• 한국전자파학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.269-276
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• 2016

본 논문에서는 내부 정합된 GaN-HEMT를 이용하여 2.65 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 패키지 내부의 정합회로는 고조파 임피던스를 정합하기 위해 적용되었다. 동시에 기본주파수 임피던스가 부분적으로 정합되기 때문에 입력 및 출력 외부 정합회로는 간단해진다. 트랜지스터 패키지의 본드 와이어와 기생 성분은 EM 시뮬레이션을 통해 예측되었다. Doherty 전력증폭기는 48 V의 동작 전압을 인가하였으며, 6.5 dB의 PAPR을 갖는 LTE 신호에 대해 2.65 GHz에서 13.0 dB의 전력이득, 55.4 dBm의 포화전력, 49.1 %의 효율 및 -26.3 dBc의 ACLR 특성을 얻었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.181-187
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• 2019

In this paper, we demonstrated a power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for X-band radar applications. It utilizes commercial $0.25{\mu}m$ GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) technology and delivers more than 20 W of output power. The developed GaN-based power amplifier MMIC has small signal gain of over 22 dB and saturated output power of over 43.3 dBm (21.38 W) in a pulse operation mode with pulse width of $200{\mu}s$ and duty cycle of 4% over the entire band of 9 to 10 GHz. The chip dimensions are $3.5mm{\times}2.3mm$, generating the output power density of $2.71W/mm^2$. Its power added efficiency (PAE) is 42.6-50.7% in the frequency bandwidth from 9 to 10 GHz. The developed GaN-based power amplifier MMIC is expected to be applied in a variety of X-band radar applications.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.365-370
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• 1998

We studied a electrical properties in GaAs/AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(PHEMT s) recessed by electron cyclotron resonance(ECR) plasma and wet etching. Using the $NH_4OH$ solution, a nonvolatile AlF$_3$layer formed on AlGaAs surface after selective gate recess is effectively eliminated. Also, we controlled threshold voltage($V_th$) using $H_3PO_4$ etchant. We have fabricated a device with 540 mS/mm maximum transconductance and -0.2 V threshold voltage by using $NH_4OH$ and $H_3PO_4$dip after ECR gate recessing. In a 2-finger GaAs PHEMT with a gate length of 0.2$\mu m$ and width of 100 $\mu m$, a current gain of 15 dB at 10 GHz and a maximum cutoff frequency of 58.9 GHz have been obtained from the measurement of current gain as a function of frequency at 12mA $I_{dss}$ and 2 V souce-drain voltage.

• 한국자기학회지
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• 제18권2호
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• pp.67-70
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• 2008

$Tb_2Bi_1Ga_xFe_{5-x}O_{12}$(x=0, 1)의 조성을 가지는 분말 시료를 sol-gel 법과 진공봉합 열처리를 이용하여 합성하였다. x선 회절기, $M\ddot{o}ssbauer$ 분광기를 이용하여 시료의 결정구조 및 Ga 이온의 점유도에 관하여 연구하였다. XRD측정결과 $Tb_2Bi_1Ga_xFe_{5-x}O_{12}$ (x=0, 1)의 결정구조는 Ia3d의 공간그룹을 갖는 cubic 구조이며, $Tb_2Bi_1Fe_5O_{12}$와 $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$의 격자상수 $a_0$는 각각 $12.497\AA$, $12.465\AA$으로 분석되었다. Rietveld 분석법을 이용하여 각 이온들이 점유하는 각각의 부격자 위치를 연구하였다. $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$ 시료의 분석결과, Tb, Bi 이온은 24c 자리에, Fe 이온은 24d, 16a 자리를 점유하였으며, 비자성 이온인 Ga 이온은 모두 16a 자리를 점유하는 것으로 분석되었다. $Tb_2Bi_1Ga_xFe_{5-x}O_{12}$(x=0, 1)의 미시적인 자기구조를 분석하기 위해 시료들의 $M\ddot{o}ssbauer$스펙트럼을 측정하였다. 상온에서의 $M\ddot{o}ssbauer$스펙트럼 측정결과 철 이온들의 흡수 면적비는 $Tb_2Bi_1Fe_5O_{12}$의 경우 24d와 16a자리에서 각각 60.8%, 39.2%로, $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$의 경우 24d와 16a자리에서 각각 74.7%, 25.3%로 분석되었다. 철 이온들의 흡수 면적비 분석을 통해 비자성이온인 Ga은 모두 16a 자리를 점유하는 것을 알 수 있었다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제2권3호
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• pp.141-147
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• 1974

