• 한국세라믹학회지
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• 제40권10호
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• pp.998-1004
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• 2003

두 종류의 출발물질인 $Al_2$(S $O_4$)$_3$+x$Na_2$B$_4$ $O_{7}$$.$10$H_2O$(몰비;x=0.1, 0.7)와 ${\gamma}$-Al$_2$ $O_3$+x$Na_2$B$_4$ $O_{7}$$.$10$H_2O$(몰비; x=0.1, 0.7) 혼합시료로부터 재래식 및 마이크로파 열처리를 행하여 휘스커형 $Al_{18}$B$_4$ $O_{33}$ 입자들을 합성하였다. 휘스커형 $Al_{18}$B$_4$ $O_{33}$ 입자들의 성장에 마이크로파, flux양 및 온도의 영향을 X-선 회절장치 및 주사형 전자현미경을 사용하여 조사하였다. 재래식 및 마이크로파 열처리된 두 종류의 혼합시료는 각각 온도 및 flux양이 증가할수록 휘스커형 $Al_{18}$B$_4$ $O_{33}$ 입자의 크기가 증가하는 경향을 나타내었다. 한편, 재래식 열처리된 시료에 비하여 마이크로파 열처리된 시료에서 휘스커형 $Al_{18}$B$_4$ $O_{33}$ 입자들이 잘 발달되었다.자들이 잘 발달되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권1호
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• pp.81-86
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• 2003

고상합성한 $CaTiO_3$와 $YAlO_3$의 혼합분말을 소결하여 조성에 따른 미세조직과 고주파 유전특성의 변화를 조사하였다. $CaTiO_3-YAlO_3$ 고용체의 고주파 유전특성은 조성에 민감하게 의존하였다. 최적의 유전특성은 $0.75CaTiO_3-0.25YAlO_3$를 $1500^{\circ}C$에서 3시간 소결하였을 때 유전율 47, 품질계수 35000. 공진주파수의 온도계수 +11 ppm/$^{\circ}C$이었다. 동일 조성을 저온에서 치밀화 시키기 위하여 $CaB_2O_4$를 첨가하였을때 $1200^{\circ}C$ 이상에서 완전 치밀화 되었으며. $1300^{\circ}C$에서 3시간 소결하였을 경우, 유전율 47, 품질계수 37000, 공진주파수의 온도계수 +17ppm/$^{\circ}C$로 유전특성의 저하 없이 저온에서 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. $CaB_2O_4$를 소결조제로 한 $CaTiO_3-YAlO_3$계 소결체는 5~7GHz에서 중간유전율과 높은 품질계수를 갖는 고주파용 유전재료로 활용이 기대된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권6호
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• pp.25-34
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• 2012

본 논문에서는 near-field scanning (NFS) 시스템을 위한 새로운 보정 방법을 제시하였다. 제안된 교정 방법은 새로운 near-field probe (NFP)와 circular patch patterns (CPPs) and meander patterns (MPs) 같은 새로 고안된 패턴으로 구성되어 있다. 제안된 패턴들은 IEC61967-2과 6에 언급된 기존의 방법과 비교해 공간 해상도을 개선하고 NFP의 교정 절차를 단순화하기 위해 사용하였다. 또한 감쇄 특성에 대한 NFP의 길이 효과를 8mm와 30mm의 길이를 가지고 조사하였다. 이러한 특성을 위해 지름 (D)가 20, 40, 60, 그리고 100mm의 CPP를 만들었고 여러 가지 폭과 간격을 가지는 MP를 설계하고 제작하였다. 단순화된 교정 절차를 이용하여 공간 해상도와 측정 높이 사이의 역 관계를 발견하였다. 테스팅 결과는 측정 높이 $200{\mu}m$에서 $120{\mu}m$의 공간해상도를 복잡한 수정 알고리듬 없이 8GHz 아래에서 얻을 수 있음을 보였다. 제작 단가를 위해 모든 패턴과 NFP는 일반적인 고가의 LTCC 대신 저가의 PCB (FR-4)을 이용해 실현하였다. 이결과를 칩 수주 EMC 사용 가능성을 검증하기 Sub-micron scale 동작이 가능한 NFSS을 제작하였고, 제안된 NFP를 이용하여 사용 칩의 측정결과 $200{\mu}m$ 패턴의 형태를 정확하게 묘사가 가능한 수준의 해상도를 확보하여 칩 수준 EMC 검증에 사용 할 수 있음을 증명하였다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제15권1호
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• pp.16-22
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• 2012

