• Title/Summary/Keyword: 패턴형성

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유기박막트랜지스터를 위한 극초단 펄스 레이저 마이크로-나노 패터닝

  • Jo, Jeong-Hyeong;Chae, Sang-Min;Kim, Yong-Hwi;Lee, A-Ra;Lee, Hyeon-Hwi;Choe, Ji-Yeon;Kim, Hyo-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.271-271
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    • 2016
  • highly doped N-type 실리콘 기판 위에 극초단 펄스 레이저를 이용하여 LIPSS (Laser-Induced Periodic Surface Structure) 패턴을 형성하였다. 형성된 LIPSS 구조는 $15{\mu}m$와 500 nm 주기를 가지는 ripple로 형성이 되었고 이 구조를 형성하기 위해서 사용된 레이저는 Satsuma HP2, Amplitude syst?mes 이다. LIPSS 패턴을 가지는 기판 위에는 유기반도체 물질인 pentacene을 50 nm로 열 증착방법을 통해 박막을 형성하여 유기박막트랜지스터를 제작하였고, hole mobility를 측정하였다. LIPSS 패턴을 가지는 실리콘 기판과 pristine 실리콘 기판 위의 pentacene의 morphology를 AFM으로 관찰하고 유도된 구조를 연구하였다.

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식생활 변화의 원인과 전망

  • 명광식
    • KOREAN POULTRY JOURNAL
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    • v.19 no.2 s.208
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    • pp.34-39
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    • 1987
  • 식생활변화의 원인을 알아보기 위해서는 식생활의 패턴이 어떻게 형성되는지 살펴볼 필요가 있다. 한번 형성된 식생활패턴은 쉽게 변하지 않는다. 변하려면 여러세대가 걸린다.

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블록 공중합체 박막을 이용한 금 나노점 및 실리콘 나노점의 형성

  • Gang, Gil-Beom;Lee, Chang-U;Kim, Yong-Tae;Kim, Seong-Il
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2007.06a
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    • pp.90-93
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    • 2007
  • 밀도가 높고 주기적으로 배열된 실리콘 나노점이 실리콘 기판위에 형성 되었다. 실리콘 나노점을 형성하기 위해 사용된 나노패턴의 지름은 20 나노미터(nm)이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공사이의 거리는 50 nm 였다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 형성된 나노패턴에 전자빔 기상증착장치를 사용하여 금 박막을 $100\;{\AA}$ 증착하고 리프트오프(lift-off) 방식으로 금 나노점을 만들었다. 형성된 금 나노점을 불소기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각하고 황산으로 제거하였다. 형성된 실리콘 나노점의 지름은 24 nm 였고 높이는 20 nm 였다.

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Programmed APTES and OTS Patterns for the Multi-Channel FET of Single-Walled Carbon Nanotubes (SWCNT 다중채널 FET용 표면 프로그램된 APTES와 OTS 패턴을 이용한 공정에 대한 연구)

  • Kim, Byung-Cheul;Kim, Joo-Yeon;An, Ho-Myoung
    • The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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    • v.8 no.1
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    • pp.37-44
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    • 2015
  • In this paper, we have investigated a selective assembly method of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) on a silicon substrate using only photolithographic process and then proposed a fabrication method of field effect transistors (FETs) using SWCNT-based patterns. The aminopropylethoxysilane (APTES) patterns, which are formed for positively charged surface molecular patterns, are utilized to assemble and align millions of SWCNTs and we can more effectively assemble on a silicon (Si) surface using this method than assembly processes using only the 1-octadecyltrichlorosilane (OTS). We investigated a selective assembly method of SWCNTs on a Si surface using surface-programmed APTES and OTS patterns and then a fabrication method of FETs. photoresist(PR) patterns were made using photolithographic process on the silicon dioxide (SiO2) grown Si substrate and the substrate was placed in the OTS solution (1:500 v/v in anhydrous hexane) to cover the bare SiO2 regions. After removing the PR, the substrate was placed in APTES solution to backfill the remaining SiO2 area. This surface-programmed substrate was placed into a SWCNT solution dispersed in dichlorobenzene. SWCNTs were attracted toward the positively charged molecular regions, and aligned along the APTES patterns. On the contrary, SWCNT were not assembled on the OTS patterns. In this process, positively charged surface molecular patterns are utilized to direct the assembly of negatively charged SWCNT on SiO2. As a result, the selectively assembled SWCNT channels can be obtained between two electrodes(source and drain electrodes). Finally, we can successfully fabricate SWCNT-based multi-channel FETs by using our self-assembled monolayer method.

