• 제목/요약/키워드: Ar-$H_2$

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PSA 공정에 의한 이성분 및 삼성분 혼합기체로부터 수소분리 (Hydrogen Separation from Binary and Ternary Mixture Gases by Pressure Swing Adsorption)

  • 강석현;정병만;최현우;안의섭;장성철;김성현;이병권;최대기
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제43권6호
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    • pp.728-739
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    • 2005
  • 활성탄을 흡착제로 이용한 2bed-6step PSA 공정에서 이성분 혼합기체 $H_2/Ar$(80%/ 20%)와 삼성분 혼합기체 $H_2/Ar/CH_4$(60%/ 20%/ 20%)의 수소 분리를 연구하였다. 비등온-비단열 상태에서 LRC 등온식과 LDF 모델을 고려하여 공정실험과 공정모사를 하였으며, 주기정상상태에 도달할 때까지 탑 내의 농도와 온도변화를 각각 알아보았다. 두 공정 모두에서 수소에 대한 순도 99%와 회수율 75%의 결과를 얻을 수 있었다. 이때, PSA 공정에 미치는 영향으로는 공급유량, 흡착압력 그리고 P/F ratio를 변수로 실험과 전산모사를 수행하여 결과를 비교하였다. 이 결과로부터, 다성분에서 최적의 공정조건을 결정에서 중요한 결정요인과 삼성분에서 최적의 공정조건을 알아보았다.

High density plasma etching of novel dielectric thin films: $Ta_{2}O_{5}$ and $(Ba,Sr)TiO_{3}$

  • Cho, Hyun
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.231-237
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    • 2001
  • Etch rates up to 120 nm/min for $Ta_{2}O_{5}$ were achieved in both $SF_{6}/Ar$ and $Cl_{2}/Ar$ discharges. The effect of ultraviolet (UV) light illumination during ICP etching on $Ta_{2}O_{5}$ etch rate in those plasma chemistries was examined and UV illumination was found to produce significant enhancements in $Ta_{2}O_{5}$ etch rates most likely due to photoassisted desorption of the etch products. The effects of ion flux, ion energy, and plasma composition on (Ba, Sr)$TiO_3$ etch rate were examined and maximum etch rate ~90 nm/min was achieved in $Cl_{2}/Ar$ ICP discharges while $CH_{4}/H_{2}/Ar$ chemistry produced extremely low etch rates (${\leq}10\;nm/min$) under all conditions.

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Expression and Secretion of Foreign Proteins in Yeast Using the ADH1 Promoter and 97 K Killer Toxin Signal Sequence

  • Hong, Seok-Jong;Kang, Hyen-Sam
    • BMB Reports
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    • 제31권2호
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    • pp.123-129
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    • 1998
  • Foreign proteins, $endo-{\beta}-1,4-glucanase$ of Bacillus subtilis, preS1+S2 region of hepatitis B virus large surface antigen, human ${\beta}_2-adrenergic$ receptor ($h{\beta}_{2}AR$), and bovine growth hormone (bGH) were expressed in Saccharomyces cerevisiae and secreted into the medium. These proteins were expressed using the alcohol dehydrogenase I (ADH1) promoter of Saccharomyces cerevisiae and secreted by signal sequence of the 97 K killer toxin gene of doublestranded linear DNA plasmid (pGKL1) of S. cerevisiae. All these proteins underwent severe modifications; in particular, N-glycosylation in the case of $endo-{\beta}-1,4-glucanase$, $h{\beta}_2AR$, and preS1+S2. Seventy four percent of the expressed $endo-{\beta}-1,4-glucanase$ was secreted into the culture medium. Highly modified proteins were detected in the culture medium and in the cell. Expressed $h{\beta}_2AR$, which has seven transmembrane domains, remained in the cell. The degrees of secretion and modification and the states of proteins in the culture medium and in the cell were quite different. These results indicated that the nature of the protein has a critical role in its secretion and modifications.

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PECVD 이용한 비정질 실리콘형 마이크로 볼로미터 특성 (Properties of the Amorphous Silicon Microbolometer using PECVD)

  • 강태영;김경환
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제11권4호
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    • pp.19-23
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    • 2012
  • We report microbolometer characteristic with n-type and p-type amorphous silicon thin film. The n-type and p-type amorphous silicon thin films were made by PECVD. The electrical properties of n-type and p-type a-Si:H thin films were investigated as a function of doping gas flow rate. The doping gas used $B_2H_6/Ar$ (1:9) and $PH_3/Ar$ (1:9). In general, the conductivity of doping a-Si:H thin films increased as doping gas increase but the conductivity of a-Si:H thin films decreased as the doping gas increase because doping gas concentration increase led to dilution gas (Ar) increase as the same time. We fabricated an amorphous silicon microbolometer using surface micromachining technology. The fabricated microbolometer had a negative TCR of 2.3%. The p-type microbolometer had responsivity of $5{\times}10^4V/W$ and high detectivity of $3{\times}10^8cm(Hz)^{1/2}/W$. The p-type microbolometer had more detectivity than n-type for less noise value.

