• 제목/요약/키워드: BJT

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패키지된 바이폴라 트랜지스터의 등가회로 모델 파라미터 추출 (Equivalent Circuit Model Parameter Extraction for Packaged Bipolar Transistors)

  • 이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권12호
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    • pp.21-26
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    • 2004
  • 본 논문에서는 package된 BJT의 RF 등가회로 모델을 optimization과정 없이 직접 추출하는 방법을 개발하였다. 먼저, open 과 short package 구조를 사용하여 plastic package의 기생성분을 측정된 S-파라미터로부터 정확히 제거하였다. 이와 같이 package do-embedding된 S-파라미터로부터 package lead와 chip pad 사이의 bonding wire 인덕턴스와 chip pad 캐패시턴스를 직접 추출하는 간단한 방법을 구축하였다. 그 후에 내부 BJT소자의 소신호 모델변수들은 RF 등가회로로부터 유도된 Z나 Y-파라미터 방정식을 이용하여 결정하였다. 이 방법으로 모델화된 packaged BJT의 S-파라미터는 측정 데이터와 아주 잘 일치하였으며 이는 새로운 추출방법의 정확성을 증명한다.

직접회로용 BJT의 베이스 Gummel Number 해석 방법에 관한 연구 (A Study on the Method of the Analysis of the Base Gummel Number of the BJT for Integrated Circuits)

  • 이은구;김철성
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제52권2호
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    • pp.74-79
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    • 2003
  • The method of the analysis of the base Gummel number of the BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed and the method of calculating the doping profile of the base region using process conditions is presented. The transistor saturation current obtained from the proposed method of NPN BJT using 20V and 30V process shows an averaged relative error of 6.7% compared with the measured data and the transistor saturation current of PNP BJT shows an averaged relative error of 9.2% compared with the measured data

직접회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압 추출 알고리즘 (The Algorithm for Calculating the Base-Collector Breakdown Voltage of NPN BJT for Integrated Circuits)

  • 이은구;김철성
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제52권2호
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    • pp.67-73
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    • 2003
  • The algorithm (or calculating the base-collector breakdown voltage of NPN BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits is Proposed. The method for calculating the electric field using the solution of Poisson's equation is presented and the method for calculating the breakdown voltage using the integration of ionization coefficients is presented. The base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 20V process obtained from the proposed method shows an averaged relative error of 8.0% compared with the measured data and the base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 30V process shows an averaged relative error of 4.3% compared with the measured data

시호치천탕(柴胡治喘湯)과 보익정천탕(補益定喘湯)이 알레르기 천식 모델 흰쥐의 BALF내 면역세포 및 조직에 미치는 영향 (Effect of Sihochicheu-tang and Boikjeungcheu-tang on Immune Cell in BALF and lung Tissue in a Rat Asthma Model)

  • 김성훈;송호철
    • 동의생리병리학회지
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    • 제19권1호
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    • pp.106-113
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    • 2005
  • Asthma is an inflammatory disease of airways that is induced by Th2 cytokines and inhibited by Th1 cytokines. In this study we wanted to investigate the effect of SCT and BJT on eosinophilla and cytokines of BALF in a mouse model established airway inflammmation. Asthma was induced to male c57/bl6 mice. Allergen-specific antibody responses, cytokine$(IL-4,\;IL-5,\;INF-{\gamma})$, and eosinophil inflammation of the airways were investigated on the BALF and splenocyte. SCT and BJT effectively induced $INF-{\gamma}$ and inhibited IL-4, IL-5 as well as eosinophilic inflammation when SCT and BJT were administered. Total Ig E level in the BALF decreased. SCT was more effectiveness than BJT. It is considered that SCT and BJT have faborable effect on the asthma because the asthma specific series of abnormalities in respiratory system were decreased.

수치해석을 이용한 전력 BJT의 정특성 분석 (The analysis of the characteristics of the power BJT using numerical analysis method)

  • 이은구;윤현민;김철성
    • 전기전자학회논문지
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    • 제6권2호
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    • pp.119-127
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    • 2002
  • 수치해석을 이용하여 전력 BJT의 정특성을 분석하는 방법을 제안한다. 고농도의 불순물이 주입된 영역에서 반송자 농도를 정교하게 구하기 위해 Fermi-Dirac 통계를 고려하며, 베이스 영역에서 재결합 전류를 계산하기 위해 Philips Unified 이동도 모델과 SRH 및 Auger 생성-재결합 모델을 사용한다. 제안된 방법을 검증하기 위해 현재 산업체에서 사용중인 전력 BJT의 베이스 전류를 $1.0[{\mu}A]$에서부터 $3.5[{\mu}A]$까지 $0.5[{\mu}A]$ 단위로 증가시키면서 컬렉터 전류의 실측치와 BANDIS와 비교한 결과 8.9%이내의 상대오차를 보였다.

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무선 송수신모듈용 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 새로운 전류원 모델링 (A New Current Source Modeling of Silicon Bipolar Transistor for Wireless Transceiver Module)

  • 서영석
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.93-98
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    • 2005
  • 근거리에서의 무선설비제어, 구내음성통신과 같은 전파통신설비의 송수신 모듈에 실리콘 바이폴라 트랜지스터가 많이 사용되고 있다. 이러한 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 내부 전류원에 대한 새로운 모델링 방법이 제시되었다. 제안된 방법은 Si-BJT의 새로운 열 저항 추출방법과 전류원 파라메터에 대한 새로운 해석적인 방정식에 기반을 두고 있다. 이 방법은 기존의 방법에서 채택된 반복적인 최적화 과정 없이 바로 파라메터를 구할 수 있다. 제안된 방법을 5개의 핑거를 가지는 $0.4\times20[{\mu}m^2]$ 의 Si-BJT에 이 방법을 적용시켰으며, 모델링된 데이터는 측정결과를 $3[\%]$ 이내의 오차로 잘 예측하였다.

