• 한국통신학회논문지
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• 제27권5C호
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• pp.522-529
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• 2002

GaAs pHEMT 기술로 V-band 수신단 각 MMIC 회로들을 설계 제작하였다. 또한 이를 집적하여 V-band downconverter module을 제작하였다. 제작된 downconverter는 24 dBm의 출력을 내는 LO 구동 전력 증폭기, 20dB의 소신호 이득을 가지는 저잡음증폭기, -1.6dBm의 출력을 내는 active parallel type의 발진기, 6 dB 이상의 변환이득 특성을 나타내는 cascode type의 혼합기로 구성되어 있다. 이처럼 혼합기의 우수한 변환이득 특성은 밀리미터파 대역에서 변환 이득 특성을 키우기 위해 반드시 필요한 거대한 IF buffer amplifier의 필요를 없애 주었다. 완성된 downconverter module의 측정결과 별도의 IF buffer amplifier없이 57.5 GHz와 61.7 GHz 사이에서 20 dB 이상의 높은 변환이득을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.63-63
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• 2009

In this work, we demonstrate 800V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to observe static DC characteristics, such as a threshold voltage ($V_{TH}$) and a figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$). To optimize the static DC characteristics, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. Design parameters are optimized using 2D numerical simulations and the 4H-SiC DMOSFET structure results in high figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$>~$340MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B{\sim}1200V$ range.

• 한국진공학회지
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• 제11권3호
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• pp.151-158
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• 2002

Decaborane ($B_{10}H_{14}$) 이온 주입법으로 n-type Si (100) 기판에 ultra-shallow $p^{+}-n$ 접합을 형성시켰다. 이온 주입에너지는 5kV와 10kV, 이온 선량은 $1\times10^{12}\textrm{cm}^2$와 $1\times10^{13}\textrm{cm}^2$로 decaborane을 이온 주입시켰다. 이온 주입된 시료들은 $N_2$ 분위기에서 $800^\{\circ}C$, $900^{\circ}C$, $1000^{\circ}C$에서 10초 동안 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리를 하였다. 또한 가속에너지에 따른 결함을 확인하기 위해서 15 kV의 이온 주입 에너지에서 $1\times10^{14}\textrm{cm}^2$만큼 이온 주입하였다. 2 MeV $^4He^{2+}$ channeling spectra에서 15 kV로 주입된 시료가 bare n-type Si와 5 kV, 10 kV의 에너지로 주입된 시료보다 주입시 생긴 결함에 의해 backscattering yield가 더 높게 나타났으며 spectra로부터 얻은 이온 주입으로 인한 비정질층의 두께는 표면으로부터 가속전압이 5kV, 10kV, 15kV일 때 각각 1.9nm, 2.5nm, 4.3nm였다. 10 kV에서 이온 주입된 시료를 $800^{\circ}C$ 열처리 한 결과 결함의 회복으로 인해 bare Si와 비슷한 backscattering yield를 보였으며 이때의 계산된 비정질 층의 두께는 0.98 nm이었다. 홀 측정과 면저항 측정은 dopant의 활성화가 주입된 에너지, 이온 선량, 열처리 온도에 따라 증가함을 보여주었다. I-V 측정 결과 누설 전류 밀도는 열처리 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$까지 증가함에 따라 감소하였고 주입에너지가 5kV에서 10kV까지 증가함에 따라 증가하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제27권4호
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• pp.439-444
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• 1995

Preparative conditions and characteristics of six-vegetable and fruit juice were studied for the effects of mixing ratio, heat treatment and addition of sugar, salt and organic acid. The vegetables and fruit used were carrot(Ct), cabbage(Cg), pear(Pr), cucumber(Cr), celery(Cy) and dongchimi(Di). From the sensory results of mixing ratio of three of binary mixtures of Cg-Pr(1:3):Ct-Di(1:4):Cr-Cy(3:1), two ratios of 5.0:2.5:2.5(V-6A) and 6.0:2.0:2.0(V-6B) were suggested optimal for six-vegetable and fruit juice. Addition of 2% sucrose and 0.3% NaCl improved the preference significantly. The pH 4.0 for V-6A and pH 3.5 for V-6B were more prefered when pH was adjusted by citric acid. Heating the juice at $100^{\circ}C$ for 100 minutes slightly decreased pH and increased the acidity. Total solids and viscosity were also decreased by heating. All of those changes were more significant in V-6B than V-6A, probably due to lower pH. Heating the juice resulted in a slight decrease in L value and an increase in a and b values. Heating at $100^{\circ}C$ caused an increase in moldy flavor and a decrease in fresh vegetable flavor while heating at $80^{\circ}C$ for 20 minutes changed them little.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.93-101
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• 2013

