• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권11호
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• pp.765-770
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• 2001

고온 급속 열처리시킨 LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조를 이용하여 MFIS 소자를 제작하고, 비휘발성 메모리 동작 가능성을 확인하였다. 고유전율 AIN 박막 위에 Pt 전극을 증착시켜 제작한 MIS 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성곡선에서는 히스테리시스가 전혀 없고 양호한 계면특성을 보였으며, 축적 영역으로부터 산출한 비유전율 값은 약 8 이었다. Pt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성의 축적영역에서 산출한 LiNbO₃ 박막의 비유전율 값은 약 23 이었으며, ±5 V의 바이어스 범위 내에서의 메모리 윈도우는 약 1.2 V이었다. 이 MFIS 구조에서의 게이트 누설전류밀도는 ±500 kV/cm의 전계 범위 내에서 10/sup -9/ A/㎠ 범위를 유지하였다. 500 kHz의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로특성은 10/sup 11/ cycle 까지 초기값을 거의 유지하는 우수한 특성을 보였다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.1-5
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• 2006

가연성 물질의 자연발화는 화재예방을 위한 중요한 인자가 된다. Gasoline과 Cenox의 최저발화온도는 시료량 $100{\mu}l$서 각각 $340.5^{\circ}C,\;368.5^{\circ}C$를 구하였다. 또한 순간발화온도는 발화되는 시간이 1.0 sec가 되는 온도인 $416^{\circ}C,\;427^{\circ}C$를 구하였다. 혼합물질에 대한 시료량과 최저발화온도는 Cenox 60 v/v% 이하 첨가시 최저발화온도의 변화는 적게 나타났으나, 80 v/v% 이상에서는 높게 나타났다. 따라서 가솔린 엔진의 연료로 사용시 Gasoline과 Cenox의 혼합비가 대단히 중요한 인자가 될 것으로 사료된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제10권2호통권19호
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• pp.156-160
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• 2006

Al2O3 층의 유무에 따른 Ge 나노입자가 형성된 MOS 구조의 캐패시터의 전압에 대한 캐패시턴스 (C-V)의 특성을 측정하였다. Al20O층이 형성된 MOS 캐패시터의 C-V 곡선은 전압의 변화에 대해 나타나는 반시계 방항의 히스테리시스 특성은 Si 기판과 Ge 나노입자 사이를 전자가 터널링하여 Ge 나노입자에 저장되었기 때문이다. Al2O3 층이 없는 MOS 캐패시터의 경우, 시계 방향의 히스테리시스 특성과 좌측으로 이동한 플랫-밴드 전압 값을 볼 수 있다. 이것은 SiO2 층에 존재하는 산소 결원 (oxygen vacancy) 으로 인한 전하 트랩이 이러한 특성을 나타냈다 할 수 있다. 또, 백색광이 C-V 특성에 미치는 영향에 대하여 논하였다.

• 대한한방내과학회지
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• 제15권2호
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• pp.148-162
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• 1994

A Literature study was done for identifying the effects of Bloodletting on C.V.A. The major results of the study were as follows. 1. The frequency of points of Bloodletting on C.V.A. were in order Twelve well point, Ship son, Gold SalivaJade Fluid, Paekoe, Chungchung, Sugu, Sosang, Taechu, Wijung, Kwanchung, etc. 2. The frequency of meridians of Bloodletting on C.V.A. were in order Extra-point, Tongmaek-kyong, Su-gworum-Shimpo-Kyong, Susoyang-Samcho-Kyong, Sutaeum-Pye-Kyong, Choktaeyang-Panggwang-Kyong. ete. 3. The frequency of the site of points of Bloodletting on C.V.A. were in order four extremities, face, neck and head, etc. 4. The effects of Bloodletting on C.V.A. is clear away heat and alleviate pain, therapy for waking up a patient from unconsciousness, dredge the meridian passage, expel wind-evil and promote blood circulation, emergency treatment for collapse, etc, 5. The effects of Bloodletting on the early stage of C.V.A. were wake up the patient from unconsciousness by clearing away the heat and The effects of Bloodletting on sequence of C.V.A. were dredge the meridian passage, 6. The frequency of points and meridians of Bloodletting on Hemiplegia were in order Twelve well point, Kyonjong, Extra-point, Chok soyang-Tam-Kyong, etc. 7. The frequency of points and meridians of Bloodletting on Aphasia were in order Gold Saliva Jade Fluid, Amun, Extra-point, Tongmaek-Kyong, etc. 8. The frequency of points and meridians of Bloodletting on Quadriplegia were in order Ship son, Twelve well point, Koktaek, Wijung, Extra-point, Chok soyang-Tam-Kyong, etc. 9, The frequency of points and meridians of Bloodletting on Vertigo were in order Four Gods Cleverness, Tuyu. Chanjuk, Paekoe, Taeyang, Extra-point, Yang-Kyong, etc. 10. The frequency of points and meridians of Bloodletting on Headache were in order Taeyang, Paekoe, Taechu, Extra-point, Tongmaek-Kyong, Yang-Kyong, etc. 11. The points and meridians of Bloodletting on Bells palsy were Chichang, Hyopko in Yangmyong-Kyong.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권9호
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• pp.62-71
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• 2002

본 논문에서는 용량형 압력센서의 비선형성 문제를 해결하기 위한 적분형 C-V 변환기를 제안하였다. 이 변환기는 스위치 커패시터 적분기와 스위치 커패시터 차동증폭기로 구성되어 있으며 인가된 압력에 반비례하는 센서용량을 전압으로 변환하여 선형적으로 출력한다. 제안된 적분형 C-V 변환기는 PSPICE 시뮬레이션에서 초기 전극간격의 90%에 해당하는 큰 변위에 대해서 0.01%/FS 이하의 매우 낮은 비선형도와 오프셋 용량 및 기생용량에 둔감한 우수한 특성을 보였다. 또한 센서신호처리의 필수기능인 오프셋 보정 및 이득조정이 적분형 C-V 변환기에서 용이하게 구현됨을 보였다.