초산으로 부터의 글루타민산 발효생성을 목적으로 Brevibacterium flavum nov. sp. D2209B 균주를 이용한 발효조건에 관하여 시험 검토한 결과는 다음과 같다. 1. 초산농도는 배지 l 당 30g 하일 때 L-GA생성이 좋았다. 2. KH$_2$PO$_4$, MgSO$_4$, FeCl$_3$, MnC1$_2$ 및 NaCl 등의 무기염류의 침가는 L-GA 생성을 위하여 필수적이며 이들 무기염의 농도차에 의한 현저한 영향은 볼 수 없었다. 3. Biotin의 농도는 l당 0.3r 이하의 한정된 범위에서 L-GA 생성이 가장 좋았다. 4. L-GA 생성을 위한 최적온도는 3$0^{\circ}C$이며 최적 pH는 7.5~8.5 였다 5. Succinic acid와 malic acid의 첨가로 L-GA 생성은 증가되었다. 6. 배양도중에 있어서의 penicillin 첨가는 L-GA생성을 촉진하며 발효 16시간째 배지 l당 20 unit를 첨가하였을 때 가장 효과적이였다. 7. 전배양시간은 16~20시간 배양이 가장 적당하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.193-195
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• 1988

The native oxide films were thermally and anodically formed on the n-GaP substrates grown by SSD method and measured this oxide thickness and the chemical composition and the electrical properties with formation condition. The chemical composition of themally oxidized GaP film was composed of mostly $GaPO_4$ at temperature below $800^{\circ}C$ and mostly $\beta-Ga_{2}O_{3}$ above $800^{\circ}C$. But The chemical composition of anodically oxidized GaPfilm was composed of the mixture of $Ga_{2}O_{3}$ and $P_{2}O_{5}$. The barrier height of Al/oxide/n-Gap which was formed at $700^{\circ}C$ by thermal oxidation method were 1.10eV, 1.03eV in Current-Voltage measurement. Interface charge density were $4{\times}10^{12}q(C/cm^2)$ and $3{\times}10^{12}q(C/cm^2)$ in Capacitance-Voltage measurement respectively.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.1-10
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• 1998

A GaAs MMIC composed of VCO (voltage controlled oscillator) and mixer for PCS receiver has been developed using 1.mu.m ion implanted GaAs MESFET process. The VCO consists of a colpitts-type oscillator with a dielectric resonator and the circuit configuration of the mixer is a dual-gate type with an asymmetric combination of LO and RF FETs for the improvement of intermodulation characteristics. The common-source self-biasing is used in all circuits including a buffer amplifier and mixer, achieving a single power supply (3V) operation. The total power dissipation is 78mW. The VCO chip shows a phase noise of-99 dBc/Hz at 100KHz offset. The combined VCO/mixer chip shows a flat conversion gain of 2dB, the frequency-tuning factor of 80MHz/volts in the varacter bias ranging from 0.5V to 0.5V , and output IP3 of dBm at varactor bias of 0V. The fabricated chip size is 2.5mm X 1.4mm.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권4호
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• pp.148-153
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• 2001

새로운 압전체인 $Ca_{3}NbGa_{3}Si_{2}O_{14}$(CNGS) 단결정은 Czochralski 법을 사용하여 결정성장을 이루었다. CNGS의 결정 구조는 $A_{3}BC_{3}D_{2}O_{14}$와 동방구조를 이루고 있음이 조사되어졌고, 단위 셀의 격자상수는 각각 a = 8.0873과 c = 4.979이었으며, 공간군은 P321이었다. 각각의 양이온의 분포는 각 자리에 규칙배멸을 이루고 있음을 보였다. CNGS 결정은 Langasite 보다 높은 품질계수, 전기기계결합계수, 압전성수를 나타내었으며, 이는 Langasite와 비교하여 낮은 탄성손실과 우수한 압전특성을 가짐을 보여주고 있다.

• 한국작물학회지
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• 제21권1호
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• pp.97-124
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• 1976

