• 한국지능시스템학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.356-361
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• 2010

M. Demirci[Vague groups, J. math. Anal. Appl. vol.230, pp. 142-156, 1999] studied the vague group operation on a crisp set as a fuzzy function and estabished the vague group structure on a crisp set. In this paper we consider bi-groups which are studied by A.A.A. Agboola and L.S. Akinola. And we also will define vague bi-groups and fuzzy bi-functions and we investigate some basic operations on the vague bi-group and fuzzy bi-functions.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제14권1호
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• pp.95-100
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• 2006

In this paper we give some new characterizations of the intra-regular ordered semigroups in terms of bi-ideals and quasi-ideals, bi-ideals and left ideals, bi-ideals and right ideals of ordered semigroups.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2005년도 High Temperature Superconductivity Vol.XV
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• pp.32-32
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• 2005

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2015년도 춘계학술발표대회
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• pp.343-345
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• 2015

현대사회가 복잡해지면서 정보의 양이 증가하였고, 경쟁이 치열해지면서 기업의 경영 전략으로 BI 서비스를 선택하였으나, 기존 BI 기업에서는 실시간 분석 및 처리, 외부 데이터 사용 불가 동의 문제점이 있었다. 이를 위해 본 논문에서는 BI서비스 동향 및 기술을 분석하고 기업의 효율적인 BI 서비스 적용 방안을 연구하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권2호
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• pp.45-49
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• 2019

높은 신뢰성의 n형 Bi-Te-Se계 열전소자 제조를 위한 열간압출 공정을 확립하였다. 용융-응고 공정을 이용하여 Bi-Te-Se 원료잉곳을 합성하였으며, 고에너지 볼밀을 이용하여 평균 ${\sim}30{\mu}m$ 크기의 분말로 분쇄하였다. 일축가압 공정으로 분말을 직경 20 mm의 디스크 형태로 성형한 후 압출용 몰드 설계-제작 및 열간압출 공정 온도와 압력을 제어하여 성형체로부터 00l 방향으로 결정 배향된 지름 1.8 mm의 원통형 고밀도 압출체를 제조하였다. 상온에서 최대 ${\sim}4.1mW/mK^2$의 높은 파워팩터를 나타냈으며, zone melting 공정으로 제조한 상용 열전소재와 비교하여 2배 이상 향상된 기계적 강도 (~50 MPa)를 구현하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권8호
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• pp.897-907
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• 1997

Thin films of Bi4-xSmxTi3O12(0$\leq$x$\leq$2) were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si(100) at $700^{\circ}C$ using spin-coating with sols derived from Bi-Sm-Ti complex alkoxides. From X-ray diffraction analysis, it was observed that Sm-substituted phases resembled ferroelectric Bi4Ti3O12 in structure. Variations of their lattice parameters depending on the amount of Sm-substitution showed that an anomalous structural distortion might exist at x=1. The grain sizes of the thin films decreased from 0.115 ${\mu}{\textrm}{m}$ to 0.078${\mu}{\textrm}{m}$ with increasing the amount of Sm-substitution. The dielectric constants and the remanent polarizations of the thin films decreased with increasing the amount of the Sm-substitution, which were related to decrease of the stereo-active Bi3+ ion contributing to polarization. However, these values were exceptionally high at x=1, compared to those of the other substituted phases. Such an anomaly suggests that the phase of x=1 has 1:1 chemical ordering between Sm and Bi in structure. The thin films of all compositions except x=2 showed ferroelectricity. The thin film of x=2 was paraelectric, whose grains were too fine to exhibit ferroelectricity.

• 미생물학회지
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• 제32권3호
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• pp.222-231
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• 1994

