본 연구에서는 패턴화된 사파이어 기판 위에 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy System) 법에 의해 50 nm 두께의 AlN thin film을 증착한 뒤, 에피층 구조가 MO CVD에서 성장되었다. AlN 버퍼층 박막의 표면형상이 SEM, AFM에 의해서, 에피층 구조의 GaN 박막의 결정성은 X-선 rocking curve에 의해 분석되었다. 패턴화된 사파이어 기판 위에 증착된 GaN 박막은, 사파이어 기판 위에 증착된 GaN 박막의 경우보다 XRD 피크 세기가 다소 높은 결과를 나타냈다. AFM 표면 형상에서 사파이어 기판 위에 AlN 박막이 증착된 경우, GaN 에피층 박막의 p-side 쪽의 v-pit 밀도가 상대적으로 낮았으며, 결함밀도가 낮게 관찰되었다. 또한, AlN 버퍼층이 증착된 에피층 구조는 AlN 박막이 없는 에피층의 광출력에 비해 높은 값을 나타냈다.
The prepared dextran sulfates were characterized by measuring the reduced viscosisty at five different concentrations to obtain an intrinsic viscosity in both phosphate and tris buffers, pH 7.4, ionic strength of 0.1 Dextran sulfates having 0.81, 1.06 sulfate groups per hexose unit have reduced viscosity value below 40 ml/g whereas dextran sulfates having 1.21, 1.43, 1.69 sulfate groups per hexose unit have reduced viscosity value over 40 ml/g. Dextran sulfate having 1.21 sulfate groups per hexose unit had highest value of reduced viscosity. The reduced viscosity of dextran sulfate in tris buffer was always higher than that in phosphate buffer regardless of the sulfate content of dextran sulfate. The influence of the sulfation of the dextran sulfate. The influence of the sulfation of the dextran sulfate molecule on the dextran sulfate-LDL interaction was studied with three different dextran sulfate molecules. Dextran sulfate molecules having more than one sulfate group per hexose unit. The dextran sulfate having 0.81 sulfate groups per hexose unit showed considerably different precipitation curves in phosphate and tris buffers. This peculiar behavior of dextran sulfate having 0.81 sulfate groups per hexose unit in the two buffer systems was not noticed with dextran sulfate having more than one noticed with dextran sulfate having more than one sulfate group per hexose unit.
Aluminum nitride (AIN) thin films were deposited on a polycrystalline 3C-SiC intermediate layer by a pulsed reactive magnetron sputtering system. Characteristics of the AIN/SiC heterostructures were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The columnar structure of AIN thin films was observed by FE-SEM. The surface roughness of AlN films on the 3C-SiC buffer layer was measured using AFM. The XRD pattern of AlN films on SiC buffer layers was highly oriented at (002). Full width at half maximum (FWHM) of the rocking curve near (002) reflections was $1.3^{\circ}$. The infrared absorbance spectrum indicated that the residual stress of AIN thin films grown on SiC buffer layers was nearly negligible. The 3C-SiC intermediate layers are promising for the realization of nitride based electronic and mechanical devices.
원자력발전소를 운영하게 되면 사용후핵연료와 같은 고준위방사성폐기물이 필연적으로 발생한다. 이러한 고준위방사성폐기물을 처분하기 위해 심층처분방식이 가장 적합한 대안으로 알려져 있으며 고준위방사성폐기물은 공학적방벽과 천연방벽에 둘러 쌓여 지하 500~1,000 m 깊이의 심지층에 처분된다. 이 중 압축 벤토나이트 완충재는 공학적방벽의 가장 중요한 구성요소이다. 완충재는 처분용기와 자연 암반 사이에 위치해 있기에 주변 지하수 흐름으로부터 처분용기를 보호하고 처분 용기로부터 핵종이 유출되는 것을 저지하는 역할을 한다. 주변 지하수 흐름으로 인한 완충재의 불포화 함수특성 규명은 전체 공학적방벽의 성능을 평가하는데 있어 매우 중요하다고 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 실내 시험을 수행하여 국내 압축 벤토나이트 완충재의 건조밀도, 구속조건 여부, 그리고 건조 및 포화 이력에 따른 압축 벤토나이트 완충재의 함수특성곡선을 도출하여 분석하였다. 구속 조건하에서 건조밀도에 따른 함수특성곡선은 큰 차이를 보이지 않았다. 또한 비구속 조건이 구속 조건에 비해 보다 큰 수분흡입력을 나타냈으며, 아울러 포화 과정보다 건조 과정에서 보다 큰 수분흡인력이 측정되었다.
