• 분석과학
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• 제6권2호
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• pp.217-223
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• 1993

저항가열식 진공중착기를 이용하여 실온(ambient temp.)과 $250^{\circ}C$에서 알루미나 기판 위에 Au/Cr, Au/Ni/Cr 및 Au/Pd/Cr 박막을 제조하였으며, 공기 중에서 $300^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $600^{\circ}C$의 온도로 각각 1시간 동안 열처리하였다. Au, Ni(또는 Pd) 및 Cr 박막의 두께는 각각 $1000{\AA}$, $300{\AA}$, 및 $50{\AA}$이었다. 박막 제조시 기판의 온도와 박막 제조 후 열처리 온도는 각 층의 상호확산으로 인하여 박막의 면저항값에 영향을 주었다. Auger depth profile 분석결과, Au/Cr 시스템에서는 기판의 온도는 $250^{\circ}C$로 하여 박막을 제조할 때 이미 Cr은 Au 표면으로 확산되었으며, 열처리 후에는 Au의 분포도만 변화하였다. Au/Ni/Cr과 Au/Pd/Cr 시스템의 경우 Ni와 Pd 모두 확산현상이 발견되었으며, 특히 Ni(약 45 at.%)는 Au 박막 표면으로 확산되어 산화되었다.

• 대한화학회지
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• 제42권6호
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• pp.607-617
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• 1998

$TiO_2(001)$ 박막을 Mo(100) 기판에 약 90${\AA}$ 두께로 적층 성장시키고 그 위에 Au를 증착시켜서 Au의 성장모드, 클러스터의 열적 변화, 열적 안정성, 증착량에 따른 Au 4f 전자 결합에너지의 변화를 오제 전자분광법, 열탈착 분광법, 이온 산란 분광법, X-선 광전자 분광법을 이용하여 연구하였다. Au는 $TiO_2(001)/Mo(100)$ 박막에 3차원적인 성장을 하며 낮은 온도에서 성장된 Au 클러스터는 높은 온도에서 성장된 것보다 보다 그 크기가 작고 온도가 높아지면서 클러스터는 비가역적으로 뭉친다. $TiO_2(100)/Mo(100)$에 증착된 Au의 열탈착은 1000 K부터 일어나며, 증착된 Au의 증착량이 많아질수록 더 높은 온도에서 나타난다. 선도 언저리 해석법으로 얻은 Au 클러스터의 탈착에너지는 약 50 kcal/mol이다. Au의 $TiO_2$ 박막에 대한 초기 흡착상수는 기판의 온도 200-600 K 사이에서는 거의 일정하였다. 400 K에서 $TiO_2$ 박막에 2.0 MLE 보다 적은 양의 Au가 증착된 경우에는 Au 4f의 전자 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 증가한다. 0.1 MLE의 경우에는 그 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 +0.30 eV 이동하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권4호
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• pp.9-15
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• 2008

Au와 Sn을 순차적으로 도금한 Au/Sn 범프를 플립칩 본딩하여 Au-Sn 솔더 접속부를 형성 후, 미세구조와 접속저항을 분석하였다. $285^{\circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 솔더 접속부는 $Au_5Sn$+AuSn lamellar 구조로 이루어져 있으며, 이 시편을 $310^{\circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우시 $Au_5Sn$+AuSn interlamellar spacing이 증가하였다. $285^{\circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 접속부는 15.6 $m{\Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었으며, 이 시편을 다시 $310^{\circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우 한 Au-Sn 접속부는 15.0 $m{\Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권1호
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• pp.56-63
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• 1995

MESFETs of the Ti/Au and Ti/Pd/Au gate were fabricated on n-type GaAs. Interdiffusion at Schottky interfaces, Schottky contact properties, and MESFET characteristics with heat treatment were investigated. Ti of Ti/Au contact and Pd of Ti/Pd/Au contact acted as a barrier metal against interdiffusion of Au at >$220^{\circ}C$. Pd of Ti/Pd/Au contact acted as a barrier metal even at >$360^{\circ}C$, however, Ti of Ti/Au contact promoted interdiffusion of Au instead of role of barrier metal. As the heat treatment temperature increases, in the case of both contact, saturated drain current and pinch off voltage decreased, open channel resistance increased, and degree of parameter variation in Ti/Au gate was higher than in Ti/Pd/Au gate at >$360^{\circ}C$ Schottky barrier height of Ti/Au and Ti/Pd/Au contacts was 0.69eV and 0.68eV in the as-deposited state, respectively, and Fermi level was pinned in the vicinity of 1/2Eg. As the heat treatment temperature increases, barrier height of Ti/Pd/Au contact increased, however, decreased at >$360^{\circ}C$ in the case of Ti/Au contact. Ideality factor of Ti/Au contact was nearly constant regardless of heat treatment, however, increased at >$360^{\circ}C$ in the case of Ti/Au contact. From the results above, Ti/Pd/Au was stable gate metal than Ti/Au.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.555-562
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• 1990

Alloyed ohmic contact properties of Au-Zn/Au, Au-Be/Au,Au-Zn/Cr/Au, and Au-Be/Cr/Au metal system to p-InP were investigated. Optimum alloying conditions were obtained at the annealing temperature of 425\ulcorner for all the metal systems using a rapid thermal annealing system. Surface AES analysis and auger depth profiling were done for each metal system annealed at the optimum conditions. Outdiffusions of In and P from the InP substrate were found in the metal systems without Cr intermediate layer. Also, small amount of In. P and Cr were detected at the surface in the case of Au-Zn/Cr/Au system, while there were occured no outdiffusion of In, P, and Cr for Au-Be/Cr/Au system. The best surface morpholoty and specific contact resistivity of 4.5x 10**-5 \ulcornercm\ulcornerhave been obtained in this Au-Be/Cr/Au material system alloyed at 425\ulcorner for 60 second.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권2호
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• pp.147-149
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• 1999

The electronic structures of α- and β-gold selenides are studied. α- and β-AuSe are known as mixed valence compounds having linear (AuSe2, Au+) and square-planar (AuSe4, Au3+) units in their structure simultaneously. Our EHTB calculations, however, show that the oxidation states of Au in α- and β-AuSe are both close to +1. This is because the frontier orbitals are largely made up of Se p-orbitals and Au d-orbitals that lie well below the Fermi level. Our results are consistent with the recent X-ray absorption spectroscopy study on AuSe which show that all Au in the compound exhibit a monovalent state independent of their chemical environments.