Fluorescent Pattern Generation on the Fluorescent Photopolymer with 2-beam Coupling Method (2-beam Coupling 방법을 이용한 광 고분자 형광 패턴 형성)

  • Kim, Yoon-Jung;Kim, Jeong-Hun;Sim, Bo-Yeon;Lee, Myeong-Kyu;Kim, Eun-Kyoung
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.21 no.1
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    • pp.6-11
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    • 2010
  • Fluorescent photopolymer film was prepared with composition containing acrylate monomer, binder, a visible light sensitive photo initiator, and fluorescent anthracene polymer. A fluorescent grating pattern was inscribed on the photopolymer film using a 2-beam coupling method. A 514 nm laser was coupled to generate a beam-interference pattern. A highly fluorescent diffractive line pattern was formed on the fluorescent photopolymer within 30 sec. of exposure. The fluorescence intensity was highly enhanced in the patterned area, possibly due to the change in the environment of the fluorescent polymers by the photo-polymerization of monomers. Under a photo-mask, a gap electrode pattern was formed of fluorescent gratings with a sub-micron scale, which was matched well to the calculated value ($2.5\;{\mu}m$ and $0.6\;{\mu}m$) based on the refractive index of the photopolymer and beam incident angle ($3.4^{\circ}$, $15^{\circ}$) to the photopolymer surface.

Moth-eye 패턴이 형성된 고 투과성 전도성 폴리머 필름 제작

  • Min, Byeong-Hak;Jo, Jung-Yeon;Lee, Seong-Hwan;Han, Gang-Su;Lee, -Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.63.1-63.1
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    • 2011
  • 현재 상용 중인 터치패널의 전도성 필름으로는 ITO가 주로 사용된다. 하지만, 디스플레이 기기의 수요 증가와 Indium의 고갈로 인한 ITO의 수요 공급 불균형으로 인한 원가 문제가 대두되고 있다. 이 때문에, Carbon nanotube (CNT), Graphene 등의 대체 투명 전도성 물질들이 연구 중에 있지만 투과율 및 저항 문제 등이 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 투명 전도성 필름의 광 투과도 향상을 위하여, 자외선 경화 레진을 이용하여, 전도성 필름 상에 모스 아이 레진 패턴을 형성하는 실험을 진행하였다. 패턴이 형성된 이후에는 Scanning Electro Microscope를 통하여 패턴의 형성 유무를 관찰하였고, UV-vis와 4-point probe를 이용하여 투과도 및 저항을 측정하였다. 실험 결과 모스아이패턴을 필름에 패터닝 함으로써, 전체적으로 투과도가 증가된다는 것을 확인 할 수 있었으며, 투과도의 증가폭은 단면 패터닝보다는 양면 패터닝을 한 경우가 높았다. 그리고 저항 변화에 있어서는 패턴이 있는 부분의 경우 표면 잔여층으로 인하여 급격하게 증가하였지만, 전도면 반대편에 패터닝을 진행한 경우 거의 변화하지 않았다는 것을 확인할 수 있었다. 결과적으로, 본 연구를 통해 나노 임프린트 리소그래피를 통해 전도성 폴리머 필름 상부에 모스아이나노 구조물을 제작하였고, 이를 통해 기존의 전도성 폴리머 필름의 낮은 투과율을 향상시킬 수 있었다.

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수직형 LED 소자의 광출력 향상을 위한 나노 패터닝 공정

  • Byeon, Gyeong-Jae;Park, Hyeong-Won;Jo, Jung-Yeon;Lee, Seong-Hwan;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2010.05a
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    • pp.32.2-32.2
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    • 2010
  • 본 연구에서는 고출력, 고휘도를 위해서 개발되고 있는 수직형 LED소자의 광출력향상을 위한 나노 패터닝 공정을 진행하였다. 수직형 LED는 기존 측면형 LED에 비해서 열방출 특성이 우수하고 대면적 칩으로 제작이 가능하기 때문에 높은 광출력이 필요한 조명 분야로의 적용이 가능하다. 하지만 수직형 LED 역시 기존 측면형 LED와 마찬가지로 질화갈륨 및 외부 공기와의 계면에서 전반사가 심하기 때문에 광추출효율이 낮은 문제점이 있으며 이를 해결하는 것이 큰 이슈가 되고 있다. 이를 해결하기 위해서 광결정 패턴을 LED 소자에 형성하여 광추출효율을 향상시키려는 연구가 활발히 진행되고 있으나 아직까지 수직형 LED 웨이퍼 전면적에 균일한 패턴을 형성할 수 있는 기술 개발이 미진한 상황이다. 본 연구에서는 유연 고분자 몰드를 이용한 대면적 나노 임프린팅 및 나노 프린팅 기술을 통해서 2 inch 수직형 LED 웨이퍼 전면적에 균일한 패턴을 전사하는 공정을 진행하였다. 구체적으로는 나노임프린트 및 건식식각 공정을 통해서 수직형 LED의 n형 질화갈륨 층에 높은 가로세로비의 광결정 패턴을 형성하였으며 이를 통해서 약 40% 정도의 광출력이 향상되었다. 또한 고 굴절률의 산화아연 나노 패턴 형성공정을 대면적 LED 기판에 시도하였다.