We measured the optogalvanic signal and discharge voltage-current(V-I) curve under the two different discharge conditions with different buffer gases, Ar, and Ne. When the Gd was used as a cathode material at low discharge current less than 10mA, a significant change was observed in the current-voltage curve. Time resolved optogalvanic signal measurement were measured by the diode laser of which wavelengths correspond to metastable transition line of these gases (Ar, Ne). From these measurements, we found that the characteristics of the V-I curve strongly depend on the Penning ionization process.
본 연구의 목적은 서부지역 비무장지대(DMZ) 및 주변지역인 민통지역의 생태적 보전가치를 파악해 보며, 적정한 생태보전권역을 조사해보는데 있다. 군사분계선을 중심으로 남북 각각 10km 지역에 대해 500m 폭원의 지역에 대하여 변환식생지수(transformed vegetation index: TVI)를 이용하여 평균 식생활력도 값을 계산한 후, 거리에 따른 식생활력도 변화 양상을 파악해보았다. 또한 이렇게 분석된 결과가 로지스틱 곡선을 그릴 것으로 가정하고, 이를 이용하여 식생지수-거리함수식을 유도하여 식생활력도의 변화지역인 전이지대(ecotone)의 폭원을 분석하였으며, 식생지수값 및 전이지대 폭원을 고려하여 생태축으로서의 DMZ 및 완충지역의 적정 보전폭원을 제시해보았다. 분석결과, 첫째, 서부지역 DMZ 및 민통지역 전 지역의 TVI 분석결과 남한측이 높게 나타났으며, 남측의 경우 감소하던 TVI 값이 남한측 민통선을 지나면서 그 값의 변화가 거의 없는 것으로 나타났으며, 북한측의 경우 DMZ 내부에서부터 식생지수값이 감소하는 것으로 나타났다. TVI값을 비교해 보아도 남한측은 최소값 207.16에 최대값 221.92에 이르지만, 북한측은 최소값이 188.35에 최대값이 215.32로 나타나고 있어, 북한측의 식생활력도값이 보다 낮게 나타나고 있음을 알 수 있다. 셋째, TVI-거리함수의 예측회귀식을 이용하여 계산해본 결과, 서부DMZ 남한지역의 경우 핵심보전지역과 완충지역(전이지대)을 포함하는 생태보전 폭원은 7,651m에 이르며, 서부DMZ 북한지역의 경우, 생태적으로 보전해야할 지역의 폭원은 6,855m으로 계산되었다. 하지만 TVI값의 분포가 서로 다르며, 북한측 TVI 식생활력도가 불규칙한 로지스틱 곡선을 그리고 있어, 남한과 북한을 비교하여 분석하기는 어려움을 따른다. 하지만 서부DMZ 북한지역의 경우 DMZ 내부에서 이미 TVI값이 점차적으로 감소하고 있어, 북한측의 경우 DMZ내부라고 하더라고 많은 간섭이 이루어지고 있음을 유추해볼 수 있다.
Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited on Si substrates by using polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layers, in which the AlN film was grown by pulsed reactive magnetron sputtering. Characteristics of grown AlN films were investigated experimentally by means of FE-SEM, X-ray diffraction, and FT-IR, respectively. The columnar structure of AlN thin films was observed by FE-SEM. X-ray diffraction pattern proved that the grown AlN film on 3C-SiC layers had highly (002) orientation with low value of FWHM (${\Theta}=1.3^{\circ}$) in the rocking curve around (002) reflections. These results were shown that almost free residual stress existed in the grown AlN film on 3C-SiC buffer layers from the infrared absorbance spectrum. Therefore, the presented results showed that AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.