• 한국조경학회지
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• 제40권3호
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• pp.91-98
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• 2012

본 연구는 저토심 무관리형 옥상녹화시스템을 위한 토양배합이 세덤류 생육에 미치는 영향을 연구하여 생육 적정성 토양배합을 파악하고자 하였다. 식생모듈박스를 이용하여 토심 7cm, 5종 토양배합비가 있어 2010년 12월부터 5층 옥상에서 실시하였다. 식물의 생육현황은 P5C7P2V1이 가장 우수한 것으로 나타났으며, 다음으로 P10C7P2V1과 P1P1V1, P1과 C1의 생육이 가장 저조한 것으로 나타났다. 실험 경과, P5C7P2V1의 토양배합비에서 효과가 가장 양호하게 나타나, 도시내 대면적 녹화에 기여할 수 있는 토양배합비로 판단된다.

• 전력전자학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.534-542
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• 2003

현재 차량에 사용되는 전동기는 대부분 직류전동기로, 12V또는 24V 밧데리 전원으로 구동되는 엔진 냉각 팬, 오일 펌프 및 공조시스템 등에 적용되고 있다 그러나 직류전동기의 경우 효율, 수명, 내구성에 취약한 단점을 지니고 있다. 따라서, 자동차용 전동기로써 구조가 간단하고 내구성이 우수한 SRM(Switched Reluctance Motor)의 관심이 매우 높아지고 있다. SRM을 차량용으로 사용하기 위해서는 고성능 제어와 12V 전윈 구동에 모두 우수한 성능을 갖는 구동 컨버터의 선정이 매우 중요하다. 여러 종류의 구동 컨버터는 각각의 장단점을 갖고 있어, 차량에 적용시 여러 가지 제약 조건이 따른다. 일반적으로 많이 사용되고 있는 비대칭 컨버터는 제어성능이 우수하지만, 각 상당 스위치가 가장 많이 필요하고, 상당 2개의 스위치에 의한 전압강하가 발생하는 단점을 지니고 있어, 차량의 12V 전원에는 부적절하다 구조가 간단하고, 스위치 수가 적은 컨버터로 차량의 환경과 여러 요구조건을 충족시킬 수 있는 컨버터로써 Modified C-dump 컨버터와 Energy efficient C-dump 컨버터를 선정하였다. 제안된 두 컨버터를 시뮬레이션과 실험을 통해 비교 검토하여, 차량용 SRM 구동 컨버터로써 Energy efficient C-dump 컨버터의 우수한 제어성능을 증명하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1991년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.73-74
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• 1991

The films with ferromagnetic fine particles dispersed in nonmagnetic matrix, such as $Fe-Al_2O_3$ and Fe-Cu have been studied for use of magnetic recording medium, optically device and sensor. Their magnetic properties depend strongly on structural parameter such as size and volume fraction of ferromagnetic particles. Fe-Cr-Ni alloy sputtered films also have microstructure with ferromagnetic -- b.c.c phase and nonmagnetic f.c.c phase grains. Magnetic properties of these films depend strongly on such a unique structure. These are depend on the ratio in volume of ferromagnetic particles to nonmagnetic ones $V_F/V_N$, the saturation magnetization Ms increased with increase of $V_F/V_N$. The coercivity Hc of the as-deposited films took maximum value of about 200 Oe at adequate $V_F/V_N$ and then Ms and Squareness S were 500 emu/cc and 0.5, respectively.(omitted)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.298-298
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• 2012

본 연구에서는 Bias Temperature Stress (BTS) 측정을 통한 다층세라믹커패시터(Multi-Layer Ceramic Capacitor, MLCC) 소자 분석에 대한 연구를 진행하였다. BTS 분석은 소자 내부에 존재하는 Na+, K+ 등의 mobile charge 검출을 위한 방법으로 positive bias와 negative bias stress에 따른 C-V 특성 곡선으로부터 mobile charge의 정량적 해석이 가능하다. 실험 결과 positive bias stress 후의 C-V 특성 곡선이 stress 전 C-V 특성 곡선과 비교해 negative bias 영역으로 0.0376 V 만큼 shift 하였다. 또한 수식(QM = $Cox{\cdot}{\triangle}V$)으로부터 $1.7{\times}1,011$개의 mobile charge가 존재함을 확인하였다. 본 연구는 MLCC 소자 내의 금속 오염물 존재 여부에 따른 소자의 전기적 특성 변화 분석을 위해 진행되었으며, BTS 분석은 반도체 소자 뿐 아니라 본 연구에서와 같이 커패시터 소자의 결함 여부 판단에도 이용 가능함을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권5호
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• pp.293-296
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• 2016

Using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements, the electrical properties of Cu/n-InP Schottky diodes were investigated. The values of C and G/ω were found to decrease with increasing frequency. The presence of interface states might cause excess capacitance, leading to frequency dispersion. The negative capacitance was observed under a forward bias voltage, which may be due to contact injection, interface states or minority-carrier injection. The barrier heights from C-V measurements were found to depend on the frequency. In particular, the barrier height at 200 kHz was found to be 0.65 eV, which was similar to the flat band barrier height of 0.66 eV.