Feasibility Study of Employing a Catalytic Membrane Reactor for a Pressurized CO2 and Purified H2 Production in a Water Gas Shift Reaction

  • Lim, Hankwon
    • 청정기술
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    • 제20권4호
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    • pp.425-432
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    • 2014
  • 이 논문은 촉매막반응기(catalytic membrane reactor)에서의 중요한 두 요소인 수소선택도와 수소투과량 및 Ar sweep 유량과 압력이 수성가스전이반응의 성능에 미치는 영향에 대하여 1차원 반응기모델과 반응속도식에 근거한 연구결과를 나타내고 있다. 연소전 이산화탄소 포집의 한 방법으로서, 촉매막반응기를 사용하여 원통부분에서는 고압/고농도의 이산화탄소를 관부분에서는 고순도의 수소를 동시에 얻을 수 있는지에 대한 가능성을 검토하였다. 또한, 고농도의 이산화탄소와 고순도의 수소를 동시에 얻기 위해 필요한 수소투과량, 수소선택도, Ar sweep 유량 및 압력에 대한 지침을 나타내었다. 그 결과 $1{\times}10^{-8}molm^{-2}s^{-1}Pa^{-1}$의 수소투과량과 10000의 수소선택도를 가진 막을 장착한 촉매막반응기에서는 8 atm의 압력과 $6.7{\times}10^{-4}mols^{-1}$의 Ar sweep 유량의 조건하에서 약 90%의 농도를 가진 이산화탄소와 100%의 순도를 가진 수소가 동시에 얻어짐이 밝혀졌다.

Aminopropyl-Terminated Polydimethylsiloxane과 Trichlorogermyl 곁가지 그룹을 갖는 Polyamide 블록공중합체의 합성, 구조분석 및 열적거동 (Synthesis, Structural Characterization and Thermal Behaviour of Block Copolymers of Aminopropyl-Terminated Polydimethylsiloxane and Polyamide Having Trichlorogermyl Pendant Group)

  • Gill, Rohama;Mazhar, M.;Mahboob, Sumera;Siddiq, Muhammad
    • 폴리머
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    • 제32권3호
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    • pp.239-245
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    • 2008
  • Block copolymers of the general formula $[(-CO-R'-CO-HN-Ar-NH-CO-R'-CO)_xNH(CH_2)_3-(Me_2SiO)_y(CH_2)_3NH_2]_n$, [n=18.00 to 1175.0] where $R'=CH_2CH(CH_2GeCl_3)$;$CH_2CHGeCl_3CH_2$; and $Ar=-C_6H_4$;$-(o.CH_3C_6H_4)_2$;$-o.CH_3OC_6H_4)_2$;$-(o.CH_3C_6H_4)$ were prepared by a polycondensation reaction of polyamide containing a pendant trichlorogermyl group and terminal acid chloride $Cl(-CO-R'-CO-NH-Ar-NH-CO-R'-CO-)_xCl$ with aminopropyl-terminated polydimethylsiloxane $H_2N(CH_2)_3(Me_2SiO)_y-(CH_2)_3NH_2]$, (PDMS). These polymers were characterized by elemental analysis, $T_g$, FT-IR, $^1H$-NMR, solid state $^{13}C$-NMR, and molecular weight determination. The thermal stability of these copolymers was examined using thermal analysis techniques, such as TGA and DSC. Their molecular weights as determined by laser light scattering technique ranged $5.13{\times}10^5$ to $331{\times}10^5\;g/mol$. These polymers display their $T_g$ in the range of 337 to $393^{\circ}C$ with an average decomposition temperature at $582^{\circ}C$.

수소 Plasma 처리 후의 MgO 보호막에 대한 일함수 변화 측정 (Measurement of Changes in Work Function on MgO Protective Layer after H2-plasma Treatment)

  • 정재천;이석주;조재원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권7호
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    • pp.611-614
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    • 2007
  • The changes in the work $function({\Phi}_w)$ in the MgO protective layers after $plasma(Ar,\;H_2)$ treatment have been studied using ${\Upsilon}-focused$ ion beam $({\Upsilon}-FIB)$ system. The ${\Phi}_w$ was determined as follows: Ar-plasma $treatment({\Phi}_w=4.52eV)$, $H_2-plasma$ $treatment({\Phi}_w=5.65eV)$, and non-plasma $treatment({\Phi}_w=4.64eV)$. The results indicated that the H-plasma could not make any effective physical etching due to the small masses of hydrogen atoms and molecules while the hydration of H-plasma could grow some contaminating materials on the surface of MgO.