본 논문은 경쟁업체 $F_B$가 q개의 상점을 운영하고 있는 상황에서 신규 업체 $F_A$가 시장 점유율을 최대로 하는 p,(p$V=V{\backslash}F_B$ 후보 노드들 중 최단거리를 기준으로 최대로 확보한 상위 노드들 q개를 선택하였다. q개 노드에 대해 포함-배제 원리를 적용하여 p개의 확보 고객수 합을 구해 경쟁을 통해 최대 값을 가진 노드 집합을 $F_A$의 상점 위치로 결정하는 경쟁 알고리즘이다. 제안된 경쟁 알고리즘은 q=5에 대해 p1,2,3,4의 상점 위치를 최적으로 간단히 결정하였으며, 시장 점유율도 최대로 높일 수 있음을 보였다.

• 한국동물위생학회지
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• 제16권2호
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• pp.127-137
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• 1993

Carbon tetrachloride ($CCl_4$) has been used to treat a variety of parasitic infection in both large and small animals, including Fasciola hepatica. Recently, we can easily contest with carbon tetrachloride in air, food, water, rain and Industry area etc. and it is using in order to induce liver injury in laboratory. In this study. we investigated activitis of LDH, ALP, AST and ALT and amount of cholesterol, triacylglycerol, glucose and BUN in mice serum exposed to $CCl_4.$ The mice divided Into a Naive control(A), corn oil control(B) and experimental group(C, D). Naive control group(A) was given feed and water only. Corn oil control group(B) was given corn oil 1ml /100g of body weight(B.W). Experimental group(C) was given carbon tetrachloride 1ml /100g B.W. ($CCl_4$： corn oil=1：20(V /V) ), Experimental group(D) was given carbon teterachloride 1ml /100g B.W. ($CCl_4$: corn oil=1：10(V /V) ). The results obtained were summarized as follows : 1) The body weight was declined after the l0th day In mice exposed to carbon tetra-chloride. 2) The total protein level in serum was significantly in mice exposed to carbon tetra-chloride($P{\leq}0.05$). The albumin and A /G ratio was decresed significantly in mice exposed to carbon tetrachloride($P{\leq}0.01$) 3) All of the activity of LDH, AST, ALT and ALP in mice serum exposed to carbon tetra chloride inclosed significantly activity of LDH ($P{\leq}0.05$), inclosed significantly activity of AST($P{\leq}0.05, \;p {\leq}0.01$), inclosed significantly activityof ALT 3nd ALP($P {\leq}0.05,\;p {\leq}0.01$). 4) The amount of cholesterol and triacylglycerol, lipid metabolite products in serum was inclosed in case of cholesterol but did not change in case of triacylglycerol.

• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.50-56
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• 2011

본 논문에서는 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 기반 이종접합 다이오드 전류 특성에 대한 연구가 진행되었고, b-ZnO (ZnO buffer layer) 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 p-Si(111) 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성 또한 연구되었다. X-ray diffraction (XRD) 방법을 이용하여 ZnO 박막의 구조적 특성을 측정하였고, semiconductor parameter analyzer를 이용하여 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 I-V 특성을 평가하였다. XRD 분석 결과 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 70 nm에서 ZnO 박막은 우세한 (002) 방향의 c-축 배향성을 갖는 육방정계(hexagonal wurtize) 결정 구조를 나타내었다. 전기적 특성인 운반자 농도, 비저항 값의 경우에는 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 50 nm에서 우수한 전기적 특성(비저항: $2.58{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$, 운반자 농도: $1.16{\times}10^{20}[cm^{-3}]$)을 보였다. 또한 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 전류 특성은 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서 버퍼막 두께가 증가할수록 전류 특성이 향상되는 경향을 보였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제3권2호
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• pp.62-75
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• 1986