• 한국재료학회지
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• 제27권4호
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• pp.229-235
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• 2017

Through density functional theory calculations, to provide insight into the origins of the catalytic activity of Au nanoparticles (NPs) toward oxidation reactions, we have scrutinized the oxygen adsorption chemistry of 9 types of small unsupported Au NPs of around 1 nm in size (Au13, Au19, Au20, Au25, Au38, and Au55) looking at several factors (size, shape, and coordination number). We found that these NPs, except for the icosahedral Au13, do not strongly bind to $O_2$ molecules. Energetically most feasible $O_2$ adsorption that potentially provides high CO oxidation activity is observed in the icosahedral Au13, our smallest Au NP. In spite of the chemical inertness of bulk Au, the structural fluxionality of such very small Au NP enables strong $O_2$ adsorption. Our results can support recent experimental findings that the exceptional catalytic activity of Au NPs comes from very small Au species consisting of around 10 atoms each.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.179-179
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• 1999

Cu3AU(100) 단결정은 fcc 구조를 가지고 있으며 (100)면은 Cu와 Au가 1:1로 존재하고 가운데(200)면은 Cu만 존재한다. 따라서 Au 층은 (100)면에서만 존재하여 각 Au층은 서로 0.5nm 떨어져 있다. 이와 같은 Cu3Au(100) 단결정을 MEIS(Medium Energy Ion Scattering Spectroscopy) 실험 장비를 사용하여 0.35nm 떨어져 있는 Single unit cell의 윗면과 아래면, 즉 첫 층의 Au와 셋째층의 Au의 층분리를 통해서, 온도 변화에 따른 Cu3Au(100) 단결정의 표면 물리적 현상인 surface induced disorder을 밝혀내고자 한다. 우선 두 Au층의 분리 시도는 수소이온을 이용한 실험 조건에서는 extremely glancing exit angle 등 극한의 산란조거에서도 성공하지 못하였다. 깊이 분해능을 정해주는 electronic energy loss를 극대화하기 위해 수소이온이 아닌 질소 이온을 사용하여 energy spectra를 측정해 본 결과 아래 그림에서와 같이 표면 Au 층과 표면 셋째 Au층을 구분할 수 있었다. <110>으로 align된 조건에서는 셋째층의 Au 원자들이 완전히 shadow cone 내부에 존재하여 관측되지 않지만 9.75$^{\circ}$ tilt 한 경우 셋째층의 Au 원자들이 shadow cone 바깥으로 나오게 되어 그림에서와 같이 첫째 층과 셋째 층이 확실히 분리되어 측정되었다. 이를 바탕을 Cu3Au(100)의 온도변화에 다른 order disorder and segregation 현상을 측정하였다. ordered Cu3Au(100)은 28$0^{\circ}C$ 근처에서 surface층이 먼저 disordered상으로 바뀌는 surface induced disorder 현상이 일어나고 bulk transition 온도 39$0^{\circ}C$ 이하에서 R.T으로 온도를 낮추면 본래의 ordered 구조로 되돌아간다. 하지만 bulk transition 온도를 지나면 order-disorder transition이 비가역적이고 segregation 현상이 일어난다.

• 한국표면공학회지
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• 제55권6호
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• pp.408-416
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• 2022

In this study, the effect of Au-Sn alloy coating on reliability of electrical contacts was investigated via comparison with Au-Co alloy coating. The results show that Au-Sn alloy exhibited lower contact resistance and higher solder spreadability than those of Au-Co alloy after thermal aging. In the case of Au-Co alloy plating, the underlying Ni element diffused into Au-Co layer to form Ni oxides on surface during thermal aging, leading to increased contact resistance and decreased solder spreadability. Meanwhile, for Au-Sn alloy plating, Au-Ni-Sn metallic compound was formed at the interface between Au-Sn layer and underlying Ni layer. This compound acted as a diffusion barrier, thereby inhibiting the diffusion of Ni to Au-Sn layer during thermal aging. Consequently, Au-Sn alloy layer showed better contact reliability than that of Au-Co alloy layer.

• 한국진공학회지
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• 제16권6호
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• pp.433-438
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• 2007

열처리 온도에 따른 Au 결정립 크기의 변화와 표면 거칠기 및 전기전도도를 연구하기 위해 dc 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 Si(111) 또는 Si(100) 기판위에 Au (30nm) 와 Ta (5 nm)/Au (30 nm) 를 증착하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 시료의결정립 크기가 증가하였고, 박막 표면 거칠기 또한 증가함을 확인하였다. Si/Au보다Si/Ta/Au구조에서 결정립 크기가 증가하였고 표면거칠기는 감소되었으며 Si(111)기판보다 Si(100) 기판위의 Ta/Au구조에서 전기 저항이 감소되었다. Si(100)/Au구조에 5 nm 두께의 Ta의 buffer layer를 삽입하여 표면 거칠기 정도를 낮춤과 동시에 열처리 온도를 적절히 조절하여 결정립 크기를 증가시킴으로서 전도성이우수한 양질의 Au 박막을 얻을 수 있었다.