• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.93-94
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• 2006

나노급 CMOS 기술에서 high-k 물질을 이용하여 게이트 유전막을 형성하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 high-k 물질인 $TiO_2$의 특성에 대한 연구를 수행하였다. $TiO_2$를 APCVD법으로 p-type 실리콘 기판에 $50{\AA}{\sim}300{\AA}$ 두께로 증착하였고, evaporator를 이용하여 $TiO_2$ 박막위에 Al을 증착하여 MIS소자를 제작하였다. 두께를 가변 하여 Capacitance-Voltage (C-V) 특성을 측정, 분석하였다.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2010년 춘계학술대회논문집
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• pp.567-570
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• 2010

With continuously increasing flat panel display size, uniformity of thin film deposition has been drawing more attentions and associated fabrication methodologies are being actively investigated. Since the convective flow field of mixture gas plays a significant role for deposition characteristics of thin film in an APCVD system, it is greatly important to maintain uniform distribution and consistent concentration of mixture gas species. In this paper, computational study has been performed for the improvement of flow uniformity of mixture gas in an APCVD reactor during thin film deposition process. A diffuser slit has bee designed to spread the locally concentrated gas flow exiting from the flow distributor. A uniform flow distributor has been developed which has less dependency on operating conditions for global flow uniformity

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.295-296
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• 2005

Poly-Silicon Thin Film Transistor 응용을 위한 $SiO_2$ 박막 성장에 관한 연구로서 기존의 ICP-CVD를 이용한 실험에서 $SiH_4$ 가스대신 유기 사일렌 반응물질인 TEOS(TetraethylOrthosilicate) Source를 이용하여 APCVD 법으로 성장시켰다. $SiO_2$ 박막은 반도체 및 디스플레이 분야에서 필드산화막, 보호막, 게이트 절연막 등으로 사용되며, 이러한 산화막 증착을 TEOS를 이용하였고, 빠른 증착과 더 좋은 특성을 갖는 박막 형성을 위하여 $O_2$ 반응가스를 이용하였고, Ellipsometor, XPS 등을 이용하여 계면 특성 분석을 하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.39-39
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• 1998

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.114.2-114
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• 2003

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.65-68
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• 2009

본 연구에서는 eagle 2000 glass위에 APCVD(atmospheric CVD)증착법으로 $SnO_2$:F 박막을 제조하였다. 공정 온도, doping 농도, TTC(Tin tetrachloride)와 $H_2O$, $CH_3OH$의 조성비를 공정 변수로 두었으며, 각 변수에 대한 전기적, 광학적 특성 및 결정성을 확인하였다. hall measurement를 이용 제작된 박막의 전기적 특성을 확인 하였고, uv-VIS spectroscopy, hazemeer를 이용 박막의 광학적 특성을 확인 하였다. 또한 XRD, FESEM, AFM을 이용 박막의 결정성 및 표면 특성을 확인 하였다. 박막의 결정성을 결정짓는 증착 온도의 경우 $590^{\circ}C$에서 완벽한 Tetragonal rutile 형태의 결정성을 보였으며 $SnO_2$:F film $1{\mu}m$ thickness에서 $10({\Omega}/{\square})$ 내외의 우수한 면저항값과 $30(cm^2/Vs)$ 이상의 mobility값을 확인 하였으며, 가시광영역대 에서 높은 투과율과 우수한 haze값을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.90-96
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• 1985

PECVD장비를 사용하여 PSG를 증착하고 막의 유전 및 보호막 특성을 조사하였다. X-선 형광분석으로 PSG내의 인 농도를 분석한 결과 약 8m/o에서 포화되었다. 인 함량에 대한 PSC의 적외선 홉수율, 식각속도 및 시트저항등의 변화도 비교하였다. APCVD와 PECV각에 대한 유전특성, 스텝 커버리지, 크랙저항과 게터링효과를 검토하였다. PECVD산화막은 비중 2.4g/㎤, 굴절율 1.53, 항복전장 11-13MV/cm의 값을 가졌고 크랙저항도 APCVD산화막 보다 우수하였다 2m/o의 인을 포함하는 PECVD PSG의 경우 양호한 스텝 커버리지와 게터링효과를 보였다. 공정변수에 대한 일련의 실험을 통하여 PECVD PSC 공정으로 보다 개선된 특성의 보초막을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.334-338
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• 2006

Poly silicon TFT requires high quality dielectric film; conventional method of growing silicon dioxide needs highly hazardous chemicals such as silane. We have grown high quality dielectric film of silicon dioxide using non-hazardous chemical such as TFOS and ozone as reaction gases by APCVD. The films grown were characterized through C-V curves of MOS structures. Conventional APCVD requires high temperature processing where as in the process of current study, we developed a low temperature process. Interface trap density was substantially decreased in the silicon surface coated with the silicon dioxide film after annealing in nitrogen ambient. The interface with such low trap density could be used for poly silicon TFT fabrication with cheaper cost and potentially less hazards.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.235-238
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• 2009

This paper describes the mechanical properties of poly (Polycrystalline) 3C-SiC thin films with $N_2$ in-situ doping. In this work, the poly 3C-SiC film was deposited by APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) method using single-precursor HMDS (Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6)$ at $1200^{\circ}C$. The mechanical properties of doped poly 3C-SiC thin films were measured by nono-indentation according to the various $N_2$ flow rate. In the case of 0 sccm $N_2$ flow rate, Young's Modulus and hardness were obtained as 285 GPa and 35 GPa, respectively. Young's Modulus and hardness were decreased according to increase of $N_2$ flow rate. The crystallinity and surface roughness was also measured by XRD (X-Ray Diffraction) and AFM (Atomic Force Microscopy), respectively.

• 센서학회지
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• 제16권4호
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• pp.319-323
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• 2007

This paper describes the mechanical characteristics of poly 3C-SiC thin films grown on Si wafers with thermal oxide. In this work, the poly 3C-SiC thin film was deposited by APCVD method using only Ar carrier gas and single precursor HMDS at $1100^{\circ}C$. The elastic modulus and hardness of poly 3C-SiC thin films were measured using nanoindentation. Also, the roughness of surface was investigated by AFM. The resulting values of elastic modulus E, hardness H and the roughness of the poly 3C-SiC film are 305 GPa, 26 GPa and 49.35 nm respectively. The mechanical properties of the grown poly 3C-SiC film are better than bulk Si wafers. Therefore, the poly 3C-SiC thin film is suitable for abrasion, high frequency and MEMS applications.