Pt/Pb$TiO_3$/$SrTiO_3$/p-Si films were prepared by metallo-organic solution deposition(M0SD) method and investigated its structure and ferroelectric properties. Crystallinity of specimen as a funtions of post annealing temperature and the thickness of $SrTiO_3$(STO) buffer layer was studied using XRD and AFM. Based on C-V and P-E curve, $PbTiO_3$(PTO) capacitors showed good ferroelectric hysteresis arising from the polarization switching properties. When the thickness of ST0 buffer layer between PTO and Si substrate was 260 nrn and the post annealing temperature was $650^{\circ}C$, it was showed that production of the pyrochlore phase due to interdiffusion of Si into FTO was prevented. The dielectric constant of FTO thin films calculated from a maximum Cma in the accumulation region was 180 and the dielectric loss was 0.30 at 100 kHz frequency. The memory window in the C-V curve is 1.6V at a gate voltage of 5V.
본 논문은 가변 패킷을 사용하는 일반적인 망에서 실시간 세션이 이종의 여러 스케줄러들을 통과할 때 네트워크가 보장하는 지연의 한계를 추출하는 범용 도구를 제안한다. 이 도구는 이질적인 각 스케줄러를 동질적인 서비스 곡선 서버로 특성화한다. 우리는 서비스 곡선 서버가 LR 서버보다 엄격히 큰 범주의 스케줄러들을 특성화할 수 있음을 보인다 즉, 모든 LR 서버는 서비스 곡선 서버로 특성화할 수 있고, 또한 RC-EDF와 SC 알고리즘조차도 서비스 곡선 서버로 정확히 특성화할 수 있음을 보인다. 이와 같이 서비스 곡선 서버는 LR 서버에 비해서 범용성 관점에서 큰 장점이 있으면서도 분석 결과가 정확하다. 우리는 LR 서버들로 분석할 수 있는 네트워크의 경우도 서비스 곡선 서버로 분석했을 때, 두 경우 모두 동일한 지연의 한계를 추출함을 수학적으로 증명한다.
To construct a competitive ELISA standard curve for the detection of glucose-6-phosphate debydrogenase (G6PD), we used highly purified native G6PD (nG6PD) as both immobilized and soluble antigens and anti-G6PD serum raised against nG6PD as antibody. The polystyrene cuvettes coated with nG6PD were challenged with a mixture of a limiting amount of anti-G6PD serum and various doses of nG6PD as competitors followed by incubation with alkaline phosphatase-anti-IgG conjugate. The competitive ELISA did not exhibit the typical sigmoidal dose-response curve characteristic of competition immunoassays under the optimal concentrations of antigen and antibody. The soluble nG6PD used as competitor failed to effectively inhibit the binding of antibodies to the immobilized nG6PD. The addition of NADP, a cofactor of G6PD enzyme, to coating buffer used for immobilizing nG6PD to the cuvettes and PBS-Tween-BSA buffer for diluting competitors did not improve the inhibition of antibody binding to immobilized nG6PD by soluble n/G6PD. The addition of BSA to coating buffer did not increase inhibition, either. Surprisingly, when partially active G6PD (paG6PD), obtained by repeated freeze-thawing, was used as competitor, the antibody binding to either immobilized nG6PD or immobilized paG6PD was inhibited 49-58%. We conclude that an effective competitive ELISA system with nG6PD enzyme and anti-G6PD serum for the detection of G6PD may not be established due to the poor inhibition of antibody binding to immobilized nG6PD by soluble nG6PD under the present assay conditions and that the inhibition may be improved by using an inactivated enzyme as competitor regardless of the type of immobilized antigen used. These results imply that the immobilized nG6PD may undergo denaturation upon binding to the polystyrene cuvettes and that our anti-G6PD serum may recognize denatured enzyme better than active enzyme.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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