• 제목/요약/키워드: ACLR

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열잡음 메모리 효과 제거기를 이용한 전력증폭기의 효율 개선 (The Design of Power Amplifier using Temperature Memory Effect Compensation)

  • 고영은;이지영
    • 정보학연구
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    • 제10권3호
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    • pp.47-58
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    • 2007
  • In this paper, we designed and manufactured the distortion-cancellation module which is able to compensate thermal-noise distortion by software. The distortion-cancellation algorithm not only bring forth system non-linear distortion by input level but also bring compensate component of distortion by thermal to get rid off distortion from now on. After TMS 320C6711 DSP to recognize our algorithm, we manufactured the module for every kinds of system. To evaluate efficiency of the distortion-cancellation module, we designed and manufactured communication system. By measured result, if system output power is -3dBm equally, 12dB of ACLR has improved in 1MHz away from a center frequency, and also gain has increased up to 0.5dB.

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W-CDMA Digital Predistortion용 UDC(Up/Down Converter) 설계 및 제작 (Design and Implementation of UDC for W-CDMA Dgital Predistortion)

  • 최민성;조갑제;방성일
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 통신소사이어티 추계학술대회논문집
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    • pp.273-276
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    • 2003
  • In this paper, we designed and made up/down converter (UDC) for using W-CDMA digital pre-distortion system which is one of the efficiency enhancement techniques. UDC is required that frequency up(baseband to RF) and down(RF to baseband) of information signals. The focus of the design and PCB layout is to satisfy the linearity of the UDC. We tested that UDC was satisfied specification which is based on 3GPP base stations and repeaters. The ACLR results which are -51.84dBc(Up Converter) and -55.0dBc(Down Converter) at upper 5 MHz offset from center-frequency show that UDC satisfy the 3GPP specification with superior linearity data.

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WCDMA 시스템에서 단말기 RF 송신 성능 분석 (Performance Analysis of UE RF Transmitting for WCDMA System)

  • LEE Il-kyoo;Jung Young-joon;HAN Sang-Chul;OH Seung-hyeub
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 통신소사이어티 추계학술대회논문집
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    • pp.293-296
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    • 2003
  • This paper evaluates the RF transmitting parameters of User Equipment(UE) for W-CDMA system based on 3GPP specifications. The parameters of transmitter are derived from the aspect of RF. In order to keep UE in high performance, the transmitter requirements such as ACLR, EVM, Peak Code Domain Error, spectrum emission mask are considered. The UE transceiver is implemented on the basis of performance requirements and then tested for the analysis of RF transmitter characteristics through test scenarios.

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동일 군속도 지연 상쇄기를 이용한 이중 대역 Feedforward 선형 전력 증폭기 (Dual-Band Feedforward Linear Power Amplifier Using Equal Group Delay Signal Canceller)

  • 최흥재;정용채;김홍기;김철동
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권7호
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    • pp.839-846
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    • 2007
  • 본 논문에서는 새로운 구조의 이중 대역 feedforward 선형 전력 증폭기(FFW LPA)의 설계 방법을 제안하였다. 현재까지 이중 대역 FFW LPA 설계의 기술적인 어려움은 단일 대역 FFW LPA에서 사용되는 신호 상쇄기를 이중 대역 동작으로 확장시키기가 쉽지 않았다는 점이다. 따라서 본 논문에서는 이중 대역 동일 군속도 지연 주 신호 상쇄기와 혼변조 왜곡 신호(Intermodulation Distortion: IMD) 상쇄기의 설계 방법, 그리고 이를 이용하여 단일 대역 FFW 기법을 확장한 이중 대역 FFW LPA의 설계 방법을 제안하였다. 제안하는 설계 방식의 효용성을 검증하기 위하여, 동작 대역의 중심 주파수를 기준으로 1.26 GHz 이격된 디지털 셀룰러 대역($f_0=880$ MHz)과 IMT-2000($f_0=2.14$ GHz) 대역 기지국용 이중 대역 feedforward 선형화 시스템을 구현하였다. 각 대역별로 CDMA IS-95A 4FA 신호와 WCDMA 4FA 신호를 인가하여 인접 채널 누설비(Adjacent Channel Leakage Ratio: ACLR)의 개선 정도를 측정한 결과, 디지털 셀룰러 대역에서 평균 출력 전력 41.5 dBm일 때 16.52 dB, IMT-2000 대역에서 평균 출력 전력 40 dBm일 때 18.59 dB의 개선 효과를 동시에 얻을 수 있었다.

