Let N be a Closed n-manifold with residually finite, torsion free $\pi$$_1$(N) and finite H$_1$,(N). Suppose that $\pi$$\_$k/(N)=0 for 1 < k < n-1. We show that N is a codimension-n PL fibrator if and only if N does not cover itself regularly and cyclically up to homotopy type, provided $\pi$$_1$(N) satisfies a certain condition.
We first show that if $\psi : M_n(B(H)) \to M_n (B(H))$ is a $D_n \otimes F(H)$-bimodule map, then there is a matrix $A \in M_n$ such that $\psi = S_A$. Secondly, we show that for an operator space $\varepsilon, A \in M_n$, the Schur product map $S_A : M_n(\varepsilon) \to M_n(\varepsilon)$ and $\phi_A : M_n(\varepsilon) \to \varepsilon$, defined by $\phi_A([x_{ij}]) = \sum^{n}_{i,j=1}{a_{ij}x_{ij}}$, we have $\Vert S_A \Vert = \Vert S_A \Vert_{cb} = \Vert A \Vert_S, \Vert \phi_A \Vert = \Vert \phi_A \Vert_{cb} = \Vert A \Vert_1$ and obtain some characterizations of A for which $S_A$ is contractive.
Let n be a fixed natural number. Menger algebras of rank n can be regarded as a canonical generalization of arbitrary semigroups. This paper is concerned with studying algebraic properties of Menger algebras of rank n by first defining a special class of full n-place functions, the so-called a left translation, which possess necessary and sufficient conditions for an (n + 1)-groupoid to be a Menger algebra of rank n. The isomorphism parts begin with introducing the concept of homomorphisms, and congruences in Menger algebras of rank n. These lead us to establish a quotient structure consisting a nonempty set factored by such congruences together with an operation defined on its equivalence classes. Finally, the fundamental homomorphism theorem and isomorphism theorems for Menger algebras of rank n are given. As a consequence, our results are significant in the study of algebraic theoretical Menger algebras of rank n. Furthermore, we extend the usual notions of ordinary semigroups in a natural way.
GaN etching was performed using planar inductively coupled $Cl_2$-based plasmas and the effects of main process parameters on the characteristics of the plasmas and their relations to GaN etch rates were studied. Also, the GaN etch mechanism was investigated using a Langmuir probe and optical emission spectroscopy (OES) during the etching, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of the etched surfaces. The GaN etch rates increased with the increase of chlorine radical density and ion energy, and a vertical etch profile haying the etch rate close to 4000 $\AA$/min could be obtained. The addition of 10% Ar to $Cl_2$ gas increased the GaN etch rate and the addition of Ar (more than 20%) and HBr generally reduced the GaN etch rate. The GaN etch rate appeared to be more affected by the chemical reaction between Cl radicals and GaN compared to the physical sputtering itself under the sufficient ion bombardments to break GaN bonds.
HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) 공법은 기체상의 원료를 사용하여 박막 또는 단결정을 제조하는 공법이다. 화학적 기상증착법의 원리를 적용하여 난용융성 또는 고융점의 물질의 단결정을 성장할 수 있는 공법으로서, 질화갈륨(GaN) 단결정을 얻을 수 있는 공법 중 하나이다. 최근 동 공법을 이용하여 질화알루미늄(AlN) 단결정을 성장하고자 하는 연구가 많이 수행되어져 왔으나, 아직은 좋은 결과를 얻지 못하고 있다. 본 연구에서는 AlN 단결정을 HVPE 공법으로 성장하고자 하였다. 성장 공정에서 질소를 운송가스(Carrior gas)로 사용하였으며, 질소(N2)의 양의 변화에 따른 성장 결과를 고찰하여 보았다. 질소의 양이 증가함에 따른 성장 결정의 변화 양상을 확인할 수 있었다. 성장된 AlN 단결정의 형상을 광학 현미경을 사용하여 관찰하였고, 이중결정 X선 회절 분석(DCXRD, Double crystal X-ray diffractometry)을 이용하여, AlN 결정의 생성을 확인함과 동시에 성장된 단결정의 결정성도 알아보았다.
Aspergillus is an important fungal genus used for the fermentation of Asian foods; this genus is referred to as koji mold in Japan and China. A. oryzae, A. sojae, and A. tamari are used in the production of miso and shoyu in Japan, but a comprehensive taxonomic study of Aspergillus isolated from Meju, a fermented soybean starting material for traditional soy sauce and soybean paste in Korea, has not been conducted. In this study, various Aspergillus species were isolated during a study of the mycobiota of Meju, and the aspergilli were identified based on phenotypic characteristics and sequencing of the ${\beta}$-tubulin gene. Most strains of Aspergillus were found to belong to the following sections: Aspergillus (n = 220), Flavi (n = 213), and Nigri (n = 54). The most commonly identified species were A. oryzae (n = 183), A. pseudoglaucus (Eurotium repens) (n = 81), A. chevalieri (E. chevalieri) (n = 62), A. montevidensis (E. amstelodami) (n = 34), A. niger (n = 21), A. tamari (n = 15), A. ruber (E. rubrum) (n = 15), A. proliferans (n = 14), and A. luchuensis (n = 14); 25 species were identified from 533 Aspergillus strains. Aspergillus strains were mainly found during the high temperature fermentation period in the later steps of Meju fermentation.