Saccharomyces cerevisiae에서 얻은 purine nucleoside phosphorylase (PNP)의 반응 기작을 밝히기 위해 반응속도론적 분석이 수행되어졌다. 반응기작에 PNP${\cdot}$phosphate와 PNP${\cdot}$ribose 1-phosphate의 binary complex가 형성되는 것으로 추정되어진다. Initial velocity와 product inhibition study의 결과는 반응이 ordered bi, bi reaction으로 일어난다는 것과 일치하고 있다. 두 개의 기질중 무기인산이 효소에 먼저 붙고, 그 다음에 nucleoside, 그리고 base가 효소를 떠나는 첫 번째 생성물이고 마지막으로 ribose 1-phosphate가 생성되고 효소는 원래의 상태로 돌아간다. 반응속도론적 분석에 이해 제안된 작용기작은 sulfhydryl reagents인 p-chloromercuribenzoate(PCMB) and 5,5'-dithiobisnitrobenzoate (DTNB)에 의한 효소의 불활성화에 대한 기질으 보호작용의 결과와 일치하고 있다. PNP는 ribose 1-phosphate와 phosphate에 의해 보호되지만 nucleoside나 base에 의해서는 아무런 효과과 없다는 사실은 반응 순서가 효소에 무기인산이 먼저 붙는 ordered bi, bi 기작이라는 것을 지지하고 있다. PCMB 나 DTNB에 의해 불활성화된 PNP는 dithiothreitol(DTT)에 의해서는 활성이 완전히 회복되고 2-mercaptoethanol에 의해서는 77%의 활성이 회복된다는 사실은 효소의 불활성화가 가역적이라는 것을 시사하고 있다. PCMB에 의해 불활성화된 효소는 inosine이 변화하는 기질일때 정상효소보다 높은 $K_m$과 낮은 $V_m$ 값을 보여주고 이런 현상은 DTT 처리시 원래의 상태로 돌아온다. DTNB에 의해 불활성화된 효소는 PCMB 처리시와 비슷하게 정상효소보다 높은 $V_m$ 값을 보이지만 $V_m$ 값은 큰 변화가 없다. S. cerevisiae PNP에서 발견되는 높은 무기인산의 농도에서의 하위단위체간의 음성적 협동성이 PCMB나 DTNB를 처리한 PNP에서는 보이지 않았다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권4호
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• pp.33-38
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• 2011

p형 $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ 분말을 기계적 합금화 공정으로 제조하여 가압소결 후 가압소결온도에 따른 열전특성을 분석하였다. 가압소결온도를 $350^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 상온에서 측정한 Seebeck 계수가 237 ${\mu}V/K$에서 210 ${\mu}V/K$로 감소하고 전기비저항이 2.25 $m{\Omega}-cm$에서 1.34 $m{\Omega}-cm$로 감소하였으며, power factor가 $25.0{\times}10^{-4}W/m-K^2$에서 $32.9{\times}10^{-4}W/m-K^2$로 증가하였다. $350{\sim}550^{\circ}C$의 온도범위에서 가압소결한 시편들 중에서, $500^{\circ}C$에서 가압소결한 $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ 가압소결체가 상온에서 1.09 및 $75^{\circ}C$에서 1.2의 가장 높은 무차원 성능지수를 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권3호
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• pp.1-8
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• 2008

환원분위기 열처리가 진공증착법으로 형성한 $(Bi,Sb)_{2}Te_3$박막의 열전특성에 미치는 영향을 연구하였다. 환원분위기(50% $H_2$ + 50% Ar)에서 $300^{\circ}C$의 온도로 2시간 유지하여 열처리함으로써 $(Bi,Sb)_{2}Te_3$박막의 결정성이 크게 향상되었으며 결정립 크기가 크게 증가하였다. 환원분위기 열처리에 의한 정공농도의 감소에 기인하여 $(Bi,Sb)_2Te_3$박막의 Seebeck계수가 열처리 전의 $\sim90{\mu}V/K$로부터 $\sim180{\mu}V/K$으로 증가하였다. 환원분위기 열처리에 의해 $(Bi,Sb)_{2}Te_3$ 박막의 출력인자(power factor)가 5배에서 16배 정도 향상되었으며, 환원분위기 열처리 후 $(Bi,Sb)_{2}Te_3$ 박막은 $18.6\times10^{-4}W/K^{2}-m$의 최대 출력인자를 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권4호
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• pp.363-369
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• 1994

$Bi_2Te_3$계 열전반도체에서 단결정재료는 성능이 우수한 반면에 그 제조에 있어서 긴 공정시간과 그에 따른 구성성분의 손실이 있다. 본 연구에서는 짧은 공정시간으로 단결정 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저으이 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저의 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체를 교류 통전 가압법으로 제작하였다. 이 소결 방법에서는 소결시간이 다른 방법과 비교하여 짧기 때문에 Te의 증발로 인한 결함의 발생을 줄일 수 있었으며 제조공정시 재료의 손실도 최소화할 수있었다. 가압 소결한 95 mol% $Bi_2Te_3-5 mol% Bi_2Se_3$ 다결정 열전반도체의 최적의 소결조건은 분말입도, 소결온도, 시간, 압력별로 각각 $125~250 {\mu}m, 400^{\circ}C$, 2분, $1500Kgf/cm^2$이고, 이조건에서 열전성능지수 $Z=2.2{\times}10^{-3}/K$이다.