에 미치는 효과를 파악하고자 시도하였다. 연구방법은 비동등성 대조군 전후설계의 유사실험연구이며, 자료수집 기간은 2017년 6월 1일부터 8월 31일까지였다. 연구대상자는 D시 D대학 간호학과 학생 중 연구참여를 희망하고 동의한 실험군 27명과 대조군 25명으로 총 52명이었다. 대조군은 2017년 6월 1일 사전 설문조사 후 어떠한 처치도 없이 2주 후 사후 설문조사를 시행하였다. 실험군은 7월 25일 실험처치인 응급처치 교육 프로그램 시행 전에 사전 설문조사를 시행하였으며, 중재 후 8월 31일까지 사후 설문조사를 시행하였다. 실험군에게 제공된 응급처치 교육프로그램은 성인심폐소생술과 기도폐쇄, 화상, 출혈 및 골절에 대한 응급처치 교육내용 2시간 수강, 자율적인 동영상 시청, 강사로서 4시간 동안 초등학생 응급처치 교육수행 등으로 진행되었다. 자료분석방법은 SPSS/WIN 20.0 프로그램을 이용하여 기술통계, independent t-test, $x^2$ test 및 paired t-test로 분석하였다. 응급처치 교육프로그램 적용 전후 두 집단 간 차이를 분석한 결과 셀프리더십(t=2.08, p<.05), 진로결정자기효능감((t=4.22, p<.05), 및 수행능력(t=5.02, p<.05)은 통계적으로 유의한 차이가 나타났다. 즉, 본 연구에서 적용한 응급처치 교육프로그램은 간호대학생의 셀프리더십, 진로결정자기효능감 및 수행능력을 증가시키는데 효과적임을 알 수 있다.
We have examined the issues on the measurement of bifacial photovoltaic(PV) devices that should be considered in order to ensure a measurement accuracy beyond a certain level and the comparability between the bifacial PV devices. Based on the results of various experiments and previous studies, solutions for these measurement issues are suggested. The most significant technical issues in the performance measurement of the bifacial PV devices are 1) elimination of the effect due to the light reflection on the sample holder surface and 2) the measurement of the expected power generation gain in outdoor operation. The effect due to the light reflection on the sample holder surface can be eliminated by using an anti-reflective sample holder. In case of a reflective sample holder, if the bifacial device have a linear characteristic with respect to the irradiance of incident light, it has been confirmed (through some previous studies and additional experiment) that exact measurement results can be obtained by the correction of the measurement data. In addition, it was also confirmed that the expected power generation gain in the outdoor operation can be obtained by three different methods along with the basic concepts of the bifaciality coefficient, the albedo, and the effective front irradiance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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