본 연구에서는 X-band 파장 대역에서 얼음의 두께를 측정하기 위해 중심주파수가 9.5 GHz (X-band)인 안테나를 사용하여 지상용 마이크로파 산란계를 구축하였고, 얼음에서의 후방산란을 측정하였다. 산란계로 측정된 얼음에서의 레이더 후방산란은 공기/얼음 경계면과 얼음/물 경계면에서 매우 강했으며, 두 경계면 사이의 거리와 얼음의 굴절률을 이용하여 두께 산출이 가능함을 확인하였다. 얼음 두께 측정을 위한 현장탐사는 춘천호의 유입지류인 지암천의 하류에서 수행되었다. 탐사 측선을 따라 얼음에서의 후방산란을 측정한 후 얼음의 두께를 산출하였으며, 크리깅 보간법을 사용하여 지암천 하류의 얼음두께 지도를 제작하였다. 얼음의 두께는 대부분 50 cm로 나타났으며, 하천의 유속이 빠른 지점에서는 얼음의 두께가 30 ~ 40 cm로 얇았다. 유속이 일정한 곳에서 주변보다 얼음 두께가 얇은 지점이 관찰되었는데, 이는 얼음 내에 마이크로파 산란에 영향을 미치는 매개물이 존재하거나 낚시를 위해 인위적으로 얼음을 뚫은 후 다시 얼었기 때문인 것으로 판단되었다. 본 연구는 향후 X-band SAR 시스템과 항공기 탑재 산란계 시스템의 활용분야 확대에 기여할 것으로 기대된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.73-80
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• 2004

본 논문에서는 기존의 도파관 필터, 즉 내부가 공기로 채워진 밀리미터파 도파관 필터를 기본적인 도파관 변수 계산치로부터 일반 PCB 기판상에 구현하는 방법을 소개한다. 이를 위해서는 기존 도파관 필터의 구조에서 수직으로 배치된 모든 도체구조를(접지용 도체벽, 신호제어용 도체판) via를 사용해 대체해야 한다. 이를 위해 side wall과 도파관 내부 폴들을 via의 연속적인 나열과 via지름 크기의 조절을 통해 구현한다. 이를 통해 얻을 수 있는 장점은 사용될 기판 유전율의 제곱근에 비례하여 전체 크기가 x, y, z축으로 축소되며 특히 z축으로는 더 큰 축소가 가능하다. 또한 기존의 규모가 큰 금속성 도파관 필터를 제작할 필요없이 PCB상에 대량의 제작이 용이하기 때문에 훨씬 저렴하게 제작할 수 있다. 마지막으로 모듈의 소형화를 위해 요즘 한창 각광받는 LTCC 공정과 같은 다층기판 제작시 한층을 사용해 제작될 수 있다는 점에서 유리하다. 이 새로운 도파관 필터를 평가하기 위해 40 GHz 대역에서 2.5 %의 대역폭을 가지는 3차 chebyshev 대역통과필터가 사용되었으며 이에 사용된 PCB 기판은 유전율이 2.2이고 두께가 10 mil인 RT/duroid 5880이다. 설계 후 측정 결과 전체 입/출력단에서 삽입 손실이 2 ㏈ 정도이며 반사손실이 -30 ㏈ 이하의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권11A호
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• pp.902-911
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• 2003

에미터 면적이 2.0${\times}$20 $\mu\textrm{m}$$^2$인 단위 InGaP/GaAs HBT power cell을 이용하여 IMT-2000 단말기용 MMIC 2단 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 온도 변화에 따른 전력증폭기의 RF 특성 변화를 보상시킬 수 있으며, 외부 조절 전압으로 대기전류를 줄일 수 있는 능동 바이어스 회로를 채택하였다. HBT의 실측정 S 파라미터와의 fitting을 통하여 비선형 등가 회로 파라미터를 추출하였고, load-pull 시뮬레이션으로 최대 출력 정합 임피던스를 결정하였다. 제작 및 측정 결과, MMIC 2단 전력증폭기는 on-wafer 측정에서 23 ㏈의 전력 이득과 28.4 ㏈m의 출력 전력( $P_{1-}$㏈/) 및 31%의 전력 부가 효율을 얻었으며, FR-4 기판상에 off-chip 출력정합회로를 구현한 COB 측정에서 22.3 ㏈의 전력이득과 26 ㏈m의 출력전력 및 28%의 전력부가효율을 얻었으며, -40 ㏈c의 ACPR 특성을 얻었다..