질화갈륨 소자를 이용한 DPD용 고집적 팔렛트형 고출력증폭기 모듈 설계 (Design of a Highly Integrated Palette-type High Power Amplifier Module Using GaN Devices for DPD Application)

  • 오성민;임종식
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.2241-2248
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    • 2011
  • 본 논문에서는 고출력 및 고효율 특성을 지니는 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 고출력 트랜지스터 소자를 이용하여 WiMAX 및 LTE(long term evolution) 시스템에 사용 가능한 60watt급 고출력증폭기 모듈을 팔렛트(palette) 타입으로 개발한 결과에 대하여 기술한다. 높은 이득을 얻기 위한 라인업(lineup) 구성을 위해 저전력이면서 고이득을 지니는 전치증폭단, 8watt급의 GaN 구동증폭단, 그리고 30watt급 GaN 소자 2개를 도허티(doherty) 구조로 구성한 60watt 고출력증폭단을 사용하였으며, 이로부터 2.5~2.68GHz에서 61.4dB의 이득과 ${\pm}$0.075dB의 우수한 이득 평탄도를 얻었다. 특히 구동단과 고출력증폭단은 고효율 및 고출력 특성의 GaN 소자를 사용하였고, 또한 추가적인 효율 개선을 위해 도허티 구조를 적용함으로써 보다 높은 효율을 가지도록 하였다. 현재 전 세계적으로 널리 사용되고 있는 WiMAX 신호를 사용하여 제작된 팔렛트 타입의 증폭기 모듈의 성능을 측정하였는데, RRH(remote radio head) 타입으로 구성된 사용 예에서 WiMAX 변조 신호 10watt 출력 기준으로 약 37~38%의 효율을 나타내었다. 제작된 증폭기 모듈을 디지털 전치왜곡기(digital predistorter, DPD)와 연동하여 시험한 결과 WiMAX 변조 신호 10watt 출력에서 ACLR은 46dBc 이상의 특성을 지닌다.

신호 제거 궤환부의 전류 제어 적응형 알고리즘을 이용한 IMT-2000용 선형화 증폭기 제작 (Fabrication of IMT-2000 Linear Power Amplifier using Current Control Adaptation Method in Signal Cancelling Loop)

  • 오인열;이창희;정기혁;조진용;라극한
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제40권1호
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    • pp.24-36
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    • 2003
  • IMT-2000 서비스의 전송제한은 3GPP에 규정하고 있다. IS-95A 서비스보다 IMT-2000 서비스는 3배의 대역폭을 가짐으로 해서 Peak to Average가 높아졌고, 이 때문에 인접채널에 대한 영향을 줄이는 쪽으로 더 주위 깊게 설계하여야 하는 어려움이 발생하였다. 이러한 요소에 가장 민감하게 동작하는 모듈이 이동통신 시스템에 최종단에 위치하여 멀리까지 서비스를 가능케 하는 HPA(High Power Amplifier)이다. HPA는 Pl㏈ 근처에 동작시킴으로 인해 3차 5차 신호로 인해 인접채널에 영향을 미치며, 신호가 포화됨으로 인해 왜곡이 발생한다. 이에 HPA를 어떻게 선형화 시킬 수 있을 것이냐가 중요한 요소로써 작용하는데, 본 논문에서는 가장 복잡한 구조로 이루어져 있지만 선형화 방법에 있어 탁월한 개선 능력을 갖는 Feed-forward 방식을 설계 제작하였다. 본 논문은 Feed-forward의 1차 궤환부인 신호 제거 궤환부에서 얻어진 전류를 검출하여 알고리즘을 수행케 함으로써 환경변화에서도 무리 없이 동작하는 적응형 40Watt Feed-forward 선형화 증폭기가 되도록 하였다. 일반적인 RF 출력 신호를 검출하는 방식은 회로가 복잡하며, 합성기 출력에서 검출을 하기 때문에 신호검출의 정확성에서도 떨어지는 단점이 있다. 또한 선형화 증폭기의 최종 출력에서의 에러 신호를 감지하여 최적화시키는 알고리즘 역시 기존 방식인 Pilot 신호를 이용하지 않고 에러량 검출 방식을 적용하셔 W-CDMA용 선형화 증폭기가 되도록 하였다. 결과적으로 54㏈의 이득특성을 얻으면서 IW에서 40W 출력시까지 어느 동작에서도 30㎑ 대역폭 내에서 -26㏈m Max@3.515㎒ ACPR(Adjacent Channel Power Ratio) 특성, 48㏈c Max@±5㎒ ACLR (Adjacent Channel Leakage Power Ratio) 특성을 모두 만족하여 3GPP의 국제규격을 만족하는 선형화 증폭기가 되도록 하였다.