Due to the strong influence of nitrogen(N) on plant productivity, a vast amount of N fertilizers is used to maximize crop yield. Over-use of N fertilizers leads to severe pollution of the environment, especially the aquatic ecosystem, as well as reducing farmer's income. Growing of N-efficient cultivars is an important prerequisite for integrated nutrient management strategies in both low- and high-input agriculture. Taking maize as a sample crop, this paper reviews the response of plants to low N stress, the physiological processes which may control N-use efficiency in low-N input conditions, and the genetic and molecular biological aspects of N-use efficiency. Since the harvest index(HI) of modern cultivars is quite high, further improvement of these cultivars to adapt to low N soils should aim to increase their capacity to accumulate N at low N levels. To achieve this goal, establishment and maintenance of a large root system during the growth period may be essential. To reduce the cost of N and carbon for root growth, a strong response of lateral root growth to nitrate-rich patches may be desired. Furthermore, a large proportion of N accumulated in roots at early growth stages should be remobilized for grain growth in the late filling stage to increase N-utilization efficiency. Some QTLs and genes related to maize yield as well as root traits have been identified. However, their significance in improving maize NUE at low N inputs in the field need to be elucidated.
본 논문은 신경외과 및 일반외과 영역에서 골 고정용 금속판으로 골 수술 및 치료를 하는 과정에서 골 고정요 금속판의 굴곡강도와 강성을 평가할 수 있는 강요평가 알고리즘을 구현하였다. 굴곡곡선의 최대 포인트 점은 0.2% 상쇄변위(offset displacement)에서 평형하게 접근 할 수 있는 포인트 P점을 최대 하중에 부여하는 굴곡 점으로 적용하였다. 실험에 사용한 플레이트(Plate)는 ${\Phi}13$와 ${\Phi}18$이며, 강도평가의 알고리즘은 플레이트 ${\Phi}13$, ${\Phi}18$, ${\Phi}13-{\Phi}18$ 비교하였으며, 플레이트에 압박하는 힘의 알고리즘을 산출한 결과 굽힘강도의 최대값이 311N, 387N, 410N, 474N로 나타났고, 변위(Displacement)에 따라 하중에 견디는 시점인 인장강도가274(N), 324(N), 382(N), 394(N)로 나타났음으로 이 시점이 금속판의 굴곡운동 값으로 결정되었다. 본 연구의 결과로 한 개의 축을 기준으로 발생하는 골 고정용 금속판의 강도 조절 문제를 평가알고리즘으로 구성함으로 해결할 수 있었고, 형태 변화에 따른 조절기능을 검증할 수 있는 시스템이 새로운 알고리즘 형성으로 가능할 것으로 예상된다.
티안트렌 양이온 자유라디칼 과염소산염은 p-톨루엔술포아니리드, 벤젠술폰아니리드, N-(2-메틸페닐)벤젠술폰아미드, N-페닐-p-톨루엔술폰아닐리드와 같은 N-아릴술폰아미드와 반응하여 각각 5-(p-N-p-톨루엔술폰아미도페닐)티안트렌이움 과염소산염(1a), 5-(p-N-벤젠술폰아미도페닐)티안트렌이움 과연소산염(1b), 5-(4-N-벤젠술폰아미도-3-메틸페닐)티안트렌이움 과염소산염(1c), 5-(p-N-페닐-N-p-톨루엔술폰아미도페닐)티안트렌이움 과염소산염(1d)을 준다. 한편 1d는 티안트렌 양이온 자유라디칼과 다시 반응하여 이과염소산염(1e)을 생성한다. 1a∼1e의 구조는 아세트아니리드와의 반응생성물인 5-(p-아세트아미도페닐)티안트렌이움 과염소산염과 매우 비슷하다. 그러나 두 반응의 양 관계에서 상이한 점은 술폰아미드와의 반응이 단일 메카니즘으로 진행되지 않음을 암시한다.
큰 반소수 n=pq의 소인수 p,q를 나눗셈 시행법으로 직접 찾는 것은 현실적으로 거의 불가능하다. 따라서 대부분의 소인수분해 알고리즘은$a^2{\equiv}b^2$ (mod n)의 제곱합동을 찾아 p=GCD(a-b, n), q=GCD(a+b, n)의 소인수를 찾는 간접 방법을 적용하고 있다. n = pq에 대해 p와 q를 선택한 영역은 $l(p)=l(q)=l(\sqrt{n})=0.5l(n)$의 [$10{\cdots}01$, $99{\cdots}9$] 범위에서 $\sqrt{n}$을 기준으로 $10{\cdots}00$ < p < $\sqrt{n}$과 $\sqrt{n}$ < q < $99{\cdots}9$에 존재한다는 사실만이 밝혀졌다. 본 논문은 n으로 부터 획득한 정보를 이용하여 p의 범위를 보다 축소시키는 방법을 제안한다. 제안 방법은 $n=n_{LR}+n_{RL}$, $l(n_{LR})=l(n_{RL})=l(\sqrt{n})$으로 분할하여 $p_{min}=n_{LR}$, $q_{min}=n_{RL}$로 설정하는 방법을 적용하였다. 본 논문에서 제안한 n의 정보로 p의 범위를 축소하는 방법은 $\sqrt{n}$의 정보로 p의 범위 축소 방법에 비해 최소 17.79%에서 최대 90.17%의 범위 축소 효과를 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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