• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.58-59
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• 2011

본 논문은 전류에 따른 NiMH 배터리의 성능 변화를 충 방전 실험을 통하여 비교 분석하였다. 따라서 실험을 통하여 NiMH 배터리의 데이터시트에 있는 충 방전 특성곡선과 실제 실험을 통한 충 방전 특성곡선을 비교 분석한다. 또한 충 방전 전류의 크기에 따라 변하는 특성곡선의 차이를 비교 분석한다. 전류 변화에 의한 배터리 분석을 위해 0.2C, 0.5C, 1C, 2C 정전류 충 방전 실험과 동일한 C-rate로 펄스전류로 충 방전 실험을 하였다. 실험을 통해서 얻은 데이터로 1차 Randles 등가회로를 통해 C-rate변화와 잔존용량 변화에 의한 파라미터 분석과 잔존용량-개로전압 곡선에서의 충 방전 히스테리시스를 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.327.2-327.2
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• 2014

CIGS박막 태양전지의 온도에 의한 효율과 전기적 특성 변화를 알아보기 위해 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 100시간을 노출시킨 후 전기적인 특성들을 측정하여 초기 값들과 비교하였다. 태양전지의 온도 스트레스에 의한 특성 및 파라미터들의 변화들을 확인하기 위해 Light I-V와 Minority Carrier의 Lifetime을 측정하여 비교 분석하였다. 실험에 사용한 소자의 초기 파라미터들은 $25^{\circ}C$에서 측정하였고, 단락전류 11mA, 개방전압 0.64V, 곡선인자 60.49%, Lifetime 10.7s 효율 9.17%이다. 각 온도별 노출에 대해 CIGS박막 태양전지의 효율은 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$에서는 초기 값과 비슷하였고, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 초기 값 대비 54%, 84% 감소 특성을 보였다. 단락전류는 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$에서는 크게 변화하는 모습이 나타나지 않았고 $200^{\circ}C$에서 63% 감소하였다. 개방전압, 곡선인자, Lifetime은 효율과 마찬가지로 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 감소하는 모습이 나타났다. $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 개방전압이 9.3%, 18.7%, 곡선인자는 45.8%, 56.3%정도 감소하였다. Lifetime은 64.4%, 80.1%정도 감소하였다. 이 실험을 통해 개방전압과 곡선인자, Minority Carrier의 Lifetime이 일정 온도부터 온도의 영향을 받아 감소하고, 그 영향으로 효율이 감소하게 되는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.224.1-224.1
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• 2013

CIGS박막 태양전지의 온도에 의한 효율변화를 알아보기 위해 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간을 노출시킨 후 전기적인 특성들을 측정하여 초기 값들과 비교해 보았다. 태양전지의 온도 스트레스에 의한 특성 및 파라미터들의 변화들을 확인하기 위해 Light I-V를 측정하여 비교 분석하였다. 실험에 사용한 소자의 초기 파라미터들은 $25^{\circ}C$에서 측정하였고, 개방전압 0.66V, 곡선인자 67.99%, 효율 10.49%이다. 각 온도별 노출에 대해 CIGS박막 태양전지의 효율은 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$에서는 초기 값과 비슷하였고, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 초기 값 대비 22.8%, 57.5% 감소 특성을 보였다. 단락전류는 온도별 노출에 대해서 크게 변화하는 모습이 나타나지 않았고, 개방전압과 곡선인자는 효율과 마찬가지로 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 감소하는 모습이 나타났다. $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 개방전압이 3.4%, 8.3%, 곡선인자는 19.9%, 53.7%정도 감소하였다. 이 실험을 통해 개방전압과 곡선인자가 일정 온도부터 온도의 영향을 받아 감소하고, 그 영향으로 효율이 감소하게 되는 것을 확인하였다.

• Journal of Internet of Things and Convergence
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• v.6 no.2
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• pp.25-29
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• 2020

The elliptic curve crypto-algorithm is widely used in authentication for IoT environment, since it has small key size and low communication overhead compare to the RSA public key algorithm. If the scalar multiplication, a core operation of the elliptic curve crypto-algorithm, is not implemented securely, attackers can find the secret key to use simple power analysis or differential power analysis. In this paper, an elliptic curve scalar multiplication algorithm using a randomized scalar and an elliptic curve point blinding is suggested. It is resistant to power analysis but does not significantly reduce efficiency. Given a random r and an elliptic curve random point R, the elliptic scalar multiplication kP = u(P+R)-vR is calculated by using the regular variant Shamir's double ladder algorithm, where l+20-bit u≡rn+k(modn) and v≡rn-k(modn) using 2^lP=∓cP for the case of the order n=2^l±c.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.10
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• pp.1-6
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• 2010

In this paper, RF Capacitance-Voltage(C-V) curve of short-channel MOSFET has been extracted from the room temperature to $225^{\circ}C$ using a RF method based on measured S-parameter data, and its high-temperature dependent characteristics are empirically modeled. It is observed that the voltage shift according to the variation of temperature in the weak inversion region of RF C-V curves is lower than the threshold voltage shift, but it is confirmed that this phenomenon is unexplainable with a long-channel theoretical C-V equation. The new empirical equation is developed for high-temperature dependent modeling of short-channel MOSFET C-V curves. The accuracy of this equation is demonstrated by observing good agreements between the modeled and measured C-V data in the wide range of temperature. It is also confirmed that the channel capacitance decreases with increasing temperature at high gate voltage.