S-대역 300 W급 GaN HEMT 고조파 튜닝 내부 정합 전력증폭기 (S-Band 300-W GaN HEMT Harmonic-Tuned Internally-Matched Power Amplifier)

  • 강현석;이익준;배경태;김세일;김동욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권4호
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    • pp.290-298
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    • 2018
  • 본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.

다이오드 직렬 궤환을 이용한 개별 차수 혼변조 발생기 및 응용 (Individual Order Intermodulation Distortion Generator Using Series Feedback of Diode and Its Application)

  • 손강호;김승환;김일규;김영;윤영철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권10호
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    • pp.1096-1103
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    • 2008
  • 본 논문에서는 개별 차수 혼변조 신호 발생기를 이용한 전치 왜곡 선형화기 구조를 제안하였다 혼변조 신호 발생기는 공통 에미터 증폭기의 에미터 단자에 쇼트키 다이오드를 삽입하여, 3차와 5차 혼변조 신호를 다이오드 바이어스 전압에 따라서 발생시킨다. 이렇게 만들어진 혼변조 신호는 다이오드의 직렬 궤환을 이용한 것으로, 다이오드 바이어스 제어에 따라서 혼변조 신호의 크기와 위상을 변화시킬 수 있다. 이러한 혼변조 발생기를 전치 왜곡 선형화기로 사용했을 때, 반송파 2톤 신호 인가 시 3차와 5차 혼변조 신호는 각각 13.5 dB, 0.9 dB의 개선을 보였고, 광 대역폭을 갖는 CDMA IS-95 2FA 신호를 인가하였을 경우, 중심 주파수로부터 ${\pm}0.885$ MHz, ${\pm}1.23$ MHz 떨어진 지점에서 ACLR이 각각 2.3 dB, 2.5 dB의 개선됨을 확인하였다.

GaN HEMT Based High Power and High Efficiency Doherty Amplifiers with Digital Pre-Distortion Correction for WiBro Applications

  • Park, Jun-Chul;Kim, Dong-Su;Yoo, Chan-Sei;Lee, Woo-Sung;Yook, Jong-Gwan;Chun, Sang-Hyun;Kim, Jong-Heon;Hahn, Cheol-Koo
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제11권1호
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    • pp.16-26
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    • 2011
  • This paper presents high power and high efficiency Doherty amplifiers for 2.345 GHz wireless broadband (WiBro) applications that use a Nitronex 125-W ($P_{3dB}$) GaN high electron mobility transistor (HEMT). Two- and three-way Doherty amplifiers and a saturated Doherty amplifier using Class-F circuitry are implemented. The measured result for a center frequency of 2.345 GHz shows that the two-way Doherty amplifier attains a high $P_{3dB}$ of 51.5 dBm, a gain of 12.5 dB, and a power-added efficiency (PAE) improvement of about 16 % compared to a single class AB amplifier at 6-dB back-off power region from $P_{3dB}$. For a WiBro OFDMA signal, the Doherty amplifier provides an adjacent channel leakage ratio (ACLR) at 4.77 MHz offset that is -33 dBc at an output power of 42 dBm, which is a 9.5 dB back-off power region from $P_{3dB}$. By employing a digital pre-distortion (DPD) technique, the ACLR of the Doherty amplifier is improved from -33 dBc to -48 dBc. The measured result for the same frequency shows that the three-way Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 53.16 dBm and a gain of 10.3 dB, and the saturated Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 51.1 dBm and a gain of 10.3 dB, provide a PAE improvement of 11 % at the 9-dB back-off power region and 7.5 % at the 6-dB back-off region, respectively, compared to the two-way Doherty amplifier.

CMOS Linear Power Amplifier with Envelope Tracking Operation (Invited Paper)

  • Park, Byungjoon;Kim, Jooseung;Cho, Yunsung;Jin, Sangsu;Kang, Daehyun;Kim, Bumman
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제14권1호
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    • pp.1-8
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    • 2014
  • A differential-cascode CMOS power amplifier (PA) with a supply modulator for envelope tracking (ET) has been implemented by 0.18 ${\mu}m$ RF CMOS technology. The loss at the output is minimized by implementing the output transformer on a FR-4 printed circuit board (PCB). The CMOS PA utilizes the $2^{nd}$ harmonic short at the input to enhance the linearity. The measurement was done by the 10MHz bandwidth 16QAM 6.88 dB peak-to-average power ratio long-term evolution (LTE) signal at 1.85 GHz. The ET operation of the CMOS PA with the supply modulator enhances the power-added efficiency (PAE) by 2.5, to 10% over the stand-alone CMOS PA for the LTE signal. The ET PA achieves a PAE of 36.5% and an $ACLR_{E-UTRA}$ of -32.7 dBc at an average output power of 27 dBm.