• 제목/요약/키워드: 3D figure

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밀리미터파 응용을 위한 MMIC 저잡음 증폭기 설계 (MMIC Low Noise Amplifier Design for Millimeter-wave Application)

  • 장병준;염인복;이성팔
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권7호
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    • pp.1191-1198
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    • 2001
  • 본 연구에서는 밀리미터파용 MMIC 저잡음 증폭기를 0.15$\mu$m pHEMT TRW 파운드리를 이용하여 설계, 제작하였다. 증폭기 설계시 능동소자모델링과 EM 시뮬레이션을 중심으로 설계가 이루어졌다. 기존의 모델의 단점을 기술하고 스케일링 문제를 해결하기 위하여 분산소자 모델을 사용하여 소신호 파라미터와 잡음 파리 미터를 정확히 예측하였다. 이러한 모델을 사용하며 2-단 단일 종지형 저잡음 증폭기 2종이 각각 Q-band(40~44 GHz)와 V-band(58~65GHz) 주파수 대역에서 설계되었다. Q-band 저잡음 증폭기의 경우 2.2 dB의 평균잡음지수와 18.3 dB의 평균이득이 측정되었으며 V-band 저잡음 증폭기의 경우는 65 GHz에서 14.7 dB의 평균이득과 2.9 dB의 평균잡음지수가 측정되었다. 이러한 결과는 시뮬레이션 결과와 일치하며 따라서 본 논문에서 사용설계기법이 밀리미터파 대역에서도 정확함을 의미한다. 또한 기존의 문헌과 비교하여 볼 때 잡음지수와 이득면에서 state-of-the-art성능을 나타냄을 확인하였다.

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A Wideband Inductorless LNA for Inter-band and Intra-band Carrier Aggregation in LTE-Advanced and 5G

  • Gyaang, Raymond;Lee, Dong-Ho;Kim, Jusung
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.917-924
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    • 2019
  • This paper presents a wideband low noise amplifier (LNA) that is suitable for LTE-Advanced and 5G communication standards employing carrier aggregation (CA). The proposed LNA encompasses a common input stage and a dual output second stage with a buffer at each distinct output. This architecture is targeted to operate in both intra-band (contiguous and non-contiguous) and inter-band CA. In the proposed design, the input and second stages employ a gm enhancement with resistive feedback technique to achieve self-biasing, enhanced gain, wide bandwidth as well as reduced noise figure of the proposed LNA. An up/down power controller controls the single input single out (SISO) and single input multiple outputs (SIMO) modes of operation for inter-band and intra-band operations. The proposed LNA is designed with a 45nm CMOS technology. For SISO mode of operation, the LNA operates from 0.52GHz to 4.29GHz with a maximum power gain of 17.77dB, 2.88dB minimum noise figure and input (output) matching performance better than -10dB. For SIMO mode of operation, the proposed LNA operates from 0.52GHz to 4.44GHz with a maximum voltage gain of 18.30dB, a minimum noise figure of 2.82dB with equally good matching performance. An $IIP_3$ value of -6.7dBm is achieved in both SISO and SIMO operations. with a maximum current of 42mA consumed (LNA+buffer in SIMO operation) from a 1.2V supply.

Ka 대역 위성통신 및 BWLL 시스템용 3단 MMIC 저잡음 증폭기 설계 및 제작 (A 3 Stage MMIC Low Noise Amplifier for the Ka Band Satellite Communications and BWLL System)

  • 염인복;정진철;이성팔
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권1호
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    • pp.71-76
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    • 2001
  • Ka 대역 위성통신 및 BWLL 시스템용 3단 저잡음 증폭기가 MMIC 기술로 설계 및 제작되었다. MMIC 저잡음 증폭기는 잡음지수와 높은 이득 그리고 진폭 선형성을 만족하기 위하여 2단의 single-ended 형태의 증폭단과 1단의 balanced 형태의 증폭단으로 구성되었다. 낮은 잡음지수와 높은 이득을 얻기 위하여 0.15$\mu\textrm{m}$ pHEMT 소자가 사용되었다. CD에서 80 GHz 대역까지의 안정도 확보를 위하여 직렬 및 병렬 궤환 회로와 λ/4 short 라인이 삽입되었다. 설계된 MMIC 저잡음 증폭기의 크기는 3.1mm $\times$2.4mm(7.44mm$^2$)이다. 제작된 MMIC 저잡음 증폭기의 wafer 상에서의 측정 결과, 22~ 30 GHz 주파수 대역에서 잡음지수는 2.0 dB이하이고 이득은 26dB이상으로 설계 결과와 일치하였다.

