• 제목/요약/키워드: 1200 V.

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1.2kV/120kA급 펄스파워용 역점호 Dynistor 제작 (Fabrication of 1.2kV/120kA Reverse Switched-on Dynistor for Pulse power purpose)

  • 김상철;김은동;박종문;김남균
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1533-1535
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    • 2000
  • The design and fabrication technologies of pulse power reversely switched-on dynistor have been developed 1200V/120kA pulse power reversely switched-on dynistor device have been designed by analytically and numerically using commercial modeling S/W The important characteristics of reversely switched-on dynistors are breakover voltage $V_{BO}$, commutative peak voltage before steady state $V_m$, on-state voltage in steady state $V_o$, turn-off time $t_q$, dV/dt capability.

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에탄올-물 혼합용매내에서의 p-니트로벤질클로라이드의 가용매 분해반응에 대한 압력의 영향 (The Effect of Pressure on the Solvolysis Reaction of p-Nitrobenzyl Chloride in Binary Mixture of Ethanol-Water)

  • 권오천;김정림;유지철
    • 대한화학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.152-159
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    • 1981
  • p-니트로벤질클로라이드의 가용매분해 반응속도를 50 와 $60{\circ}C$에서 압력을 1∼1200bar로 변화시키고 에탄올-물 혼합용매의 조성이 0.0∼0.5인 에탄올 몰분율의 범위내에서 전기전도도법으로 측정하였다. 반응의 속도상수로부터 활성화 파라미터, ${\Delta}V_\0^{\neq},\ {\Delta}H^{\neq}$${\Delta}S^{\neq}$를 구한결과 ${\Delta}V_\0^{\neq}$는 혼합용매의 몰분율이 0.3부근에서 extremum을 나타내었고 ${\Delta}H^{\neq}$${\Delta}S^{\neq}$는 0.1 부근에서 extremum을 나타내었다. 이러한 현상은 용매구조의 변화에 의하여 검토되었고 ${\Delta}V^{\neq}$의 압력의존성도 고찰하였다. ${\Delta}H^{\neq}$${\Delta}S^{\neq}$이 압력의존성은 그 부호에 있어서 고전열역학계에 대한 Maxwell관계의 식과 일치함을 보여주었다.

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전기자동차용 이중 게이트 구조를 갖는 전력 IGBT소자의 전기적인 특성 분석 (Analysis of Electrical Characteristics of Dual Gate IGBT for Electrical Vehicle)

  • 강이구
    • 전기전자학회논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.1-6
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    • 2017
  • 본 논문에서는 플래너 게이트 및 트렌치 게이트의 구조를 동시에 가지고 있는 1200V급 이중 게이트 IGBT 소자를 제안함과 동시에 전기적인 특성을 분석하였으며, 분석된 결과를 가지고 플래너 게이트 및 트렌치 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성과 비교 분석하였다. 이중 게이트 IGBT 소자를 설계하는데 있어 문턱전압 및 온 상태 전압 강하에 영향을 주는 P-베이스 영역에 있어 P-베이스에 깊이는 트렌치 게이트 소자 영역에 영향을 주며, P-베이스에 너비는 플래너 게이트 소자 영역에 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제시한 이중 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성인 항복전압은 1467.04V, 온 전압 강하는 3.08V, 문턱전압은 4.14V의 특성을 나타내고 있다.

4H-SiC MPS 다이오드의 P 영역 최적화에 관한 연구 (A Study on Optimization of the P-region of 4H-SiC MPS Diode)

  • 정세웅;김기환;김소망;박성준;구상모
    • 전기전자학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.181-183
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    • 2016
  • 탄화규소(Silicon Carbide) 기반의 1200 V급 Merged Pin Schottky(MPS) 다이오드의 구조를 2D-atlas simulation tool을 사용하여 최적화 및 설계하였다. 최적화된 항복전압과 온-저항 값을 얻기 위해 본 소자에서 중요한 파라미터인 P-Grid의 도핑농도와 에피층의 도핑농도를 각각 $2{\sim}10{\times}10^{17}cm^{-3}$, $2{\sim}10{\times}10^{16}cm^{-3}$으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 분석하였으며, 그 후 P-Grid의 Space값을 $1{\sim}5{\mu}m$로 설계하여 이에 따른 항복전압과 온-저항의 값을 확인하였다. 항복전압과 온-저항은 서로 trade-off 관계에 있기 때문에 각 변수에서 도출된 값들을 Baliga's Figure Of Merit (BFOM)식에 대입하여 비교하였다. 그 결과 고전압 소자에 적용 가능한 1200 V급 4H-SiC MPS다이오드를 최적화 및 설계를 도출하였다.

카페인 투여 후 운동이 수면에 미치는 효과 (Effects of exercise on sleep EEG following caffeine administration)

  • 윤진환;이희혁
    • 생명과학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.375-382
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    • 2002
  • 운동이 수면에 미치는 효과를 보다 명확하게 검증하기 위해 일반상태가 아닌 카페인으로 인한 수면장애 상태에서 운동의 효과를 조사하였다. 본 연구의 피험자는 3회의 실험 조건(1. 평상시, 2. 카페인 섭취, 3. 카페인섭취 $\times$운동)에 참여해서 이들의 수면변수와 수면시 뇌파를 측정하였다. 카페인은 고용량으로 1200mg(400mg$\times$3)을 투여하였으며, 운동강도는 60% V $O_{2peak}$에서 60분을 사이클 에르고미터를 이용해 실시하였다. 본 실험결과 카페인 섭취로 입면시간 연장과 수면효율성 감소 그리고 서파수면(SWS)의 감소로 수면에 불리한 효과를 유발시켰다. 하지만 카페인 섭취와 운동을 병행했을 때 카페인 투여시 발생된 효과를 상쇄시키는 효과가 나타났다. 이러한 결과로써 고용량의 카페인 섭취가 수면장애 유발 효과가 있었지만 운동을 병행해서 실시했을 때 수면촉진과 수면효율성 그리고 숙면인 서파수면의 증가가 나타남으로써 운동이 수면방해를 완화시키고 수면 향상에 효과가 있는 것으로 생각된다.

