To construct transformed Bm5 cells, Autographa californica nuclear polyhedrosis virus (AcNPV)IE1 gene, an immediate early viral gene was firstly used in this study. AcNPV IE1 gene, which shares on 95.3% uncleotide sequence homology with Bombyx mori nuclear polyhedrosis virus (BmNPV) IE1 gene, was isolated and cloned into pBluescript. Neomycin gene from pKO-neo was inserted under the control of the IE1 promoter to yield pAcIE1-neo. The plasmid pAcIE1-neo was transfected into Bm5 or Sf9 cells, and neomycin-resistant cells were selected in TC100 medium containing 10% fetal bovine serum (FBS) and 1 mg/$m\ell$ G418 for two weeks. Individual clones were picked and each was amplified for further characterization. The genomic DNA from neomycin-resistnt cells was isolated and characterized by PCR using AcNPV IE1 gene-specific primers and by Southern blot analysis using neomycin gene probe. We concluded that AcNPV IE1 gene was functional in B. moridrived Bm5 cells as well as Spodaptera frugiperda-derived Sf9 cells to produce stably-transformed insect cells.
International Journal of Industrial Entomology and Biomaterials
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v.23
no.1
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pp.123-128
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2011
1-Deoxynojirimycin (DNJ) is an alkaloid that is found at relatively high concentrations in mulberry leaf and tissues of the silkworm, $Bombyx$$mori$. DNJ is a well known inhibitor of ${\alpha}$-glucosidase, an enzyme that is involved in the early stages of the $N$-linked glycoprotein synthesis pathway. ${\alpha}$-Glucosidase activity in the cell extract from $B.$$mori$-derived Bm5 cells showed approximately 40-fold less sensitivity to DNJ than ${\alpha}$-glucosidase activity in the cell extract from $Spodoptera$$frugiperda$-derived Sf9 cells. The replication of $B.$$mori$ nucleopolyhedrovirus (BmNPV) was not inhibited when it was propagated in BmN cells that were grown in medium containing up to 10 mM DNJ. In contrast, the replication of $Autographa$$californica$ multiple NPV (AcMNPV) was reduced by 67% when it was propagated in Sf9 cells that were grown in medium containing 10 mM DNJ. The viability of Bm5 and Sf9 cells that were grown in medium containing up to 10 mM DNJ was not affected. Our results suggested that the reduced replication of AcMNPV was the result of the higher sensitivity of ${\alpha}$-glucosidase activity in Sf9 cells to DNJ.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.51
no.3
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pp.55-60
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2014
For an high speed communication, a 40GHz VCO was implemented using a 0.11um standard CMOS technology. The mm-wave VCO was designed by a LC type using a spiral inductor, and a simplified architecture with buffers and a smart biasing technique were used to get a high performance. The frequency range of the proposed VCO is 34~40GHz which is suitable for mm-Wave communication system. It has an output power of -16dBm and 16% tuning range. And the phase noise is -100.33dBc/Hz at 1MHz offset at 38GHz fundamental frequency. The total power consumption of VCO including PADs is 16.8mW with 1.2V supply voltage. The VCO achieves the FOMT of -183.8dBc/Hz which is better than previous VOCs.
Kim Sung-Chan;Lim Byeong-Ok;Baek Tae-Jong;Ko Baek-Seok;An Dan;Kim Soon-Koo;Shin Dong-Hoon;Rhee Jin-Koo
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.7
s.98
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pp.753-759
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2005
In this paper, we have developed a new type of single balanced mixer with the RF MEMS $180^{\circ}$ hybrid coupler using surface micromachining technology. The $180^{\circ}$ hybrid coupler in this mixer is composed of the dielectric-supported air gapped microstriplines(DAMLs) which have signal line with $10{\mu}m$ height to reduce substrate dielectric loss and dielectric posts with size of $20{\mu}m{\times}20{\mu}m$ to elevate the signal line on air with stability At LO power of 7.2 dBm, the conversion loss was 15.5 dB f3r RF frequency or 57 GHz and RF power of -15 dBm. Also, we obtained the good RF to LO isolation of -40 dB at LO frequency of 58 GHz and LO power of 7.2 dBm. The main advantage of this type of mixer is that we are able to reduce the size of the chips due to integrating the MEMS passive components.
