• 전자공학회논문지
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• 제53권4호
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• pp.136-141
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• 2016

본 논문에서는 Current Modulator를 이용하여 루프 필터 커패시턴스 유효 용량을 배가 시켜 칩 크기를 줄일 수 있는 위상 고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프에서는 Current Modulator로 루프 필터의 커패시턴스 유효 용량을 배가 시켜 루프 필터 커패시터 크기를 1/10로 줄였다. 제안된 위상고정루프는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. 시뮬레이션 결과는 기존 구조와 같은 잡음 특성과 위상고정 시간을 보여주었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.691-693
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• 2017

본 논문에서는 시간 차 감지기와 LSI(Lock Status Indicator)를 사용하여 빠른 위상고정 시간을 갖는 위상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, Hspice 시뮬레이션을 통해 회로의 동작을 검증하였다.다음은 요약문입니다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.697-699
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• 2017

본 논문에서는 D 플립플롭과 보조 전하펌프를 사용하여 작은 크기의 위상고정루프를 제안하였다. 단일 커패시터를 사용하여 크기가 작기 때문에 위상고정루프의 집적화가 가능하다. 제안된 위상고정루프는 HSPICE로 시뮬레이션 하였으며, 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.698-701
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• 2016

본 논문에서는 Current Modulator를 이용하여 루프 필터 커패시턴스 유효 용량을 배가 시켜 칩 크기를 줄일 수 있는 위상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프에서는 Current Modulator로 루프 필터의 커패시턴스 유효 용량을 배가 시켜 루프 필터 커패시터 크기를 1/10로 줄였다. 제안된 위상고정루프는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. 시뮬레이션 결과는 기존 구조와 같은 잡음 특성과 위상고정 시간을 보여주었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권7호
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• pp.13-19
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• 2006

5Gb/s대역 크로스커플 구조의 트랜스임피던스 증폭기 및 제한증폭기가 연결된 광 수신기를 광 PCB에 응용하기 위해 설계 하였다. 회로는 0.18um CMOS 공정으로 구현되었다. 광 수신기는 0.5pF 광 다이오드 기생 캐퍼시턴스에서 $92.8db{\Omega}$ 임피던스 이득과 5Gbps의 주파수 대역을 갖는다. 그리고 1.8V, 2.4V 공급전압에서 9.74mV의 전력소모를 보인다. 입력단의 임피던스는 $50{\Omega}$ 이다. 회로를 광 PCB기판에 올려 광신호 송신 실험하여 5Gb/s 데이터의 수신을 확인하였다.

• 센서학회지
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• 제18권4호
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• pp.280-285
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• 2009

In this paper, we designed a 2-stage CMOS operational amplifier with temperature compensation function using 2-poly 4-metal 0.35 $\mu$m standard CMOS technology. Using two bias circuits, the positive temperature coefficient(PTC) and the negative temperature coefficient(NTC) of the bias circuit are canceled out each other. When reference current circuit is simulated that it has a temperature coefficient of -150 ppm/$^{\circ}C$ with a temperature change from 0 $^{\circ}C$ to 120 $^{\circ}C$. Also the proposed circuit has a temperature coefficient of -0.011 dB/$^{\circ}C$ of DC open loop gain with the same temperature range.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.25-32
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• 2013

고속 저전력 모바일 응용분야를 위한 1.8V 2-Gb/s scalable low voltage signaling (SLVS) 송신단을 제안한다. 제안하는 송신단은 데이터 전송을 위한 4-lane 송신단, 소스 동기 클록 방식을 위한 1-lane 송신단, 그리고 8-phase 클록 발생기로 구성된다. 제안하는 SLVS 송신단은 50 mV에서 650 mV의 출력 전압 범위를 가지며 고속 동작 모드와 저전력 모드를 제공한다. 또한, signal integrity를 개선하기 위한 출력 드라이버의 임피던스 교정 기법이 제안된다. 제안하는 SLVS 송신단은 1.8 V의 공급 전압을 가지는 0.18-${\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS 공정을 이용하여 구현된다. 구현된 SLVS 송신단의 데이터 jitter의 시뮬레이션 결과는 2-Gb/s의 데이터 전송속도에서 8.04 ps이다. 1-lane을 위한 SLVS 송신단의 면적과 전력소모는 각각 $422{\times}474{\mu}m^2$와 5.35 mW/Gb/s이다.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권7호
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• pp.18-27
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• 1997

A CMOS 950 MHz frequency synthesizer is designed and fabricated in a 0.8.mu.m standard CMOS process for IS-95-A CDMA mobile communication transceivers To utilize a CMOS ring VCO in a CDMA wireless communication receisver, we employed a QDC (quasi-direct conversion) receiver architecture for CDMA applications. Realized RF frequency synthesizer used as the RF local oscillator for a QDC receiver exhibits a phase noise of -92 dBc/Hz at 885kHz offset from the 950.4 MHz carrier, which complies with IS-95-A CDMA specification. It has a rms jitter of 23.7 ps, and draws 30mA from a 5V supply. Measured I/Q phase error of the 950.4 output signals is 0.7 degree.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권4호
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• pp.506-510
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• 2016

A triple-band (TB) oscillator was implemented in the TSMC $0.18{\mu}m$ 1P6M CMOS process, and it uses a cross-coupled nMOS pair and two shunt $4^{th}$ order LC resonators to form a $6^{th}$ order resonator with three resonant frequencies. The oscillator uses the varactors for band switching and frequency tuning. The core current and power consumption of the high (middle, low)- band core oscillator are 3.59(3.42, 3.4) mA and 2.4(2.29, 2.28) mW, respectively at the dc drain-source bias of 0.67V. The oscillator can generate differential signals in the frequency range of 8.04-8.68 GHz, 5.82-6.15 GHz, and 3.68-4.08 GHz. The die area of the triple-band oscillator is $0.835{\times}1.103mm^2$.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권12호
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• pp.3638-3644
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• 2009

본 논문에서는 새롭게 제안한 선형 캐스코드 전류모드 적분기를 기본으로 구성된 다중채널 CMOS 저전압 전류모드 필터를 설계하였다. 제안된 전류모드 적분기는 기존의 전류미러형 전류모드 적분기 비해서 높은 전류이득 및 단위이득 주파수 특성을 얻을 수 있다. 5차 체비셰프 함수로써 구성한 필터는 신호흐름선도(SFG)기법에 의하여 능동필터로 변환되었다. 1.8V-$0.18{\mu}m$ CMOS 공정파라미터를 사용한 HSPICE 시뮬레이션 결과, 설계된 필터는 0.51MHz에서 7.03MHz대역까지의 주파수 조정범위를 가지며 Bluetooth, DECT, WCDMA의 3채널의 기저대역에서 사용할 수 있음을 확인하였다.