A New Current Source Modeling of Silicon Bipolar Transistor for Wireless Transceiver Module

Silicon bipolar transistors (Si-BJT) are widely used in the telecommunication system such as short range wireless control and wireless indoor voice communication system. New modeling method for the internal current source model of Si-BJT is proposed. The proposed method based on new thermal resistance extraction method and new analytical expressions for the current source parameters of Si-BJT. The proposed method can directly extract the model parameters without any optimization procedure which is adopted in the conventional modeling method. The proposed method is applied to 5 finger $0.4\times20[{\mu}m^2]$ and the model shows good prediction of the measured data in $3[\%]$ of errors proving the validity of this method.

무선 송수신모듈용 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 새로운 전류원 모델링

근거리에서의 무선설비제어, 구내음성통신과 같은 전파통신설비의 송수신 모듈에 실리콘 바이폴라 트랜지스터가 많이 사용되고 있다. 이러한 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 내부 전류원에 대한 새로운 모델링 방법이 제시되었다. 제안된 방법은 Si-BJT의 새로운 열 저항 추출방법과 전류원 파라메터에 대한 새로운 해석적인 방정식에 기반을 두고 있다. 이 방법은 기존의 방법에서 채택된 반복적인 최적화 과정 없이 바로 파라메터를 구할 수 있다. 제안된 방법을 5개의 핑거를 가지는 $0.4\times20[{\mu}m^2]$ 의 Si-BJT에 이 방법을 적용시켰으며, 모델링된 데이터는 측정결과를 $3[\%]$ 이내의 오차로 잘 예측하였다.