• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1998년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.103-105
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• 1998

Asymmetric polymeric membranes prepared by the phase transition technique usually have either a top layer consisting of closely packed nodules or pores dispersed throughout the membrane surfaces. In this study, we present AFM image of a polysulfone membrane which show a clear evidence for the nodular structure and porous structure resulted from different phase separation mechanisms; spinodal decomposition and nucleation and growth. The surface morphology obtained by SEM and AFM was also compared.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.57-57
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• 2010

In this study, nano-sized phase change materials were evaluated using nanoimprint lithography and c-AFM technique. The 200nm in diameter phase change nano-pillar device of GeSbTe, AgInSbTe, InSe, GeTe, GeSb were successfully fabricated using nanoimprint lithography. And the electrical properties of the phase change nano-pillar device were evaluated using c-AFM with pulse generator and voltage source.

• 콘크리트학회논문집
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• 제29권4호
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• pp.389-397
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• 2017

시멘트내 $C_3A$상과 $C_4AF$상은 염소이온과 반응하여 프리델염을 생성한다. 프리델염은 구조체에서 염소를 포함하기 때문에 염소이온의 흡착에 매우 중요하다. 외부에서 염소이온이 침투하면, 칼슘 알루미네이트 수화물은 염소이온을 고정하므로, $C_3A$상과 $C_4AF$상 및 AFm상의 염소 흡착 거동을 고찰하는 것은 고정화 현상을 이해하는데 매우 중요하다. 한편, 흡착 등온은 시멘트와 프리델염의 상호관계에서 정량적인 지식을 제공할 뿐만 아니라 그 상호관계의 특성을 이해하는데 매우 중요하다. 본 연구의 목적은 $C_3A$상, $C_4AF$상 및 AFm상의 염소이온 흡착 거동을 고찰하는데 있다. $C_3A$상과 $C_4AF$상의 흡착등온은 이론적 화학당량보다 다소 낮았으며 Langmuir 흡착등온식으로 표현할 수 있었다. AFm상의 흡착등온은 이론적 화학당량보다 매우 낮았으며, Freundlich 흡착등온식으로 표현하였다. 또한 흡착등온 모델에서 온도의 영향 매개변수를 실험범주내에서 온도의 함수로 제안하였다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제27권1호
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• pp.85-92
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• 2015

콘크리트 내 염소이온은 콘크리트 내부로 침투하여 철근부식을 일으키는 주요 요인이다. 그런데 내재된 염소이온의 일부는 시멘트의 수화물과 반응하여 물리 또는 화학적 흡착을 유발하여 침투속도는 느려진다. 이때 시멘트의 수화물이 염소이온의 고정화에 영향을 미치는 요인이므로, 본 논문은 독립적인 시멘트 수화물에서 염소의 흡착에 대하여 초점을 두어 연구하였다. 본 연구의 목적은 시멘트 수화물이 염소이온을 흡착하는 시간의존적 거동을 고찰하여 염소이온 고정화의 메커니즘을 구명하는 것이다. 시멘트 수화물 중 AFt 상과 CH 상은 염소이온을 흡착하지 못하였으나 C-S-H 상과 AFm 상은 염소 흡착능력을 갖고 있는 것으로 나타났다. 특히, AFm 상은 40일 동안 느린 속도로 화학적 흡착 거동을 보인 반면, C-S-H 상은 순간적 물리흡착, 물리화학적 흡착, 그리고 화학적 흡착의 3단계로 구분되어 순차적인 흡착거동을 보였다. 반응 실험결과를 토대로, C-S-H 상과 AFm 상의 흡착 거동 해석기법이 제안되었다. 본 연구는 염소이온의 도입원에 따른 흡착 메커니즘을 이해를 토대로, 염소이온의 도입원에 따른 염소이온의 침투속도를 산정하는데 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제16권5호
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• pp.115-121
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• 2007

Phase contrast imaging in atomic force microscopy showed a promise as an effective tool for better understanding of micromechanical properties of surfaces at nano scale. A qualitative estimation model for phase contrast images obtained with a tapping mode AFM was developed. This investigation demonstrated the high efficiency of combined analysis of topography and phase contrast images for characterizing nanosurfaces. Phase contrast images allowed estimation of relative stiffness(elastic modulus) of the sample surface. The phase contrast images revealed a significant inhomogeneity of the nano scale worn surfaces. Phase contrast images are also capable of revealing the formation of tribofilms.