This paper proposes an IEEE 802.15.4m compliant TV white-space orthogonal frequency-division multiplexing (TVWS)-(OFDM) radio frequency (RF) transceiver that can be adopted in advanced metering infrastructures, universal remote controllers, smart factories, consumer electronics, and other areas. The proposed TVWS-OFDM RF transceiver consists of a receiver, a transmitter, a 25% duty-cycle local oscillator generator, and a delta-sigma fractional-N phase-locked loop. In the TV band from 470 MHz to 698 MHz, the highly linear RF transmitter protects the occupied TV signals, and the high-Q filtering RF receiver is tolerable to in-band interferers as strong as -20 dBm at a 3-MHz offset. The proposed TVWS-OFDM RF transceiver is fabricated using a $0.13-{\mu}m$ CMOS process, and consumes 47 mA in the Tx mode and 35 mA in the Rx mode. The fabricated chip shows a Tx average power of 0 dBm with an error-vector-magnitude of < 3%, and a sensitivity level of -103 dBm with a packet-error-rate of < 3%. Using the implemented TVWS-OFDM modules, a public demonstration of electricity metering was successfully carried out.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.8
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pp.1572-1579
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2009
In this dissertation ultra-broadband power amplifier(UPA) was designed and fabricated using negative feedback technique. UPA was made of pre-amplifier, drive amplifier and power amplifier. Negative feedback technique was used to achieve ultra-broadband performance. Designed power amplifier has 30dB gain and 2W output power. The load-pull data of power amplifier for optimal power matching was extracted from the measured S-parameter. Fabricated PCB material, permittivity is 4.6 and thickness is 0.8mm, is FR4 and UPA was fabricated 3 modules for comparison of the simulated and measured results. Size of the fabricated pre-amplifier and drive amplifier module is 40mm'50mm'16mm. And from the experimental results, gain of the pre-amplifier module is 9.87dB at 2GHz and flatness is 0.63dB. Experimental result of the drive amplifier module is 10.97dB at 2GHz and flatness of that is 0.26dB. Test result of the power amplifier module is 10.71dB at 2GHz and flatness is 0.72dB. Total size of the power amplifier is 45mm'134mm'16mm. According to the test results, gain of the UPA is 28.98dB at 2GHz and flatness is 1.68dB. Output power was 32.098dBm at 2GHz, 32.154dBm at 1GHz and 31.273dBm at 100MHz.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.49
no.10
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pp.43-46
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2012
In this paper, high efficiency power amplifier is implemented with high gain amplifier. Two-stage amplifier using adaptive bias control circuit improve efficiency at low input power. Fixed bias circuit and adaptive bias circuit both have about 76 % efficiency at maximum power level. However amplifier using an adaptive bias control circuit has 70 % at 6 dBm input power level when the amplifier using fixed bias circuit has 50%. The proposed power amplifier using the adaptive bias control circuit can have high efficiency at lower power level.
Vertical nanowire SGFETs(Surrounding Gate Field Effect Transistors) provide full gate control over the channel to eliminate short channel effects. This paper presents design and characterization of a differential pair amplifier using NMOS and PMOS SGFETs with a 10nm channel length and a 2nm channel radius. The amplifier dissipates $5{\mu}W$ power and provides 5THz bandwidth with a voltage gain of 16, a linear output voltage swing of 0.5V, and a distortion better than 3% from a 1.8V power supply and a 20aF capacitive load. The 2nd and 3rd order harmonic distortions of the amplifier are -40dBm and -52dBm, respectively, and the 3rd order intermodulation is -24dBm for a two-tone input signal with 10mV amplitude and 10GHz frequency spacing. All these parameters indicate that vertical nanowire surrounding gate transistors are promising candidates for the next generation high speed analog and VLSI technologies.
In Long Term Evolution (LTE) cellular networks, the transmit power control (TPC) mechanism consists of two parts: the open loop (OL) and closed loop. Most cellular networks consider OL/TPC because of its simple implementation and low operation cost. The analysis of OL/TPC parameters is essential for efficient resource management from the cellular operator's viewpoint. In this work, the impact of the OL/TPC parameters is investigated for homogeneous small cells and heterogeneous small-cell/macrocell network environments. A mathematical model is derived to compute the transmit power at the user equipment, the received power at the eNodeB, the interference in the network, and the received signal-to-interference ratio. Using the analytical platform, the effects of the OL/TPC parameters on the system performance in LTE networks are investigated. Numerical results show that, in order to achieve the best performance, it is appropriate to choose ${\alpha}_{small}=1$ and $P_{o-small}=-100dBm$ in a homogenous small-cell network. Further, the selections of ${\alpha}_{small}=1$ and $P_{o-small}=-100dBm$ in the small cells and ${\alpha}_{macro}=0.8$ and $P_{o-macro}=-100dBm$ in the macrocells seem to be suitable for heterogeneous network deployment.
A 40 nm complementary metal oxide semiconductor carrier-aggregated drive amplifier with high linearity is presented for sub-GHz Internet of Things applications. The proposed drive amplifier consists of two high linear amplifiers, which are composed of five differential cascode cells. Carrier aggregation can be achieved by switching on both the driver amplifiers simultaneously and combining the two independent signals in the current mode. The common gate bias of the cascode cells is selected to maximize the output 1 dB compression point (P1dB) to support high-linear wideband applications, and is used for the local supply voltage of digital circuitry for gain control. The proposed circuit achieved an output P1dB of 10.7 dBm with over 22.8 dBm of output 3rd-order intercept point up to 0.9 GHz and demonstrated a 55 dBc adjacent channel leakage ratio (ACLR) for the 802.11af with -5 dBm channel power. To the best of our knowledge, this is the first demonstration of the wideband carrier-aggregated drive amplifier that achieves the highest ACLR performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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