• 기록학연구
• /
• 제45호
• /
• pp.5-50
• /
• 2015

ICA는 소규모 기록관을 지원하기 위해 2010년 웹 기반의 기록물 기술 소프트웨어인 AtoM 공개버전을 무료로 배포했다. AtoM 프로젝트의 목적은 단일기관, 혹은 복수의 기관이 웹을 통해 ICA 기술표준에 따라 기록물을 기술하고 온라인을 통해 접근을 제공하는 것이다. 기술적 전문성을 공유함으로써 실무경험을 촉진하고 사용자와 개발자들의 활발한 커뮤니티를 조성하는 것이 AtoM 프로젝트의 가치라 할 수 있다. 최근 국내 기록관리 분야에 오픈소스 소프트웨어에 대한 관심이 커지고 있다. 이러한 관심은 비용절감 외에도 기술종속성을 탈피하고 실무에서의 요구사항을 스스로 해결하려는 측면이 있다. 이 연구는 AtoM 시스템 구축을 위한 범용의 실제적 방법론이 없다는 데 문제의식을 가지고 있다. AtoM을 그대로 사용할 때에도 기존 데이터의 마이그레이션이나 사용자 인터페이스를 개선하는 등의 기본 작업이 반드시 필요하다. 따라서 본고에서는 AtoM 소프트웨어를 기반으로 아카이브 시스템을 구축하고 커스터마이징하기 위한 절차와 방법론을 제시하였다.

• 공업화학
• /
• 제21권3호
• /
• pp.311-316
• /
• 2010

본 연구는 높은 분산 안정성을 유지하는 antimony-doped tin oxide (ATO) 분산액을 제조하기 위하여, 습식 볼밀법으로 분쇄시간에 따른 ATO의 입자크기, 입도분포, 분산성의 변화를 고찰하였다. 또한 각각의 습식 볼밀 처리된 ATO 분산액의 pH를 변화시켜 ATO 분산액의 분산 특성을 고찰하였다. 습식 볼밀 분쇄 조건에 의하여 ATO의 입자크기 및 입도 분포 변화는 레이저회절 입도분석기와 주사전자현미경을 이용하여 평가하였고, 습식 볼밀 분쇄 시간 및 pH조건에 따른 ATO 입자의 분산성은 제타전위 측정법과 다중광산란(multiple light scattering)법을 이용하여 평가하였다. 분쇄 조건 중 60 min 동안 처리된 ATO 입자 크기는 30% 이하로 작아지고, $1{\sim}35{\mu}m$에서 $0.1{\sim}5{\mu}m$로 입도분포를 갖는 균일한 입자를 얻을 수 있었다. 그러나 분쇄조건을 60 min 이상 처리한 것은 역분쇄 및 재응집 현상의 발생으로 인하여 한계 분쇄 시간이 나타나는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과로부터 ATO 분산액은 습식 볼밀 분쇄 시간을 증가시킬수록 입자 크기가 감소하고 표면 에너지가 증가하여 입자간의 반발력이 커지게 됨을 알 수 있었고, 또한 용액의 pH를 증가시킬수록 입자의 표면 이온화도가 커짐으로 인하여 ATO 분산액의 분산성이 향상되는 것을 알 수 있었다.

• 기록학연구
• /
• 제43호
• /
• pp.5-42
• /
• 2015

한류3.0은 기존의 문화콘텐츠 뿐만 아니라 전통문화, 문화예술을 포괄하는 'K-Culture'를 핵심어로 내세우며 한국적인 모든 것을 한류문화콘텐츠의 재료로 삼고 있다. 한류문화콘텐츠는 현재 우리 사회상을 반영하는 중요한 증거적 가치를 지닌 기록물로써 보존할 필요성이 있다. 이러한 사회적 환경과 함께, 본 연구에서는 다양한 한류문화콘텐츠들에 대한 현황분석을 통하여 체계적인 기록관리를 위한 AtoM 기반의 기록관리시스템을 제안하고자 하였다. 최근 한류문화콘텐츠 관리는 K-Pop, K-Food, K-Movie 등 특정분야의 단체가 개별적으로 진행하고 있지만 해당 분야 내에서도 관련 기관간의 연계가 부족하여 정보 축적이 제한적이며 콘텐츠에 대한 재생산 또한 미흡한 실정이라고 할 수 있다. 이에 본 연구는 한류문화콘텐츠의 기록화를 위해 오픈소스 소프트웨어인 Access to Memory(AtoM)를 사용하였다. AtoM은 기록의 수집에서부터 축적 및 분류, 기술, 목록관리, 검색 등의 기록관리 기능을 지원하며 무료로 사용가능한 웹 기반의 소프트웨어라는 장점이 있다. 한류문화콘텐츠의 기록화를 위해 기록관리시스템의 기능요건에 따라 AtoM을 적용하였다. 특히 K-Food와 관련된 기록콘텐츠를 모델로 선정하여 관련 기록물을 수집 및 분류하였으며 ISAD(G) 표준에 맞추어 기술하였다. 마지막으로 AtoM을 이용한 한류문화콘텐츠 기록화에 대한 기대효과와 한계 및 연구의 의의를 밝혔다.