• 대한기계학회논문집A
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• 제31권6호
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• pp.659-664
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• 2007

$Moire\'{e}$ interferometry is a useful technique to assess the reliability of electronic package because $Moire\'{e}$ interferometry can measure the whole-field and real-time deformations. The shear strain of a small crack site is important to the reliability assessment of electronic package. The optical limitation of $Moire\'{e}$ interferometry makes ambiguous the shear strain of a small area. An atomic force microscope (AFM) is used to measure the profile of a micro site. High resolution of AFM can apply to the $Moire\'{e}$ technique. AFM $Moire\'{e}$ technique is useful to measure the shear strain of a small area. In this research, the method to accurately measure the deformation of a small area by using AFM $Moire\'{e}$ is proposed. A phase-shifting method is applied to improve the resolution of AFM $Moire\'{e}$.

• Tribology and Lubricants
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• 제29권4호
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• pp.213-217
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• 2013

As commercial atomic force microscopy (AFM) probes made of Si and $Si_3N_4$ have low stiffness, it is difficult to induce sufficient elastic deformation on the surface of a specimen in a tapping mode. Therefore, high-guality phase contrast images can not obtained. On the other hand, a tungsten AFM probe has relatively higher stiffness than a commercial AFM probe. Accordingly, it is expected to provide an enhanced phase contrast image, which is an effective tool for achieving a better understanding of the micromechanical properties of worn surfaces and wear mechanisms. In this study, on electrochemical etching method was optimized to fabricate tungsten probe tips for an AFM. Electrochemical etching was performed by applying pulse waves with a 20% duty cycle at various voltages instead of only a DC voltage, which has been commonly used.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.205-206
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• 2005

PRAM (Phase change Random Access Memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change material has been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials, $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the structural properties of GST thin films with bottom electrode were investigated for PRAM. The 100-nm thick GST films were deposited on TiN/Si and TiAlN/Si substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films, we performed x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM).

• 한국측량학회지
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• 제14권2호
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• pp.167-179
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• 1996

AFM은 반송파 위상을 이용하는 GPS 정밀측위에서 일반적으로 문제가 되는 초기미지정수와 cycle-slip에 영향을 받지 않는 기법이다. 그러나 기존의 AFM알고리즘에는 두 가지의 어려움이 있다. 첫째, 최적의 수신기 위치를 구하기 위한 계산시간이 너무 길다는 점이다. 둘째, 검색공간 내에 최적의 수신기 위치로 선정이 가능한 후보가 많을 수 있다는 점이다. 따라서 기존의 AFM 알고리즘이 갖는 단점을 개선하여 OTF의 환경에 적용할 수 있도록 계산시간을 획기적으로 단축시키는 새로운 알고리즘이 본 논문에서 제시되었다. 또한 결정된 최적의 수신기 위치의 진위 여부를 통계적으로 검정하는 알고리즘이 제시되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제15권12호
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• pp.1098-1103
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• 1994

Atomic force microscopy (AFM) images of two conducting layered transition-metal ditellurides, $TaTe_2$ and $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$, were examined and their surface and bulk structural features were compared. All the measured unit cell parameters from AFM image were consistent and in complete agreement with the results of the X-ray diffraction. The microscopic structures of corrugated surface tellurium sheets were strongly affected by the modification of metal double zig-zag chains underneath Te surface. Large difference in the height amplitudes of AFM images in $TaTe_2$ and $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$ phases was observed and this reflects large difference in the surface electron densities of two phases. On surface, the shorter intralayer Te…Te contacts in $TaTe_2$ induce more electron transfer from Te p-block bands to Ta d-block bands, thus electron density on surface observed in $TaTe_2$ is much lower than that of $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$. However, in bulk, interlayer Te…Te contacts in V substituted phase are shorter than those in $TaTe_2$ phase, thus tellurium-to-metal electron transfer occurs more easily in $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$ phase.