We present the observational study toward the multiple outflows around $LkH{\alpha}$ 234 star formation region. The high-resolution, near-IR spectral mapping using the Immersion Grating Infrared Spectrograph (IGRINS) allowed us to distinguish at least four separate outflows with the molecular hydrogen ($H_2$) and forbidden iron ([Fe II]) emission lines. The outflow associated with the radio continuum source VLA 3B is detected in both H2 and [Fe II] emission, while the outflows driven by MM 1, VLA 2 sources were only detected in $H_2$, indicating the different physical conditions of outflows. We confirm the axis of VLA 3B jet, the position angle of ${\sim}240^{\circ}$. We firstly identified the redshifted, near-IR H2 outflow associated with VLA 2, which is coincident with the previous detections of $H_2O$ masers. From the $H_2$ line ratios, we interpret the gas properties of the shock excited blue- and redshifted components, and UV excited surrounding photodissociation region. We also discuss the origin of the high-velocity (|VLSR| > $150km\;s^{-1}$) $H_2$ emission.
본 연구에서는 p-type Si (100) 위에 분자선 에피택시 성장방법으로 ZnO 완충층이 삽입된 ZnO 박막을 성장시켰다. ZnO 완충층은 Zn 셀 셔터의 열림/닫힘을 반복하는 성장 멈춤법으로 성장되었다. Zn 셀 셔터의 열림 시간은 4분, 2분, 1분이며 닫힘 시간은 2분으로 동일하게 유지하였다. 이러한 과정은 각각 5, 10, 20회로 반복되었으며 ZnO 완충층을 성장한 후 ZnO 박막은 기존의 분자선 에피택시 방법으로 성장되었다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성은 field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)로 조사하였다. SEM 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 ZnO 박막의 표면은 섬(island) 구조에서 미로(maze) 구조로 변화하였고, XRD 측정결과 full-width at half-maximum (FWHM) 이 감소하고 결정립 크기(grain size)가 증가하였다. 그리고 PL 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 near-band-edge emission (NBE) 피크의 세기가 증가하였고 deep-level emission (DLE) 피크의 위치는 오렌지 발광에서 녹색 발광으로 청색편이(blue-shift)하였다.
We study polarization-dependent spontaneous emission (SE) rate and light extraction efficiency (LEE) in localized-surface-plasmon (LSP)-coupled light emitting diodes (LEDs). The closely packed seven $Ag/SiO_2$ core-shell (CS) nanoparticles (NPs) lie on top of the GaN surface for LSP coupling with a radiated dipole. According to the dipole direction, both the SE rate and the LEE are significantly modified by the LSP effect at the $Ag/SiO_2$ CS NPs when the size of Ag, the thickness of $SiO_2$, and the position of the dipole source are varied. The enhancement of the SE rate is related to an induced dipole effect at the Ag, and the high LEE is caused by light scattering with an LSP mode at $Ag/SiO_2$ CS NPs. We suggest the optimum position of the quantum well (QW) in blue InGaN/GaN LEDs with $Ag/SiO_2$ CS NPs for practical application.
A new organic light emitting device(OLED) with two peak wavelength(blue and yellow) emission was fabricated using the selective doping in a single fluorescent host , and its electrical and optical characteristics were investigated. The fabricated device showed the luminance and efficiency of 1600 $Cd/m^2$ and 2.4 Im/W under the applied voltage of 10V, respectively. And its electroluminescent spectra had two peak wavelengths of 470nm and 560nm emitting bluish white light. The OLED with dual wavelength emission in this experiment is likely to be developed as a white OLED with simpler fluorescent system than conventional devices.
The SrS:Cu, Ag thin film electroluminescient devices were fabricated on $AlTiO_3$/ITO/glass substrates by electron-beam evaporation. The emission spectrum of the device was about 460 nm with $\chi$=0.20, y=0.29 in the CIE color coordinator. It was found that the emission spectrum was saturated to pure blue color when Ag sensitizer was doped in SrS:CuCl phosphors. The luminance of the device was increased by increasing the sulfur pressure. The measured luminance was saturated with 430 cd/$m^2$at the applied voltage of 90 V and the maximum luminance was 580 cd/$m^2$at 110V. The polarization charge and conduction charge of the devices were found to be found to be about $3.5\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and $7.4\mu$C/$\textrm{cm}^2$, respectively.
