본 논문에서는 As-Ge-Se-S 박막에 (P:P) 편광빔을 이용하여 회절격자를 형성시키고 비편광 (Non-Polarization) 빔을 이용하여 생성된 격자를 소거시키고 그에 따른 회절효율을 조사 하였다. (P:P) 편광으로 기록된 회절 효율은 시간이 지나도 최대 회절효율의 변화가 없었으나 비편광 빔으로 기록된 회절효율은 시간이 지남에 따라 급격한 회절효율의 감소를 보인다. 따라서 (P:P) 편광으로 회절격자를 형성시키고 비편광빔으로 격자의 소거를 진행하여 약 83%의 회절격자의 소거가 이루어졌다.
본 연구에서는 은염 물질인 Slavich PFG-01을 사용하여 투과형 홀로그래피 회절격자를 제작하고, 고효율의 회절격자 제작을 위한 현상액의 조성 등과 같은 화학적 처리 과정의 조건들을 파악하고, 반전표백과 무정착 은염 재생성 표백에 의한 회절격자의 회절 효율 특성에 대해 알아보았다. 현상액 AAC를 사용하여 반전표백에서 89.0%과 무정착 은염 재생성 표백에서 82.1%의 최대회절효율을 얻었으며, 무정착 은염 재생성 표백의 경우는 반전표백에 비해 높은 노출에너지가 필요함을 알 수 있었다. 기존의 홀로그래피 기록물질인 Agfa 8E75HD나 BB-640로 보고된 회절효율에 비해 더 높은 회절효율 얻을 수 있었으며, 기록물질 특성 차이로 인해 더 높은 노출에너지가 필요함을 알 수 있었다. 한 가지 현상 주약으로 이루어진 현상액에 비해 두가지 현상 주약을 혼합한 경우 더 높은 회절효율을 얻을 수 있었으며, 대체로 반전표백에 비해 무정착 은염 재생성 표백에서 높은 회절효율을 나타내었다.
본 논문에서는 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)박막과 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)/Ag(20nm)박막에 홀로그래피 격자를 형성시킨 후 Tg 온도$(240^{\circ}C)$를 기준으로 하여 유리질 천이온도(Tg) 온도 이하 $(190^{\circ}C)$와 이상$(270^{\circ}C)$에서 열처리 시킨 후의 회절효율 변화를 알아보았다. $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm) 박막의 경우 $190^{\circ}C$ : 50%, $240^{\circ}C$ : 약80%, $270^{\circ}C$ : 약 98%의 회절효율 감소가 일어났으며 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$(300nm)/Ag(20nm)박막에서는 Tg 온도 이하 즉 $190^{\circ}C$, $240^{\circ}C$ 에서는 회절효율의 변화가 없었으나 Tg온도 이상인 $270^{\circ}C$에서는 약 1.5배 증가한 회절효율을 나타내었다.
은염건판을 반전표백 처리하여 위상형 홀로그래픽 회절격자를 제작하였다. 반전표백에 적합한 화학적 현상액을 사용하고, 표백 후 isopropyl alcohol에 의한 급속탈수 방법으로 회절격자의 효율을 높일 수 있었다. 현상액의 종류와 표백액의 조성 변화 그리고 건조 방법에 따른 회절효율의 변화를 실험적으로 측정하였으며, 각각의 경우에 제작된 회절격자의 특성을 이론적으로 분석하였다. 제작된 회절격자는 최적 조건에서 최고 88%의 효율을 보여, 상용표백 방법으로 제작된 회절격자에 비해 산란이 적으면서도 효율이 높은 결과를 얻었다.
격자의 구조가 간단하고 격자의 대조비가 낮은 SBC 시스템 구성을 위한 무편광 유전체 다층박막 회절격자를 제작하였다. 제작된 박막의 굴절률과 두께 오차로 인하여, 제작된 회절격자의 회절 효율은 설계보다 낮은 값을 나타내었다. 오차를 발생시킨 원인을 분석하고, 제작된 회절격자 위에 추가의 코팅을 통하여 회절 효율 보정이 가능함을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 시뮬레이션 결과를 확인하기 위하여 제작된 회절격자 위에 Ta2O5 추가층을 제작하고 회절격자를 측정한 결과 회절 효율 보상이 이루어졌으며, 최고 91.7%의 무편광 회절 효율을 얻었다.
