• 제목/요약/키워드: Bandgap

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Electromagnetic Interference Analysis of an Inhomogeneous Electromagnetic Bandgap Power Bus for High-Speed Circuits

  • Cho, Jonghyun;Kim, Myunghoi
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제15권4호
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    • pp.237-243
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    • 2017
  • This paper presents an analysis of the electromagnetic interference of a heterogeneous power bus where electromagnetic bandgap (EBG) cells are irregularly arranged. To mitigate electrical-noise coupling between high-speed circuits, the EBG structure is placed between parallel plate waveguide (PPW)-based power buses on which the noise source and victim circuits are mounted. We examine a noise suppression characteristic of the heterogeneous power bus in terms of scattering parameters. The characteristics of the dispersion and scattering parameters are compared in the sensitivity analysis of the EBG structure. Electric field distributions at significant frequencies are thoroughly examined using electromagnetic simulation based on a finite element method (FEM). The noise suppression characteristics of the heterogeneous power bus are demonstrated experimentally. The heterogeneous power bus achieves significant reduction of electrical-noise coupling compared to the homogeneous power buses that are adopted in conventional high-speed circuit design. In addition, the measurements show good agreement with the FEM simulation results.

온도 보상기능을 갖는 내장형RC OSCILLATOR 설계 (Design of an Embedded RC Oscillator With the Temperature Compensation Circuit)

  • 김성식;조경록
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권4호
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    • pp.42-50
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    • 2003
  • 본 논문에서는 시스템의 클럭을 안정적으로 공급하는 집적화 한 내장형 RC oscillator의 구현에 관한 논문이다. 기존의 RC oscillator는 온도에 따라 주파수변화가 약 15%정도 변화가 있는데 이는 온도에 따른 저항값의 변화와 schmit trigger의 기준전압이 온도에 따라 변화하기 때문이다. 본 연구에서는 온도에 따른 주파수 변화를 최소화하는 방법으로 CMOS bandgap과 온도에 따른 전류의 변화를 이용하였다. CMOS bandgap으로 기준 전압을 얻고 온도에 따라 증가하는 전류원과 온도에 따라 감소 하는 전류원을 서로 합하면 온도에 따라 일정한 전류를 얻어 주파수의 변화를 약 3%이내로 유지하는 회로를 제안한다.

Photonic Bandgap 구조를 이용한 마이크로스트립 라인 대역통과 여파기 설계 (Design of Microstrip Line Bandpass Filter using Photonic Bandgap Structures)

  • 김태일;김명기;박익모;임한조
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.611-621
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    • 2001
  • 본 논문에서는 포토닉 밴드갭(PBG)의 결합모드(defect-mode)를 이용한 대역통과 여파기를 구현하는 방법에 대해 연구하였다. PBG 구조를 구현하기위하여 마이크로스트립 라인의폭을 달리하면 PBG 셀(cell)을 형성한 후, 이들 셀들을 주기적으로 배열하였으며, PBG 구조 일부분의 주기를 변화시킬 경우에 발생하는 결함모드를 이용하여 저지대역 내에서 통과대역을 구현하였다. 또한, 집중정수소자(Iumped-element)를 이용하여 PBG 구조의 등가회를 구현하였다.

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Analysis on Transition between Index- and Bandgap-guided Modes in Photonic Crystal Fiber

  • Hong, Kee Suk;Lim, Sun Do;Park, Hee Su;Kim, Seung Kwan
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제20권6호
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    • pp.733-738
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    • 2016
  • We calculate optical properties of guided modes of a hybrid-guiding photonic crystal fiber. The design and modeling of such hybrid-guiding PCF is made by replacing air holes with inserts of high refractive index material layer by layer in order. The optical properties such as mode intensity profile, mode dispersion, optical birefringence, confinement loss, and chromatic dispersion during transition of the guiding mechanism are analyzed and discussed. The guided modes in the hybrid-guiding region are also compared with those of reference index-guiding and bandgap-guiding photonic crystal fibers.

포토닉 밴드갭 구조를 이용한 두껍고 유전상수가 높은 패치 안테나의 성능 향상 (Improvement of Performance of Thick and High Dielectric Patch Antennas using Photonic Bandgap Structures)

  • 기철실;박익모;임한조;한해욱;이정일
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.1-6
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    • 2002
  • 본 논문에서는 표면파의 전파를 억제하는 포토닉 밴드갭 구조가 기판의 두께가 두껍고 유전상수가 높은 패치 안테나의 복사효율과 후방 복사를 획기적으로 개선할 수 있음을 보였다.

p-layer 최적화를 통한 고효율 비정질 실리콘 박막태양전지 설계 simulation 실험 (The simulation of high efficiency amorphous silicon thin film solar cells by p-layer optimizations)