이명증에 대한 보중익기탕과 반하백출천마탕의 비용효과 분석 연구 (Cost-effectiveness Analysis of Bojungikgitang and Banhabaekchulchonmatang in Chronic Tinnitus Patients)

  • 김남권;오용열;서은성;이동효
    • 한방안이비인후피부과학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.260-269
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    • 2010
  • Background : Bojungikgitang(BJT) and Banhabaekchulchonmatang(BBT) are known to treat the tinnitus patients, which were registered Korean National Health Insurance coverage lists. Objective : Few studies have evaluated economic benefits of both herbal medicines. This research is to investigate the cost-effectiveness of Bojungikgitang(BJT) and Banhabaekchulchonmatang(BBT) in chronic tinnitus patients over nineteen years old. Method : We built the decision tree model of chronic tinnitus and executed the deterministic analysis and threshold sensitivity analysis based on randomized clinical trial. Effectiveness was measured in quality-adjusted life-years(QALYs), and costs were in 2009 KRW(South Korean Currency). The perspective is societal, time horizon is 10 weeks, and Korean willingness to pay threshold is assumed to 20,000,000KRW. Results : In the base case analysis, BJT treatment resulted is better outcomes as low cost, so BJT is dominant medicine and BBT is dominated. But both cost per QALYs (BJT is 3,120,339KWN per QALY, BBT is 3,505,780KWN per QALY) are lower than the threshold, that could be covered by Korean National Health Insurance(KNHI). Conclusion : This study results showed that BJT was more cost-effective than BBT treating tinnitus patients for 10 weeks, and the cost per QALYs of both alternatives were lower than Korean national threshold.

엑스선에 의한 반도체 소자의 방사선 손상 (Radiation Damage of Semiconductor Device by X-ray)

  • 김동성;홍현승;박혜민;김정호;주관식
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제40권2호
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    • pp.110-117
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    • 2015
  • 최근 방사선을 이용한 반도체 검사장비 산업의 증가로 이에 대한 기술 연구 수요 또한 증가하고 있다. 반도체 검사장비는 저에너지 엑스선으로 최저 40 keV에서 최고 120 keV의 에너지 영역을 사용하고 있지만, 국내에서는 저에너지 엑스선이 주는 방사선 손상 연구가 미흡한 상황이다. 따라서 본 연구는 저에너지 엑스선을 이용하여 반도체 소자의 한 종류인 BJT (bipolor junction transistor)가 받는 방사선 손상에 관한 것이다. BJT는 NXP반도체사의 BC817-25(NPN type)를 사용하였으며, 엑스선 발생장치를 사용하여 엑스선을 조사하였다. BJT의 방사선 손상 여부는 엑스선 조사 전과 후에 전류 이득을 10으로 고정하고, 콜렉터 전류에 따른 콜렉터-이미터 전압을 측정하여 변화 정도를 분석하여 확인하였다. 엑스선 발생장치의 관전압은 40 kVp, 60 kVp, 80 kVp, 100 kVp, 120 kVp 등 다섯 가지로, 조사 시간은 60초, 120초, 180초, 360초, 540초 등 다섯 가지로 변수를 두었다. 실험 결과 BJT에서 저에너지 엑스선 즉, 120 keV 이하의 엑스선을 조사하여도 방사선 손상이 발생하는 것을 확인하였고, 특히 80 kVp에서 가장 큰 방사선 손상이 발생되었다. 이는 ELDRS (enhanced low dose rate sensitivity) 현상이 80 kVp을 기준으로 발생되는 것으로 판단된다. 본 연구의 결과는 저에너지 엑스선을 이용한 반도체 검사장비의 효율적인 선량관리와 엑스선 여과기의 연구 및 개발에 기여할 것으로 기대한다.

보청기를 위한 개별 BJT 소자의 효과적인 바이어스 회로 (An Efficient Bias Circuit of Discrete BJT Component for Hearing Aid)

  • 성광수;장형식;현유진
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제40권6호
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    • pp.16-23
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    • 2003
  • 본 논문에서 보청기를 위한 개별 BJT 소자의 효과적인 바이어스 회로를 제안한다. 보청기에 널리 사용되는 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 부귀환 저항을 가지고 있다. 이 저항은 AC와 DC에 동시에 영향을 줌으로서 DC 바이어스 점의 변화 없이 증폭기의 이득을 변화시키기 어렵다. 또한 기존회로는 보청기의 이득이 높을 경우 전원 잡음의 정귀환으로 발진할 수 있는 단점이 있다. 제안된 회로는 컬렉터 귀환 바이어스회로에 베이스와 전원 사이에 컬렉터 저항보다 β배 더 큰 저항을 추가하여 기존회로의 두 가지 단점을 줄일 수 있다. 제안된 회로에서 DC 바이어스 점의 변화 없이 증폭기의 이득을 변경 할 수 있고 모의실험에서 기존회로보다 전원 잡음 이득을 18.5%정도 감소시킬 수 있다.

BJT Gummel-Poon 모델 파라미터 추출 방법 (A Parameter Extraction Method for BJT Gummel-Poon Model)

  • 윤신섭;이성현
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.763-766
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    • 2003
  • A direct parameter extraction method using several two-port parameter equations derived in cutoff and active bias modes has been studied to obtain an accurate Gummel-Poon BJT model. First, dc model parameters were extracted from slopes and y-axis intercepts of I-V curve and Gummel plot. The pad capacitances and junction capacitance parameters were determined by using measured S-parameter sets in the cutoff bias. The resistance and transit time parameters were extracted by using measured S-parameter sets in the active bias.

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