• Molecules and Cells
• /
• 제26권2호
• /
• pp.158-164
• /
• 2008

Arsenic trioxide (ATO) affects many biological processes such as cell proliferation, apoptosis, differentiation and angiogenesis. L-buthionine sulfoximine (BSO) is an inhibitor of GSH synthesis. We tested whether ATO reduced the viability of lung cancer A549 cells in vitro, and investigated the in vitro effect of the combination of ATO and BSO on cell viability in relation to apoptosis and the cell cycle. ATO caused a dose-dependant decrease of viability of A549 cells with an $IC_{50}$ of more than $50{\mu}m$. Low doses of ATO or BSO ($1{\sim}10{\mu}m$) alone did not induce cell death. However, combined treatment depleted GSH content and induced apoptosis, loss of mitochondrial transmembrane potential (${\Delta}{\Psi}_m$) and cell cycle arrest in G2. Reactive oxygen species (ROS) increased or decreased depending on the concentration of ATO. In addition, BSO generally increased ROS in ATO-treated A549 cells. ROS levels were at least in part related to apoptosis in cells treated with ATO and/or BSO. In conclusion, we have demonstrated that A549 lung cells are very resistant to ATO, and that BSO synergizes with clinically achievable concentration of ATO. Our results suggest that combination treatment with ATO and BSO may be useful for treating lung cancer.

• 전기화학회지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.141-146
• /
• 2008

안티몬 도핑된 주석 산화물(ATO)에 담지된 백금 촉매(Pt/ATO)의 에탄올 산화반응에 대한 활성과 전기화학적 안정성을 평가하였다. Pt 콜로이드 입자를 ATO 입자에 담지하여 Pt/ATO 촉매를 제조하였으며, 제조된 촉매는 X-ray diffraction, transmission electron microscopy (TEM), 그리고 cyclic voltammetry를 이용하여 평가하였다. Pt/ATO 촉매의 에탄올 산화 활성은 Pt/C, PtRu/C에 비해 크게 우수하였다. Pt/ATO 촉매의 전기화학적 안정성 또한 Pt/C에 비해 우수하였으며, TEM 사진을 통하여 확인한 결과 Pt/ATO의 안정성은 Pt입자의 성장 속도가 Pt/C에 비해 느리기 때문인 것으로 확인되었다. 위의 결과로부터 ATO 나노입자가 직접 에탄올 연료전지용 담지체로서, 활성 및 안정성 향상을 기대할 수 있는 물질임을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제33권7호
• /
• pp.735-742
• /
• 1996

Antimony-doped Tin oxide (ATO) thin films were deposited on soda-lime glass substrates by DC magnetron sputtering technique. Effects of DC power film thickness and post heat-treatment on electrical conductivity of ATO film were investigated. Other properties of ATO film such as optical anti-chemical and wear properties were also reported in this work. The obtained ATO films showed electrical resistivities ranging from 5$\times$10-3 $\Omega$cm to 3$\times$10-3 $\Omega$cm with the average optical transparency above 80% in visible wavelength range and excel-lent anti-chemical properties where the electrical resistivity was not changed even after soaking the films in 1M HCl or 1M NaOH solution for 10 days. These properties were found to be related to the crystallinity of ATO film and the films having higher crystallinity showed better properties.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제39권4호
• /
• pp.386-393
• /
• 2002