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$0.18{\mu}m$ CMOS공정을 이용한UWB LNA (A Design on UWB LNA for Using $0.18{\mu}m$ CMOS)

  • 황인용;정하용;박찬형
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.567-568
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    • 2008
  • 본 논문에서는 CMOS $0.18\;{\mu}m$ 공정을 이용하여 UWB LNA를 설계하였다. UWB LNA $3{\sim}5GHz$의 대역 에서 전력이득은 12-15 dB, 잡음지수는 5 dB이하, 그리고 입력과 출력의 반사손실은 10 dB 이하의 특성을 보이도록 하였다. 캐스코드 구조를 이용하여 잡음을 억제하고 이득을 향상시켰으며, 입력매칭에 공통 게이트 증폭기를 이용하여 대역폭을 증가시켰다.

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A 0.18-μm CMOS UWB LNA Combined with High-Pass-Filter

  • Kim, Jeong-Yeon;Kim, Chang-Wan
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제9권1호
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    • pp.7-11
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    • 2009
  • An Ultra-WideBand(UWB) Low-Noise Amplifier(LNA) is proposed and is implemented in a $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The proposed UWB LNA provides excellent wideband characteristics by combining a High-Pass Filter (HPF) with a conventional resistive-loaded LNA topology. In the proposed UWB LNA, the bell-shaped gain curve of the overall amplifier is much less dependent on the frequency response of the HPF embedded in the input stage. In addition, the adoption of fewer on-chip inductors in the input matching network permits a lower noise figure and a smaller chip area. Measurement results show a power gain of + 10 dB and an input return loss of more than - 9 dB over 2.7 to 6.2 GHz, a noise figure of 3.1 dB at 3.6 GHz and 7.8 dB at 6.2 GHz, an input PldB of - 12 dBm, and an IIP3 of - 0.2 dBm, while dissipating only 4.6 mA from a 1.8-V supply.

중년비만 여성용 재킷패턴의 여유량 분포에 따른 착시효과 (The Visual Illusion Using the Adequate Ease Distribution of Jacket Pattern for the Middle Aged Women of Obese Figure)

  • 손부현
    • 한국생활과학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.469-483
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    • 2008
  • Body image is important as it is related to self-esteem and can be enhanced by clothing and the degree of enhancement is related to clothing fit. The purpose of the paper is to find the adequate ease distribution of jacket pattern for the obese women who want to slenderize their shape by optical illusion. Subjective evaluation of the visual appearance we collected and, at the same time, 3D clothing air volume was observed for the nine types of experimental jackets with different ease distribution. As results it was found that jacket pattern for the obese women is that the front width of pattern is wider than what of back width in waist and abdomen. It was also noted that there was distance between clothing and skin in the girth around hip of jacket. 3D scanner clearly demonstrated the distribution of ease is useful to find the pattern variables responsible for the slender appearance of the obese women. The ready-to-made clothes for the obese women's clothing should be manufactured systematically in due consideration of the diversity and scarcity of the obese women's body shape.

IMT-2000 기지국용 저잡음 증폭기의 설계 및 제작 (Design and Implementation of a Low Noise Amplifier for the Base-station of IMT-2000)

  • 박영태
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제6권4호
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    • pp.48-53
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    • 2001
  • TMT-2000 기지국용 3단 저잡음 증폭기를 설계하고 제작한다. 첫째 단에서의 증폭소자는 잡음특성이 좋은 GaAs HJ-FET를 사용하고, 둘째 및 셋째 단에는 이득과 출력전압이 높은 값을 갖도록 하기 위해 모노리딕(monolithic) 마이크로웨이브 집적회로를 사용한다. 또한 입력 정재파비를 낮추기 위해서 평형증폭기를 사용하는데, 이 평형증폭기의 위상차로 인한 잡음지수를 최소화하기 위해서 첫째 단에만 제한적으로 사용한다. 제작된 증폭기는 동작 주파수에서 이득 39.74$\pm$0.4dB, 최대잡음지수 0.97dB, 입.출력 정재파비 1.2 이하 및 OIP$_3$ 특성은 38.17dBm을 나타낸다.