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.1081-1090
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• 2013

본 논문에서는 C-대역에서 입출력 정합 회로가 패키지에 내장된 10 W급 내부 정합 증폭기 설계 및 제작을 하였다. 전력증폭기 설계에 사용한 트랜지스터로 GaAs pHEMT bare-chip을 사용하였다. 트랜지스터 패드 위치와 커패시터 크기를 고려한 와이어 본딩 해석으로 정확도 높은 설계를 하였다. 패키지와 정합 회로를 함께 EM simulation하여 패키지가 정합 회로에 미치는 영향을 해석하였다. 2-tone 측정 시 memory effect로 인해 발생되는 IMD3의 비대칭성을 줄이기 위한 memory effect 감쇄 바이어스 회로를 제안 및 설계하였다. 측정 결과, 7.1~7.8 GHz 대역에서 $P_{1dB}$는 39.8~40.4 dBm, 전력 이득은 9.7~10.4 dB, 효율은 33.4~38.0 %을 얻었고, 제안된 memory effect 감쇄 바이어스 회로로 IMD3(Upper)와 IMD3(Lower)차는 0.76 dB 이하를 얻었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권4호
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• pp.333-339
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• 2003

Ba (Co$_{1}$ 3/Nb$_{2}$ 3/)O$_3$(BCN) has a 1:2 ordered hexagonal structure. Q-value of BCN increased with increasing sintering temperature however, it significantly decreased when the sintering temperature exceeded 140$0^{\circ}C$ Ba (Co$_{1}$ 3/Nb$_{2}$ 3/)O$_3$(BZN) has the 1:2 ordered hexagonal structure and the degree of the 1 : 2 ordering decreased with the increase of the sintering temperature. The Q value of the BZN increased with increasing the sintering temperature and BZN sintered at 140$0^{\circ}C$ for 6h has a maximum Q-value. For (1-x) Ba (Co$_{1}$ 3/Nb$_{2}$ 3/)O$_3$-zBa(Zn$_{1}$ 3/Nb$_{2}$ 3/)O$_3$[(1-x)BCN-xBZN] ceramics the 1:2 ordered hexagonal structure was observed in the specimens with x$\leq$0.3 and the BaNb$_{6}$ O$^{16}$ second phase was found in the specimens with x$\geq$0.6. Grain Growth, which is rotated to the BaNb$_{6}$ O$^{16}$ second phase occurred in the specimens with x$\geq$ 0.5. In this work, the excellent microwave dielectric properties of $\tau$r=0.0 ppm/$^{\circ}C$$\varepsilon$r=34.5 and Q,$\times$f=97000GHz sere obtained for the 0.7BCV-0.3BZN ceramics sintered at 1400$0^{\circ}C$ for 20h.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권4호
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• pp.346-349
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• 2003

Microwave dielectric characteristics and physical properties of the new Zr$_{1-x}$ (Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$)xTi $O_4$ (0.2$\leq$x$\geq$ 1.0) system have been investigated as a function of the amount of Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$ $O_2$substitution. With increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$ $O_2$ content (x), two phase regions were observed: $\alpha$-Pb $O_2$ solid solution (x<0.4), mixture of the rutile type Zn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$Ti $O_4$ and the $\alpha$-Pb $O_2$ solid solution (x$\geq$0.4). In the$\alpha$-Pb $O_2$solid solution region below x<0.4, the Q.f$_{0}$ value sharply increased and the Temperature Coefficient of the Resonant Frequency(TCF) decreased with increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$ $O_2$ contents while dielectric constant (K) showed nearly same value. In the mixture region above x$\geq$4, the dielectric constant and TCF increased with increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$ $O_2$ content. Zr$_{1-x}$ (Zn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$)xTi $O_4$ materials have excellent microwave dielectric properties with K=44.0, Q.f$_{0}$ : 41000 GHz and TCF =-3.0 ppm/$^{\circ}C$ at x=0.35.=0.35. x=0.35.=0.35.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.1262-1270
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• 2007

본 논문에서는 feedforward와 post-distortion 기법을 이용하여 평형 증폭기 내에서 발생하는 혼변조 왜곡 성분을 제거할 수 있는 새로운 왜곡 상쇄 메커니즘인 cross post-distortion 선형화 기법을 제안한다. 출력 동적 영역과 대역폭 측면에서 제안하는 선형화 방식은 기존의 feedforward 방식에 뒤지지 않는 성능을 가지고 있으면서 상대적으로 높은 효율을 제공한다. 이론적 뒷받침을 위해 제안하는 시스템과 feedforward 방식의 전력 증폭기와 오차증폭기의 전력 용량을 비교 분석하였고, IMT-2000 대역에서 실제 구현을 통하여 이를 실험적으로 뒷받침하였다. 최대 출력 전력 240 W의 기지국용 상용 대전력 증폭기에 적용했을 때, wideband code division multiple access (WCDMA) 4FA 신호에 대하여 평균 출력 전력 40 dBm에서 약 18.6 dB의 개선 효과를 얻었다. 제작된 전력 증폭기는 WCDMA 신호 기준으로 feedforward 방식에 비해 약 2 % 개선된 효율을 보였다.