본 연구는 티탄산칼륨 섬유(K2O·$nTiO_2$)를 제조한 후, 도전율이 우수한 Sb-doped $SnO_2$(ATO: Antimony Tin Oxide)를 티탄산 칼륨 섬유에 코팅하는 기술을 개발하는데 목적이 있다. 티탄산칼륨 섬유는 서냉 소성법으로 제조하였으며 섬유의 평균 길이는 $15{\mu}m$, 평균 직경은 $0.5{\mu}m$이었다. ATO를 졸-겔법, 공침법, 균일침전법등 세가지 방법으로 티탄산칼륨 섬유에 코팅 하였으며 ATO 코팅된 티탄산칼륨 섬유는 ATO 함량(5∼70 wt%), Sb 함량(0∼20 wt%), 온도($450∼800^{\circ}C$), 수세 여부 및 회수(3∼4회) 등을 변화 시키며 비저항 변화를 관찰하였다. 공침법의 경우 ATO 함량이 30wt%에서 103${\Omega}$·cm 낮은 비저항을 나타내었으며, 그 이상의 함량에서는 거의 일정한 값($60{\Omega}{\cdot}cm∼90{\Omega}{\cdot}$cm)을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제21권4호
• /
• pp.388-394
• /
• 2008

For purpose of anti-static film remaining unchanged in the condition of $160^{\circ}C$, organic solvent, acid and base solution $0.01\sim0.03{\mu}m$ particles of Sb doped tin oxide(ATO) were grafted by 3-Glycidyloxypropyltrimethoxysilane(GPTS) for improving interfere bonding force between ATO and epoxy resin. The particles were dispersed in 2-methoxyethanol with YD-I28(Bisphenol A type epoxy resin, Kukdo chemical) and 1-imidazole as hardener. The anti-static solutions were coated on PI film as thickness of $0.1{\mu}m$. Surface resistivity of anti-static film containing conductive polymer became $10^{12}\Omega/\Box$ after 32 hours in $160^{\circ}C$. The surface resistivity of ATO grafted by GPTS / Epoxy coating layer remained as $10^{7.6}\Omega/\Box$ in $160^{\circ}C$ for 7 days. ATO grafted by GPTS / Epoxy coating layer coated on PI film was dipped in acetone for 7 days. The surface resistivity remained unchanged as $10^{7.6}\Omega/\Box$. The anti-static layer dipped in water solutions containing each KOH 10 wt % and $H_2SO_4$ 2 wt% was ultra-sonicated for 10 minutes per once until 30th. The surface resistance of anti-static layer containing ATO grafted by GPTS remained unchanged.

• 한국분말재료학회지
• /
• 제25권1호
• /
• pp.54-59
• /
• 2018

Sb-doped $SnO_2$ (ATO) transparent conducting films are fabricated using horizontal ultrasonic spray pyrolysis deposition (HUSPD) to form uniform and compact film structures with homogeneously supplied precursor solution. To optimize the molar concentration and transparent conducting performance of the ATO films using HUSPD, we use precursor solutions of 0.15, 0.20, 0.25, and 0.30 M. As the molar concentration increases, the resultant ATO films exhibit more compact surface structures because of the larger crystallite sizes and higher ATO crystallinity because of the greater thickness from the accelerated growth of ATO. Thus, the ATO films prepared at 0.25 M have the best transparent conducting performance ($12.60{\pm}0.21{\Omega}/{\square}$ sheet resistance and 80.83% optical transmittance) and the highest figure-of-merit value ($9.44{\pm}0.17{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$). The improvement in transparent conducting performance is attributed to the enhanced carrier concentration by the improved ATO crystallinity and Hall mobility with the compact surface structure and preferred (211) orientation, ascribed to the accelerated growth of ATO at the optimized molar concentration. Therefore, ATO films fabricated using HUSPD are transparent conducting film candidates for optoelectronic devices.

• 한국재료학회지
• /
• 제9권5호
• /
• pp.533-537
• /
• 1999

ATO(Sb doped $SnO_2$) thin films whose thicknesses were 600, 1100 and $2100\AA$ were prepared by DC magnetron sputtering method. They showed the lowest resistivity at DC sputtering power 0.24kW and had lower resistivity with increasing thickness. The power dependence of resistivity among ATO thin films was also different with thickness. The increase of carrier concentration in ATO thin films was responsible for the decrease of resistivity with thickness increase. ATO thin films which were prepared at 30sccm oxygen flow rate showed a great change of sheet resistance under 1M HCl solution. The investigation of SAM(Scanning Auger Microprobe) revealed that oxygen atomic percentage on the surface of ATO thin films was changed. The decrease of sheet resistance also occurred when ATO thin films, prepared at 30sccm oxygen flow rate, were exposed to air for a long period of time. For this reason, it was considered that the desorption of oxygen on ATO surface was accelerated by HCl.