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A Dual-Band Through-the-Wall Imaging Radar Receiver Using a Reconfigurable High-Pass Filter

  • Kim, Duksoo;Kim, Byungjoon;Nam, Sangwook
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제16권3호
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    • pp.164-168
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    • 2016
  • A dual-band through-the-wall imaging radar receiver for a frequency-modulated continuous-wave radar system was designed and fabricated. The operating frequency bands of the receiver are S-band (2-4 GHz) and X-band (8-12 GHz). If the target is behind a wall, wall-reflected waves are rejected by a reconfigurable $G_m-C$ high-pass filter. The filter is designed using a high-order admittance synthesis method, and consists of transconductor circuits and capacitors. The cutoff frequency of the filter can be tuned by changing the reference current. The receiver system is fabricated on a printed circuit board using commercial devices. Measurements show 44.3 dB gain and 3.7 dB noise figure for the S-band input, and 58 dB gain and 3.02 dB noise figure for the X-band input. The cutoff frequency of the filter can be tuned from 0.7 MHz to 2.4 MHz.

컴퓨터그래픽스를 이용한 사실적인 3D 인물 일러스트레이션의 표현 (Realistic 3-dimensional using computer graphics Expression of Human illustrations)

  • 김훈
    • 디자인학연구
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    • 제19권1호
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    • pp.79-88
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    • 2006
  • 사람의 얼굴은 정체성의 시각적 상징이다. 사람마다 각기 다른 얼굴 모습은 타인과 구별할 수 있도록 하는 중요한 역할을 하면서 개인의 정체성과 직결된다. 역사적으로 볼 때 얼굴에 대한 시대적 인식의 변화와 함께 표현매체와 커뮤니케이션매체가 다양해지고 발전함에 따라 얼굴을 표현하는 것에도 많은 변화가 있었다. 그러나 지금처럼 얼굴에 대한 사람들의 관심과 주목이 컸던 적이 없었다. 기술적으로는 컴퓨터그래픽스의 등장으로 얼굴표현의 새로운 전기를 맞이하게 되었다. 특히 시각 이미지들이 디지털형태로 제작, 저장, 전송할 수 있게 되어 시간적, 공간적제약이 없어지면서 시각이미지정보는 커뮤니케이션에서 그 비중이 전보다 더 커지고 있다. 그 중에서 디지털로 만들어진 얼굴 이미지는 그 활용도가 점차 확대되고 있다. 이에 따라 컴퓨터그래픽스를 이용한 얼굴의 3d (3-dimensional) 표현은 수년전부터 얼굴 각 부분의 형태와 텍스추어 맵 등 각 요소들을 필요할 때 마치 퍼즐 조각처럼 조립해서 전문적인 기술이 없이도 손쉽게 표현할 수 있게 되었다. 본 연구에서는 3d 얼굴표현의 제작단계별 내용을 연구하고 그 결과를 바탕으로 케이스 스터디에서 시각화함으로써 3d 전문가가 아닌 일반 시각디자이너들이 3d 형태의 얼굴을 효과적으로 표현하는 방법을 연구한다.

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이중 대역 RFID 리더에 적용 가능한 Concurrent 이중 대역 저잡음 증폭기 설계 연구 (A Study on the Design of Concurrent Dual Band Low Noise Amplifier for Dual Band RFID Reader)

  • 오재욱;임태서;김형석
    • 전기학회논문지
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    • 제56권4호
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    • pp.761-767
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    • 2007
  • In this paper, we deal wih a concurrent dual band low noise amplifier for a Radio Frequency Identification(RFID) reader operating at 912MHz and 2.45GHz. The design of the low noise amplifier is based on the TSMC $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The chip size is $1.8mm\times1.8mm$. To improve the noise figure of the circuit, SMD components and a bonding wire inductor are applied to input matching. Simulation results show that the 521 parameter is 11.41dB and 9.98dB at 912MHz and 2.45GHz, respectively The noise figure is also determined to 1.25dB and 3.08dB at the same frequencies with a power consumption of 8.95mW.