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광투과성 향상을 위한 모스아이 패턴 형성 및 태양전지에의 응용

  • Han, Gang-Su;Sin, Ju-Hyeon;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.54.1-54.1
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    • 2009
  • 유기 태양전지는 전도성 고분자를 사용하고, 상온 공정이 가능한 초저가의 태양전지로서 주목 받는 태양전지이다. 하지만 변환 효율이 낮아 효율 향상이 큰 이슈가 되고 있다. 본 실험에서는 유기 태양전지의 효율 향상을 위해서 나노 임프린트 리소그래피 및 핫엠보싱 리소그래피 방법을 사용하여 미세 기능성 패턴을 형성하였다. 나노 임프린트 리소그래피 및 핫엠보싱 리소그래피는 나노미터급 크기의 고해상도 패턴을 빠르고 경제적으로 형성할 수 있는 가장 유망한 차세대 리소그래피 기술로써, 이를 이용한 미세패턴 구조의 형성으로 인해 다양한 기판의 투과도 향상을 확인 할 수 있었다. 또한, 태양전지 기판에 적용함으로써 향상된 광학적 특성으로 인해 태양전지 효율 향상을 확인 할 수 있었다.

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Each Nozzle Control for Optimum Formation of Ink Drop of Piezoelectric Printing Head (압전 프린트헤드의 잉크드롭 최적형성을 위한 각 노즐제어)

  • Choi, Geun-Soo;Youn, Shin-Yong;Baek, Soo-Hyun;Kim, Yong
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.10d
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    • pp.215-217
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    • 2006
  • 본 논문에서는 잉크젯 프린팅 기술을 이용한 산업용 FPCB의 패턴형성을 위한 잉크드롭의 최적형성을 연구목적으로 하였다. 이를 위하여 압전헤드에 대한 구동특성을 해석하였으며 드롭형성을 위한 전압파형의 크기, 펄스폭, 기울기(감속)조정을 통하여 잉크드롭을 최적으로 형성하도록 제어기(FPGA)를 구성하였으며 실험결과를 통하여 잉크의 최적형성 과정을 확인할 수 있었으며 잉크 드롭시 1[mm]에 ${\pm}10$[um]의 드롭오차를 ${\pm}2$[um]까지 감소시켜 50[um]패턴을 프린트하였다.

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Enhancement of Light Extraction Efficiency of OLED Using Si3N4 Nano Pattern on Glass Substrate

  • Park, Sang-Jun;Jo, Jung-Yeon;Kim, Yang-Du;Yu, Sang-U;Heo, Ju-Hyeok;Seong, Yeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.251.1-251.1
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    • 2014
  • Oraganic Light Emitting Diodes (OLED) 소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 방안으로 나노급 사이즈의 고 굴절률 패턴을 기판의 내부 패턴에 적용하였다. 100 nm 및 300 nm의 직경을 갖는 Si3N4 나노 패턴을 나노 임프린트 리소그래피와 건식 식각 공정을 통하여 OLED의 유리기판에 형성을 하였다. 그리고 Silicon On Glass (SOG) 물질을 패턴이 전사된 기판에 스핀 코팅으로 평탄화 공정을 진행 함으로써 OLED소자의 전기적인 특성이 떨어지는 문제점을 개선하였다. 그러고 나서 Si3N4 나노 패턴이 형성되고 평탄화 공정을 마친 기판상 OLED 소자를 제작하였다. OLED의 발광층에서 발생한 빛은 Si3N4 나노패턴에 의해 산란되어 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 본 연구에서 두 가지 종류 100nm, 300nm 높이의 Si3N4 나노패턴으로 높이에 따른 광 추출 효율을 비교하고자 OLED 소자를 제작하였다. 기판에 Si3N4 패턴이 형성된 OLED의 효율은 Si3N4 300nm에서 13.1% 증가하였다.

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