An experimental investigation of the machining characteristics such as cutt- ing resistance, surface roughness and tool wear in turning the test pieces of SM45C steel with both coated and uncoated carbide tool tips under various cutting conditions was conducted. Also a specially designed simple vibration damping device was experimentally evaluated for its effectiveness on machined surface roughness and a vibration test was conducted to confirm its ability to reduce the amplitude. Based on these tests finding, the following conclusions are made; 1. The cutting resistance($\textrm{p}_{1}$) increases as the depth of cut(d) increases at fixed feed rate(f) over the cutting speed(v) range of 43-226 m/min and p decreses about 18% average when V is increased for fixed d and f. At V= 226m/min, $\textrm{p}_{1}$/for A, C tips are about the same level but $\textrm{p}_{1}$ for B tip is 15% less than A, C tips. 2. The specific cutting resistance(Ks) at V=226 m/min was derived for A, B, C tips respectively and the value of Ks for B rip is about 20% less than A, C tips. 3. The surface roughness(Ra) improves significantly as the cutting speed(V) is increased and this effect was greater when V>100 m/min. On the other hand, Ra deteriorates as the feed rate(f) is increased and this trend was accelerated when f>0.3 mm/rev. With regard to the difference of Ra values among A, B, C tips, at V=226m/min, d=0.4mm, and f=0.31-0.61mm/rev, Ra values for B.C tips are about 17% less than tip A. 4. The experimental tool wear equations were derived for A, B, C tips and from these equations, the tool life($\textrm{T}_{\textrm{L}}$) baced on the I.S.O. criteria was calculated to be $\textrm{T}_{\textrm{L}}$<$\textrm{T}_{\textrm{LB}}$<$\textrm{T}_{\textrm{LC}}$ for both flank wear($\textrm{V}_{\textrm{B}}$) and boundary wear($\textrm{V}_{\textrm{N}}$). Hence, the coated tips are superior to the uncoated tip and tip C is considered to be the best. 5. The cutting resistance may be slightly reduced and the surface rounghness improved when the damper is used especially when V>100 m/min. Therefore this damping device is considered to be effective and practical. The experimental surface roughness equations were also derived. Based on the vibration test, it is established that the surface roughness improvement was the result of amplitude reduction made possible by the damper.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권2호
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• pp.94-100
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• 2013

The elements B, P and As can each be implanted in silicon; for the fabrication of integrated semiconductor devices and the wells in CMOS (complementary metal oxide semiconductor). The implanted range due to different implanted species calculated using TRIM (Transport of Ions in Matter) simulation results was considered. The profiles of implanted samples could be measured using SIMS (secondary ion mass spectrometry). In the comparison between the measured and simulated data, some deviations were shown in the profiles of MeV implanted silicon. The Moliere, C-Kr, and ZBL potentials were used for the range calculations, and the results showed almost no change in the MeV energy region. However, the calculations showed remarkably improved results through the modification of the electronic stopping power. The results also matched very well with SIMS data. The calculated tolerances of $R_p$ and ${\Delta}R_p$ between the modified $S_e$ of TRIM and SIMS data were remarkably better than the tolerances between the TRIM and SIMS data.

• 대한환경공학회지
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• 제28권7호
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• pp.731-737
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• 2006

미국 Oak Ridge 연구소 관리지역에서 Inceptisol(Inc) 및 Utisol(Ult)이 지배적으로 분포된 토양층의 A- 및 B-층으로부터 채취한 물리화학적 특성이 잘 규명된 4종의 토양시료에 As(III) 및 As(V)를 흡착시킨 후 토양시료에 대한 추출용액의 비 1:100 조건에서 pH를 1.5로 고정시킨 생리학적 추출용액을 이용한 추출시험을 통하여 초기 노화조건에서의 비소의 생접근도(bioaccessibility) 및 As(III) 산화정도와 6개월간의 노화시간 경과에 따른 비소의 생접근도를 조사하였다. 토양시료에 As(C)를 주입시킨 후 48시간이 경과되었을 때 모든 토양시료에서, 특히 Ult-B, 빠르고도 강한 As(V)의 고정화(sequestration) 현상이 일어났다. 그렇지만 3개월이 지난 후에는 As(V)의 고정화에 큰 변화가 없었다. 동일한 토양시료에 As(III)를 인위적으로 오염시킨 후 48시간이 경과되었을 때 Inc-A 및 Ult-A 토양시료에서는 상당 분율의 As(III)가 As(V)로 산화되었다. 이러한 As(III)의 산화정도는 토양시료내의 망간 함량과 비례관계가 있는 것으로 나타났다. As(III)를 오염시킨 Inc-B 및 Ult-B 토양시료에서의 노화시간 경과에 따른 총비소의 생접근도 감소는 Inc-A 및 Ult-A 토양시료에서 얻어진 값보다 더 크게 나타났다. 이러한 경향은 철 함량이 풍부한 Inc-B 및 Ult-B 토양들이 As(III)로부터 산화된 As(V)를 지속적으로 고착화시킴에 따른 것으로 여겨지며 As(V)로 오염시킨 토양시료에서 얻어진 As(V) 고착화 정도와 유사한 경향을 나타내었다.