Floating P-well 전압 감지 방법과 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(LIGBT)를 이용한 새로운 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)의 보호회로 (A New 1200V PT-IGBT with Protection Circuit employing the Lateral IGBT and Floating p-well Voltage Sensing Scheme)

  • 조규헌;지인환;한영환;이병철;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.99-100
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    • 2006
  • 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.

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PSFB 컨버터에서 변압기 최적 설계에 관한 연구 (A Study on the Optimal Design of the Transformer in the PSFB Converter)

  • 이일운
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제11권9호
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    • pp.869-876
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    • 2016
  • 위상변조 풀브리지 컨버터를 설계, 개발하는데 있어, 전력반도체와 그 전력반도체 구동회로, 변압기 및 인덕터, 정류기 등을 포함한 많은 설계 요인들이 존재한다. 그 중에서 위상변조 풀브리지 컨버터의 최적 성능에 매우 큰 영향을 끼치는 것은 변압기 설계이다. 특히 변압기 설계는 대형 컴퓨터 데이터센터에 사용되는 전원장치에서처럼 저전압, 고전류 응용에서 매우 중요하다. 이 논문에서는 위상변조 풀브리지 컨버터의 최적 성능을위한 변압기 설계에 관한 연구 결과를 발표한다. 변압기 설계에 관련된 설계 수식들을 유도하고 세밀한 분석을 한다. 이를 토대로, 12V, 1200W 서버전원장치 응용을 위한 위상변조 풀브리지 컨버터 최적 성능을 위한 변압기 설계를 결과물로 제시한다.

전철 급전시스템의 22900/1200V 유입변압기 안전성 분석 (Safety Analysis and Safety Measures of 22900/1200V Oil Immersed Transformer at Power Supply System)

  • 이종수;이종우
    • 전기학회논문지
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    • 제62권9호
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    • pp.1335-1342
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    • 2013
  • Subway is electrified railway system nowadays, in which liquid dielectric transformers have been widely used, though mold type transformers are replacing it. The transformers supplies large electric power and have innate hazards causing accidents under operation. A number of researcher have carried out on failures of it and have oriented to identify transformer's failure causes and how to maintain it healthy state. The transformer failures can cause serious accidents which can provoke economic loss and leads persons to kill. In this paper, we carried out a safety activity to reveal hazards and to estimate risk of subway liquid dielectric transformers using FMEA, HAZOP and What-if methods. In case of installing safety devices in oil immersed transformer, we tried to evaluate an effect on a subsystem's failure rate. We proposed how to design subsystem failure rate and safety device failure rates.

고속 데이터 전송을 위한 광모뎀 개발에 관한 연구 (A Study on the optical MODEM Development for high Speed Data Transmission)

  • 은재정;권원현;김석희;박한규
    • 한국통신학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.612-620
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    • 1987
  • 기존 RF변조복조기의 한계를 극복하고, 고속 장거리 전송이 가능한 광변복조기를 설계 제작하였다. 인터페이스는 기존시스템과의 호환성을 위해 EIA RS-232C와 CCITT V.24를 채택하였고 디지털 코딩 방식으로는 Biphase코딩방식을 사용하였다. 또한 시스템의 자체 진단을 위한 Loopback Test기능을 부가하였다. 광 송수신기의 단파장대의 LD-APD를 사용하여 $10^-9$BER에서 -30dBm의 수신 감도를 갖도록 설계하였다. 구성된 시스템은 동기식의 경우 1200bps~57.6Kbps, 비동기식의 경우 DC~200Kbps 까지 임의의 속도로 데이타 전송이 가능하였다.

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전력선을 이용한 ASK통신 모뎀에 관한 연구 (A Study on the ASK Communication Modem over Electrical Power Lines)

  • 사공석진;송문규
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.951-962
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    • 1992
  • 전력선은 동축선이나 광섬유 링크와는 대조적으로 제한된 전송전력, 높은 부하 간섭과 잡음, 가변하는 감쇠 및 임피던스 레벨 등의 문제를 안고 있으나, 별도의 통신선로가 필요없이 신호와 전원을 동시에 제공 할수 있는 잇점이 있으므로 가정 자동화 및 근거리 통신 목적으로 가치 있는 채널을 제공한다. 본 논문에서는 이러한 220V의 AC전력선을 이용하여 1200bps의 디지털 신호를 송수신할 수 있는 OOK BASK모뎀을 구현하였다. 수신 신호의 복조를 위해 비동기 검파 방식을 택하였으며, 연성판정(soft decision)을 수행하였다. 대부분의 과정을 단일 칩 마이크로 프로세서를 이용하여 하드웨어를 대폭 간소화하였다. 또한 유럽의 표준인 CENELEC의 규격에 적합하도록 설계되었으며, 가정 자동화 시스템으로 적절히 응용될 수 있음을 확인하였다.

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