  • 박승만;이영석;이범상;이돈희;이준신
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2009년도 춘계학술대회 논문집 에너지변화시스템부문
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    • pp.256-258
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    • 2009
  • 현재 상용화되어 있는 결정질 태양전지의 경우 높은 실리콘 가격으로 인해 저가격화에 어려움을 격고 있다. 따라서 태양전지 저가화의 한 방법으로 박막태양전지가 주목을 받고 있다. P-I-N 구조의 박막태양전지에서 각 층의 thickness, activation energy, energy bandgap은 고효율 달성을 위한 중요한 요소이다. 본 논문에서는 박막태양전지 p-layer의 가변을 통하여 고효율을 달성하기 위한 simulation을 수행하였다. 가변 조건으로는 thickness $5\sim25nm$, activation energy $0.3\sim0.6$ eV 그리고 energy bandgap $1.6\sim1.8$ eV까지 단계별로 변화시켰다. 최종 simulation 결과 p-layer의 thickness 5nm, activation energy 0.3 eV 그리고 energy bandgap 1.8 eV에서 최고 효율 11.08%를 달성하였다.

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Electro-Chemical Reduction에 의한 $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te재료의 특성 고찰 (A Research of the Characteristics of $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te material by using Electro - Chemical Reduction)

  • 이상돈;김봉흡;강형부
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.38-41
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    • 1994
  • The method of passivation for protecting the $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te surface is important device fabrication process. Because the surface components are highly reactive leading to its chemical and electrical instability. Especially. the material of detecting for infrared radiation, of which composition is x=0.2 or 0.3, is narrow bandgap semi- conductor. The narrow bandgap semi conductors are largely governed by the properties of the semiconductor surface. The narrow bandgap semi-conductors are largely governed by the properties of the semiconductor surface. The electro-chemical processing of $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te allows rigorous control of the surface chemistry and provides an in-suit monitor of surface reaction. So electro-chemical reduction at specific potential can be selectively eliminated the undesirable species on the surface and mainpulated to reproducibly attain the desired stoichiometry. This method shows to assess the quality of chemically treated good $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te surface.

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증착 온도가 RF 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 성장된 InN 박막의 특성에 미치는 영향 (Effects of Deposition Temperature on the Properties of InN Thin Films Grown by Radio-frequency Reactive Magnetron Sputtering)

  • 조신호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.808-813
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    • 2009
  • Indium nitride thin films were deposited by the radio-frequency reactive magnetron sputtering method. The indium target was sputtered by the mixture flow ratio of $N_2$ to Ar, 9:1. The effects of growth temperature on the structural, optical, and electrical properties of the films were investigated. With increasing the growth temperature, the crystallinity of the films was improved, and the crystalline size was increased. The energy bandgap for the film grown at $25^{\circ}C$ was 3.63 eV, and the bandgap showed an increasing tendency on the growth temperature. The carrier concentration, Hall mobility and electrical resistivity of the films depended significantly on the growth temperature and the maximum Hall mobility of $32.3\;cm^2$/Vsec was observed for the film grown at $400^{\circ}C$.

Rhodomine B dye removal and inhibitory effect on B. subtilis and S. aureus by WOx nanoparticles

  • Ying, Yuet Lee;Pung, Swee Yong;Ong, Ming Thong;Pung, Yuh Fen
    • Journal of Industrial and Engineering Chemistry
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    • 제67권
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    • pp.437-447
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    • 2018
  • Visible-light-driven wide bandgap semiconductor photocatalysts were commonly developed via doping or coupling with another narrow bandgap metal oxide. However, these approaches required extra processing. The aim of study was to evaluate the photocatalytic performance of narrow bandgap $WO_x$ nanoparticles. A mixture of $WO_2$ and $WO_3$ nanoparticles were synthesized using solution precipitation technique. The photodegradation of RhB by these nanoparticles more effective in UV light than in visible light. In antibacterial susceptibility assay, $WO_x$ nanoparticles demonstrated good antibacterial against Gram-positive bacteria. The cell wall of bacterial was the main determinant in antibacterial effect other than $W^{4+}/W^{6+}$ ions and ROS.

PBG를 이용한 광대역 전방급전 전력증폭기의 성능개선에 관한 연구 (Improvement of Broadband Feedforward Amplifier Using Photonic Bandgap)

  • 윤진호;서철헌
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권4B호
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    • pp.406-409
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    • 2001
  • 본 논문에서는 IMT-2000 대역에서 전방급전 전력증폭기의 선형성을 개선하여 효율과 대역폭을 극대화 하기 위해 Photonic Bandgap(PBG), 전치왜곡, 2차고조파 튜닝 방식으 f동시에 주 증폭기에 적용하였다. 2차 하모닉 성분이 2차고조파 튜닝 방식에 의해 우수하게 제거되고, 3차 하모닉 성분이 전치왜곡 방식에 의해 제거되며 출력단위 PBG느 s고아대역 특성으로 4차 하모닉 이상까지 제거하는 우수한 특성을 보여주었다. 총체적으로 기존의 전방급전 전력증폭기보다 IMD가 최고 15dBc, 효율은 4%, 대역폭은 2배이상 확대됨으로 전력효율과 대역폭을 극대화시킬 수 있었다.

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