우리나라 감자 춘하작물재배의 주장려품종이고 휴면기간이 긴 남작(Irish Cobbler)을 추작할때 효과적인 최아처리법을 구명하기 위하여, 대관령산종서를 고려대학교 농과대학 실험농장에시 춘작 증식하여 추작용종서로 사용하고, 1974 및 '75의 양년도에 걸쳐서 농대구내수음하 설치한 최아상(그림 1)에서 구당 60편의 3반복 난괴법으론 최아시험을 실시하고, 실험농장 포장에서 구당 1.8$m^2$(15주)의 3반복 난괴법으로 포장재배시험을 실시한 성적을 요약하면 다음과 같으며, 시험기간(1975년)중의 기상개요는 그림 2와 같았다. 1. 최아처리법과 발아(부표 1~7, 그림 3~5) (a) GA(Gibberellin)처리는 발아가 빨라서 7~8일 에 발아하여 최아소요일수가 약 10일이며, 발아가 균일하고, 부패가 적어 건전발아개체비율도 높으나, 편당발아본수가 3~4본으르 많고, 싹이 세장하며 발근이 없었다. (b) Ethrel처리는 발아가 훨씬 GA보다 늦어서 대체로 최아소요일수가 20~25일이며, 발아의 균일성과 부패및 건전발아개체비율에서 GA보다 고간 못하나, 편당발아본수가 1~2본으로 적고 싹이 단태건실하며 발근이 극히 양호하였다. (c) GA와 Ethrel의 혼합처리는 GA처리보다 1~2일 발아가 늦으나 싹은 비교적 건실하며, 그밖의 발아상은 GA처리와 거의 같았다. (d) Ethylene Chlorohydrin처리는 Ethrel처리와 거의 같은 발아상을 보이나 발아에 23~26일이 소요되고, 최아중의 부패도 많았다. (e) 6-Benzyladenine처리는 Ethrel처리처럼 싹이 단태건실하고 편당발아본수도 1~2본으로 적으며, 발근도 보이나 발아에 22~28일이 소요되고. 발아가 균일하지 못하며, 절단하여 처리할 경우에는 부패가 심해질 우려가 컸다. (f) 약제별 최적처리법은 다음과 같이 보였다. GA처리 : 절단서면 1~2ppm, 전형서면 2~5ppm에 60분처리. Ethrel처리 : 절단서면 500ppm, 전형서면 1000~2000ppm에 60분처리. GA와 Ethrel의 혼합처리 : 절단서면 GA 1~2ppm＋Ethrel 250~500ppm, 전형서면 GA 5ppm＋Ethrel 250~500ppm, 60분처리. 2. 처리법과 부패 (a) 18~24시간의 GA처리는 거의 완전한 부패를 초래하였다(표 2) (b) Ethylene Chlorohydrin처리는 심한 부패를 유발하고(표 2), 6-Benzyladenine처리도 많은 부패를 유발하는(부표 7) 경향이 보였다. (c) 처리중에 교반하여 표피가 갈리게 한것은 전량 부패하였다(부표 1) (d) 종서에 칼로 3-4곳에 자상을 내서 GA처리를 한 것은 발아조장의 효과가 없고, 부패를 조장하는 경향이 보였다(부표 1) 3. 상토와 발아(부표 1) (a) 최아상의 상토로써 부식질세토를 사용하였을 경우에는 사상의 경우보다 부패가 없고 발아도 양호 하였다. (b) 사상의 경우에는 세사보다 조사가 양호하였다. 4. 처리시기와 발아 (a) 7월 15일처리에 비하여 8월 24일처리의 경우에 Ethrel의 전형서처리에서는 발아가 4일 빨랐으나, Ethrel 절단서처리 및 GA처리에서는 발아가 거의 빨라지지 않았다(그림 9) (b) 처리시기가 늦어져서 휴면이 경과될수록 발아와 발근이 조장되는 경향이 보였다(부표 8) (c) 최아기간이 매우 고온건조하였던 경우(8월 14일처리)에는 심한 부패를 보였다(그림 10) 5. 처리법 및 정식기와 수량 (a) 정식기를 같게 할 경우의 수량은 Ethrel>GAㆍEthrel 혼합>GA 처리의 순위로서 정식당시의 싹의 건실도 및 발근상태와 깊은 관련이 있어보였다. Ethylene Chlorohydrin처리는 포장결주가 많아서 수량이 적었다(그림 11) (b) 처리기를 같게 하여 정식기가 GA보다 Ethrel 처리가 15일 늦어 질 경우에는 Ethrel이 GA처리보다 감수경향을 보였다(부표 10) (c) 어느 처리에서나 정식기가 빠를수록 증수되는 경향이 보였다(부표 10) (d) GA처리 조식의 경우에는 고간 도장하는 경향이 보였으나, 기타처리 및 GA처리라도 만식의 경우에는 도장이 보이지 않았다(그림 12)

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.8643-8648
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• 2015

본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5 GHz ~ 22 GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 $8{\times}50{\times}2um$, 두 번째단 게이트폭은 $8{\times}50{\times}4um$, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 $8{\times}50{\times}8um$의 구조로 이루어 졌다. 0.15 um GaN 공정으로 제작된 전력 증폭기 MMIC의 사이즈는 $3,400{\times}3,200um^2$ 이고 주파수 19.5 GHz ~ 22 GHz대역에서 입력 전압 20 V 일 때, 소신호 및 대신호 측정 결과 소신호 이득 29.6 dB 이상, 입력정합 최소 -8.2 dB, 출력정합 -9.7 dB, 최소 39.1 dBm의 출력전력, 최소 25.3%의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다.