광 폴리머(photopolymer)에 의한 편광 회전과 제작된 격자에서 나타나는 회절효율의 불안정을 분석하였으며, 특히 반사형 광 폴리머의 내부 복굴절(birefringence)에 의해 회절효율의 변화가 발생함을 밝혔다. 광 폴리머를 지지하고 있는 Mylar 기판(base sheet)은 고분자 물질로, 가공 중에 발생한 연신에 의해 복굴절이 발생하여 밤의 편광 상태를 회전시킴으로써 격자의 회절효율을 불안정하게 만드는 원인이 된다. Mylar 기판을 통과하는 빔의 편광 상태를 감광성이 없는 He-Ne 레이저를 사용하여 유리판 위에 접촉된 상태에서 방향을 조절하여 광원의 편광 상태와 평행하게 고정시킬 수 있었으며, 이로 인해 매우 안정적인 회절효율을 갖는 회절격자를 제작할 수 있었다.
2개의 결합층과 2개의 격자 층으로 구성된 회절격자 구조를 형성하고, 최적화 기법을 통하여 -1차에서 높은 투과 회절 효율을 가지는 회절격자를 설계하였다. 설계된 회절격자는 설계 중심파장에서 99.997%의 transverse electric wave 회절 효율을 가지고 있었으며, 95% 이상의 회절 효율을 유지하는 파장 폭이 80 nm이고 입사각 폭이 20.0°이었다. 회절격자 공차 분석을 수행하여 95% 이상의 회절 효율을 가지기 위한 두께 공차가 최소 60 nm 이상 확보되어 있고, 내부각도 10° 이내의 사다리꼴 모양에서도 회절 효율을 유지할 수 있음을 확인하였다.
본 논문에서는 다양한 조건으로 생성된 컴퓨터생성홀로그램(Computer-generated Hologram, CGH)에 대한 회절효율을 측정하였다. 이를 통해 홀로그램 재생 시 고려해야되는 생성 조건에 대해 논의한다. 위상 방식의 복소 홀로그램을 대상으로 프레넬 조건 하에서 생성된 프린지의 1차 회절 패턴의 강도를 측정함으로써 각 조건들을 비교한다.
본 논문에서는 광굴절 특성을 나타내는 파라메타중 회절효율의 전도도비(${\sigma}_d$/{\sigma}_p$) 의존성에 관해 연구 하였다. 전도도비는 입사빔의 세기에 의존하며, 암전도도 ${\sigma}_d$가 광전도도 ${\sigma}_p$ 에 비해 무시할 수 없을 때 입사빔의 세기에 따라 전도도비가 변화되고, 전도도비의 변화는 결정 내의 정전기장에 영향을 주게 된다. 정전기장의 변화는 전기광학효과에 의해 굴절율을 변화시키고, 굴절율의 변화는 회절효율과 관계한다. 개방회로 상태에서 0.1%/mole $Fe:LiNbO_3$ 결정과 $LiNbO_3$ 웨이퍼에 Fe를 증착시킨 LiNb$O_3$에서 두 입사빔의 세기비와 입사빔세기의 합을 다르게 할 때 회절효율을 측정하고 이론값과 비교하였다.
Fresnel lens는 zone plate에 비해 공정은 쉬우나 회절 효율이 높은 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 micro fresnel lens를 설계하고 각각의 회절 효율 및 focal size를 계산하였으며. 비교적 공정이 용이한 계단 모양의 fresnel lens를 설계하여 회절 효율과 focal size를 계산하였다. 그리고, 광원의 파장과 초점거리에 따른 lens의 회절 효율을 비교하였으며, 계단의 수에 따른 회절 효율도 비교하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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