탄산칼슘을 모재로 한 형광체 제조를 위하여 비정질 탄산칼슘 전구체를 합성할 때 용액의 농도, 반응온도, 유지시간 및 모액의 pH의 영향을 조사함으로써 안정한 비정질 탄산칼슘을 합성할 수 있었으며, 물 속에 침적하여 결정화 조건을 달리하여 줌으로써 calcite, aragonite, vaterite의 결정 상을 얻을 수 있었다. 또한 활성원소로서 Sn을 첨가하여 비정질 탄산칼슘을 합성하고, 이를 결정화시켜 각 결정형에 따른 형광특성을 조사하였다. 결정형에 따른 발광강도는 calcite가 가장 우수하였으며, 발광중 심파장은 순수한 청색을 나타내는 464 nm였다. calcite의 발광강도는 여기파장 255 nm에서 최대가 되었으며, 형광램프용의 형광체로 사용하기 적합한 것으로 기대된다.
Deep red EuSi2O2N2 phosphors were synthesized under various sintering gas pressures (1 atm, 2 atm, and 3 atm). They were in good agreement with the standard EuSi2O2N2 ICSD card # 41-6046 (a monoclinic crystal system with space group of P21/a). Their photoluminescence intensities were significantly increased with increasing the gas pressures. They showed a broad band emission peaking at 680 nm due to 4f65d1 - 4f7 of Eu2+ ion, which can be efficiently excited in the visible range up to 550 nm. The best one at 3 atm was applied for red LED based on blue chip, which showed the strong deep red emission.
We studied emission characteristics of blue fluorescent multi-tandem OLEDs using $Al/MoO_x$ as charge generation layer(CGL). Threshold voltage for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 8, 11, 14 and 18 V, respectively. The threshold voltage in multi-tandem OLEDs was lower than multiple of 4 V for the single OLED. Maximum current efficiency and maximum quantum efficiency of single OLED were 7.6 cd/A and 5.5%. Maximum current efficiency for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 22.6, 31.4, 41.2, and 46.6 cd/A, respectively. Maximum quantum efficiency for 2, 3, 4, and 5 units tandem OLEDs was 11.8, 15.8, 21.8, and 25.6%, respectively. The maximum current efficiency and maximum quantum efficiency in multi-tandem OLEDs were higher than multiple of those for the single OLED. The intensity for 508 nm peak was changed and the peak wavelength was red shift by increase of tandem unit in electroluminescent emission spectra. These phenomena can be caused by micro-cavity effect with increasing of organic layer thickness.
The nano and micro-sized $ZnGa_2O_4$ phosphor were prepared by precipitation method and solid-state method. The luminescence, formation process and structure of phosphor powders were investigated by means of XRD, SEM and PL. The result of XRD analysis showed that $ZnGa_2O_4$ spinel structure was formed at as-prepared in the case of precipitation method. However, micro-sized phosphor was required high heating treatment to have a satisfactory spinel structure. The CL intensity of nano-sized phosphor was about 4-fold higher than that of micro-sized phosphor. The emission spectra of all $ZnGa_2O_4$ phosphor show a self activated blue emission band at around 420 nm in the wide range of 300~600 nm.
Cu-doped ZnSe quantum dots were successfully synthesized in an aqueous solution using an internal doping method. The effects of ligand type, CuSe synthesis temperature, and heating time on Cu-doped ZnSe synthesis were systematically investigated. Of MPA, GSH, TGA, and NAC used as ligands, MPA was the optimal ligand as determined by PL spectrum analysis. In addition, the emission wavelength was found to depend on the synthesis temperature of the internal doping core of CuSe. As the temperature increased, the doping of Cu2+ was enhanced, and the emission wavelength band was redshifted; accordingly, the emission peaks moved from blue to green (up to 550 nm). Thus, the synthesis of Cu:ZnSe using internal doping in aqueous solutions is a potential method for ecomanufacturing of color-tuned ZnSe quantum dots for display applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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