대시야 백색광간섭계(WSI ; White Light Scanning Interferometer)를 이용하여, Flip Chip Bump 검사 공정에 적용하는 것을 목적으로 한 인라인 형태의 플립칩 범프 3차원 검사 장치를 개발한다. 여러 서브스트레이트에 있는 플립칩 범프 높이 측정 결과와 이에 의한 동일한 여러 범프에 대한 반복성 측정 실험 결과를 제시한다. 테스트 벤치에서의 실험 결과와 개발된 플립칩 범프 3차원 검사 장치에서의 실험 결과를 비교하였으며 진동의 영향이 감소되어 개선된 반복성 실험 결과를 얻을 수 있었다. 플립칩 범프 3차원 검사 장치의 검사성능을 평가할 수 있는 기준을 제시한다.
Air foil bearing supports the rotating journal using hydrodynamic force generated at thin air film. The bearing performances, stiffness, damping coefficient and load capacity, depend on the rotating speed and the performance of the elastic foundation, bump foil. The main focus of this study is to decide the dynamic performance of corrugated bump foil, structural stiffness and Coulomb damping caused by friction between bump foil and top foil/bump foil and housing. Structural stiffness is determined by the bump shape (bump height, pitch and bump thickness), dry-friction, and interacting force filed up to fixed end. So, the change of the characteristics was considered as the parameters change. The air foil bearing specification for analysis follows the general size; diameter 38.1 mm and length 38.1 mm (L/D=1.0). The results show that the stiffness at the fixed end is more than the stiffness at the free end, Coulomb damping is more at the fixed end due to the small displacement, and two dynamic characteristics are dependent on each other.
Air foil bearing supports the rotating journal using hydrodynamic force generated at thin air film. The bearing performance, stiffness, damping coefficient and load capacity, depends on the rotating speed and the performance of the elastic foundation, bump foil. The main focus of this study is to decide the dynamic performance of corrugated bump foil, structural stiffness and Coulomb damping caused by friction between bump foil and top foil/bump foil and housing. Structural stiffness is determined by the bump shape (bump height, pitch and bump thickness), dry-friction, and interacting force filed up to fixed end. So, the change of the characteristics was considered as the parameters change. The air foil bearing specification for analysis follows the general size; diameter 38.1 mm and length 38.1mm (L/D=1.0). The results show that the stiffness at the fixed end is more than the stiffness at the free end, Coulomb damping is more at the fixed end due to the small displacement, and two dynamic characteristics are dependent on each other.
The current study investigates the electroplating characteristics of Sn-Cu eutectic micro-bumps electroplated on a Si chip for flip chip application. Under bump metallization (UBM) layers consisting of Cr, Cu, Ni and Au sequentially from bottom to top with the aim of achieving Sn-Cu bumps $10\times10\times6$${\mu}m$ in size, with 20${\mu}m$ pitch. In order to determine optimal plating parameters, the polarization curve, current density and plating time were analyzed. Experimental results showed the equilibrium potential from the Sn-Cu polarization curve is -0.465 V, which is attained when Sn-Cu electro-deposition occurred. The thickness of the electroplated bumps increased with rising current density and plating time up to 20 mA/$cm^2$ and 30 min respectively. The near eutectic composition of the Sn-0.72wt%Cu bump was obtained by plating at 10 mA/$cm^2$ for 20 min, and the bump size at these conditions was $10\times10\times6$${\mu}m$. The shear strength of the eutectic Sn-Cu bump was 9.0 gf when the shearing tip height was 50% of the bump height.
본 연구에서는 shaded spodizer가 광학 디스크 시스템의 재생신호에 미치는 영향을 조사하기 위하여 동의 중앙에서 가장자리로 갈수록 진폭이 단조 감소하는 shaded spodizer와 진폭이 단조 증가하는 shaded spodizer를 스칼라 회절 이론을 사용하여 고려하였다. 또한 bump 형태 변화에 따른 재생 신호의 변화를 조사하기 위하여, 원통형, 준원추형, 그리고 원추형 bump를 고려하였으며, 이때 bump의 높이는 $\lambda/4$로서, 위상 높이가 $\pi$가 되도록 하였다. 동의 중앙에서 가장 자리로 갈수록 진폭이 단조 감소하는 shaded spodizer의 경우에는 bump 반경이 증가함에 따라 재생 신호가 증가하여 극대값을 가진 후 감소하는 경향이 나타났으며, 진폭이 단조 증가하는 shaded spodizer의 경우에는 bump 반경이 작은 영역과 큰 영역에서 극대값을 갖는 특성을 나타냈다. 도한 구면수차를 0.5λ 포함하는 광학 디스크 시스템의 경우 진폭이 단조 감소하는 shaded spodizer의 최대 재생 신호가 spodizer를 사용하지 않은 경우의 최대 재생 신호보다 크게 나타났다.