$BCI_3/H_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 GaN의 건식 식각에 관한 연구 (Reactive Ion Etching of GaN Using $BCI_3/H_2/Ar$ Inductively Coupled Plasma)

  • 김성대;정석용;이병택;허증수
    • 한국재료학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.179-183
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    • 2000
  • $BCI_3/H_2/Ar$ ICP(Inductively Coupled Plasma)를 이용한 GaN이 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각 특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 식각속도와 측벽수직도 공히 ICP 전력, bias 전압과 $BCI_3$ 조성의 증가, 공정압력의 감소에 의해 현저히 증가하며, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, $BCI_3$조성이 가장 큰 영향을 미쳤다. 표면거칠기는 bias 전압 증가에 의해 크게 향상, $BCI_3$ 조성의 감소에 따라 향상되었으며 다른 변수는 큰 영향을 미치지 않았다. 결과적으로 ICP 전력 900W, bias 전압 400V, $BCI_3$ 조성 60%, 공정압력 4mTorr의 조건에서 175nm/min 정도의 $CI_2$ 사용 시와 유사한 높은 식각속도와 평탄한 표면이 얻어졌다. Bias 전압이 낮은 경우 식각 후 시료 표면에 $GaC_x$로 추정되는 식각부산물이 관찰되었다.

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저압 $C_6H_6/Ar/O_2$ 화염에서 PAHs 생성 특성 및 플러렌$(C_{60},\;C_{70})$ 합성에 대한 연구 (PAHs Formation Characteristics and Fullerenes $(C_{60},\;C_{70})$ Synthesis in a Low-Pressure $C_6H_6/Ar/O_2$ Flame)

  • 이교우;김용우;황정호;정종수;최만수
    • 한국연소학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.36-44
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    • 2002
  • Carbon molecules with closed-cage structures are called fullerenes $(C_{60},\;C_{70})$, whose applications include super-conductors, sensors, catalysts, optical and electronic device, polymer composites, and biological and medical materials. The synthesis of fullerenes has been recently studied with low-pressure benzene/argon/oxygen flames. The formation of fullerene is known as molecular weight growth processes of PAHs (polycyclic aromatic hydrocarbon). This study presents results of PAHs and fullerene measurements performed in a low-pressure benzene/argon/oxygen normal co-flow laminar diffusion flame. Through the central tube of the burner, benzene vapors carried by argon are injected. The benzene vapors are made in a temperature-controlled bubbler. The burner is located in a chamber, equipped with a sampling system for direct collection of condensable species from the flame, and exhausted to a vacuum pump. Samples of the condensable are analyzed by HPLC (High Performance Liquid Chromatography) to determine the yields of PAHs and fullerene. Also, we computed mole fraction of fullerene and PAHs in a nearly sooting low pressure premixed, one-dimensional benzene/argon/oxygen flame (equivalence ratio ${\Phi}=2.4$, pressure=5.33kPa). The object of computation was to investigate the formation mechanism of fullerenes and PAHs. The computations were performed with CHEMKIN/PREMIX. As a result of this study, fullerenes were synthesized in a low pressure (20torr) $C_6H_6/Ar/O_2$ flames and the highest concentration of fullerene was detected just above the visible surface of a flame.

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막반응기에서의 수성가스전이반응의 성능 분석 (Performance Analysis of Water Gas Shift Reaction in a Membrane Reactor)

  • 임한권
    • 공업화학
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    • 제25권2호
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    • pp.204-208
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    • 2014
  • 본 연구는 1차원 반응기 모델을 이용한 수치 시뮬레이션을 통해 수소투과량, 수소선택도, 사용된 촉매의 양, 급송흐름에서의 $H_2O/CO$ 조성비 및 Ar sweep gas가 막반응기(membrane reactor)에서의 수성가스전이반응의 성능에 미치는 영향을 분석하였다. 막반응기에서 평형상태보다 향상된 수소수율을 얻기 위해선 적어도 100 이상의 수소선택도를 가져야 함이 관찰되었으며, 수소투과량이 계속 증가될 경우에는 수소수율의 증가폭이 점차 감소됨이 보였다. 낮은 수소투과량의 경우에는 촉매량이 증가할수록 초기엔 증가된 CO 전환율을 보이다가 점차 그 증가폭이 감소되었으며, 높은 수소투과량의 경우에는 촉매의 양과 무관하게 높은 CO 전환율이 관찰되었다. 급송흐름에서의 $H_2O/CO$ 조성비가 1.5 이상인 경우엔 수소투과량이 막반응기에서의 CO 전환율에 미치는 영향이 미미하였고, 막반응기에서 평형상태보다 향상된 CO 전환율을 얻기 위해선 적어도 $6.7{\times}10^{-6}mol\;s^{-1}$ 의 Ar 몰유속이 필요함이 밝혀졌다.