• Journal of the Korea Computer Graphics Society
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• v.7 no.3
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• pp.1-7
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• 2001

We present an efficient and robust algorithm to parametrize a perspective silhouette curve of a canal surface. We also detect each connected component of the silhouette. A canal surface is an envelope surface of a moving sphere with varying radii, which is defined by the center trajectory C(t) and radius function r(t) of the moving sphere. A canal surface can be decomposed to a set of characteristic circles. We derive the equations for the silhouette points on each characteristic circle, then parameterize the silhouette curve by using the equation. The sphere $S(t_*)$ with center point $C(t_*)$ and radius $r(t_*)$ intersects with the canal surface at a characteristic circle $K(t_*)$. The perspective silhouette of the sphere $S(t_*)$ from given view point consists of a circle $Q(t_*)$. By finding the values of t at which K(t) and Q(t) tangentially intersect, we detect each connected component of the silhouette curve.

• The KIPS Transactions:PartC
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• v.15C no.2
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• pp.133-140
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• 2008

In this paper, we propose a high performance elliptic curve cryptographic processor over $GF(2^{163})$. The proposed architecture is based on a modified Lopez-Dahab elliptic curve point multiplication algorithm and uses Gaussian normal basis for $GF(2^{163})$ field arithmetic. To achieve a high throughput rates, we design two new word-level arithmetic units over $GF(2^{163})$ and derive a parallelized elliptic curve point doubling and point addition algorithm with uniform addressing based on the Lopez-Dahab method. We implement our design using Xilinx XC4VLX80 FPGA device which uses 24,263 slices and has a maximum frequency of 143MHz. Our design is roughly 4.8 times faster with 2 times increased hardware complexity compared with the previous hardware implementation proposed by Shu. et. al. Therefore, the proposed elliptic curve cryptographic processor is well suited to elliptic curve cryptosystems requiring high throughput rates such as network processors and web servers.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2010.04a
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• pp.360-365
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• 2010

현장에서 내화피복재(내화뿜칠재)의 품질을 확인할 수 있는 간편한 품질방법이 부재하여 열 중량-적외선 분석 장치를 이용하여 내화피복재의 일치성 분석을 시도하였다. 국내의 9종 인정 내화뿜칠재에 대한 열 분해 곡선을 확인 하고, 이때 특정 성분을 측정하였다. 국내 시판 9종의 내화뿜칠재는 $400^{\circ}C$이내에서 무게변화가 15% 정도 감소하다가 $400^{\circ}C$부터 $1200^{\circ}C$까지 무게 변화가 거의 없이 유지되는 특성을 보였다. 이때 초기 열분석으로부터 발생되는 가스에 대한 적외선 스펙트럼의 분석결과로 O-H band 및 $CO_2$가 확인되었다. 하지만 내화성능이 없는 흡음뿜칠재의 경우에는 $400^{\circ}C$부터 $1200^{\circ}C$사이에 무게 중량이 급격하게 변화되는 것을 확인 할 수 있었다. 열중량-적외선 분석 장치를 이용하여 두 재료의 열분해곡선 및 적외선스펙트럼 변화를 측정하였으며, 이 분해 곡선을 통계처리 방식인 PCA (Principal components analysis)통계처리를 통해서 내화뿜칠재의 진위 구분이 가능함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2021.05a
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• pp.63-65
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• 2021

This paper describes an integrated H/W-S/W implementation of elliptic curve digital signature algorithm (EC-DSA) using a security system-on-chip (SoC). The security SoC uses the Cortex-A53 APU as CPU, and the hardware IPs of high-performance elliptic curve cryptography (HP-ECC) core and SHA3 (secure hash algorithm 3) hash function core are interfaced via AXI4-Lite bus protocol. The signature generation and verification processes of EC-DSA were verified by the implementation of the security SoC on a Zynq UltraScale+ MPSoC device.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.24 no.11
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• pp.1470-1476
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• 2020

This paper describes a design of a lightweight security system-on-chip (SoC) suitable for the implementation of security protocols for IoT and mobile devices. The security SoC using Cortex-M0 as a CPU integrates hardware crypto engines including an elliptic curve cryptography (ECC) core, a SHA3 hash core, an ARIA-AES block cipher core and a true random number generator (TRNG) core. The ECC core was designed to support twenty elliptic curves over both prime field and binary field defined in the SEC2, and was based on a word-based Montgomery multiplier in which the partial product generations/additions and modular reductions are processed in a sub-pipelining manner. The H/W-S/W co-operation for elliptic curve digital signature algorithm (EC-DSA) protocol was demonstrated by implementing the security SoC on a Cyclone-5 FPGA device. The security SoC, synthesized with a 65-nm CMOS cell library, occupies 193,312 gate equivalents (GEs) and 84 kbytes of RAM.