Sn-Cu계 솔더 범프에서 무전해도금법을 이용한 범프 형성에 대한 연구를 하였다. $20{\mu}m$ via에 전기도금법으로 구리를 채운 웨이퍼 위에 ball형태의 범프를 형성하기 위하여 구리와 주석을 도금하여 약 $10{\mu}m$높이의 범프를 형성하였다. 구리 범프 형성 시 via위에 선택적으로 도금하기 위하여 활성화 처리 후 산세처리를 실시하고 무전해 도금액에 안정제를 첨가하였다. 무전해도금법을 이용하여 주석 범프 형성 시 도금층이 구리 범프에 비해 표면의 균일도가 벌어지는 것으로 관찰되었지만 reflow공정을 실시한 후 ball 형태의 균일한 Sn-Cu 범프를 형성하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권5호
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pp.225-228
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2005
In this work, we studied the optimized copper thickness in Cu ECP (Electrochemical Plating). In order to select an optimized Cu ECP thickness, we examined Cu ECP bulge (bump, hump or over-plating amount), Cu CMP dishing and electrical properties of via hole and line trench over dual damascene patterned wafers split into different ECP Cu thickness. In the aspect of bump and dishing, the bulge increased according as target plating thickness decreased. Dishing of edge was larger than center of wafer. Also in case of electrical property, metal line resistance distribution became broad gradually according as Cu ECP thickness decreased. In conclusion, at least $20\%$ reduced Cu ECP thickness from current baseline; $0.8\;{\mu}m$ and $1.0\;{\mu}m$ are suitable to be adopted as newly optimized Cu ECP thickness for local and intermediate layer.
The further development of information, communication and digital media technologies requires the use of advanced, miniaturized semiconductor chips that operate at a high frequency. Die bonding and wire bonding methods for semiconductor packaging have been replaced by direct attachment to the substrate after forming a bump on the chip. However, the height of the bump or ball is an important factor for defects during assembly. This paper proposes an algorithm to measure the height of the bumps or balls in semiconductor packaging with greater accuracy. The performance of the proposed algorithm is experimentally validated. Non-contact 3D measurements of a shiny round ball is quite difficult, and it is not easy to obtain accurate data. This paper thus proposes an optical method and technique to improve the measurement accuracy.
본 연구에서는 유연한 접속부를 갖는 유연전자 패키지 플립칩 접속을 위해 폴리머 탄성범프를 제작하였으며, 범프의 온도 및 하중에 따른 폴리머 탄성 범프의 점탄성 및 점소성 거동을 해석 및 실험적으로 분석하고 비교 평가하였다. 폴리머 탄성 범프는 하중에 의한 변형이 용이하여 범프 높이 평탄도 오차의 보정이 용이할 뿐만 아니라 소자가 형성된 칩에 가해지는 응력 집중이 감소하는 것을 확인하였다. 폴리머 탄성 범프의 과도한 변형에 따른 Au Metal Cap Crack 현상을 보완하여 $200{\mu}m$ 직경의 Spiral Cap Type, Spoke Cap type 폴리머 탄성 범프 형성 기술을 개발하였다. 제안된 Spoke Cap, Spiral Cap 폴리머 탄성 범프는 폴리머 범프 전체를 금속 배선이 덮고 있는 Metal Cap 범프에 비해 범프 변형에 의한 응력 발생이 적음을 확인할 수 있으며 이는 폴리머 범프 위의 금속 배선이 부분적으로 패터닝되어 있어 쉽게 변형될 수 있는 구조이므로 응력이 완화되는데 기인하는 것으로 판단된다. Spoke cap type 범프는 패드 접촉부와 전기적 접속을 하는 금속 배선 면적이 Spiral Cap type 범프에 비해 넓어 접촉 저항을 유지하면서 동시에 금속 배선에 응력 집중이 가장 낮은 결과를 확인하였다.
The plating shape in the opening of photoresist becomes gradated shape in the fountain plating system, because bubbles from the wafer surface are difficult to escape from the deep openings, vias. In this paper, the bubble flow from the wafer surface during plating process was studied and we designed the tilted electrode ring to get uniform bump height on all over the wafer and evaluated the film uniformity by SEM and $\alpha-step$. In a-step measurement, film uniformities in the fountain plating system and the tilted electrode ring contact system were $\pm16.6\%,\;\pm4\%$ respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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