• 제목/요약/키워드: 텅스텐와이어

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마이크로 스프링을 이용한 수직형 프로브 카드 제작 (Design of Micro-Spring for Vertical Type Probe Card)

  • 민철홍;김태선
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.667-670
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    • 2005
  • 본 논문은 100um와 80um의 텅스텐 와이어를 이용하여 세라믹(Ceramic)기판에 홀(Hole)을 뚫어 텅스텐 와이어를 수직으로 세우는 방식으로 수직형의 마이크로 스프링을 제작하였다. 마이크로 스프링의 설계를 위해 제한된 실험 결과와 신경회로망을 이용하여 텅스텐 와이어의 두께와 높이, 쉬프트(Shift)의 양을 변화시키면서 장력(Tension force)을 모델링하였고 제작을 통해 검증하였다. 이는 기존의 수평형 프로브카드의 한계를 대체할 수 있는 수직형 프로브카드의 핵심 모듈로서 멀티다이(Multi Die) 뿐만 아니라 범핑(Bumping)타입의 칩 테스트도 가능하다.

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갈륨액체금속 이온원과 인듐액체금속 이온원의 빔 특성에 대한 연구 (The study of beam characteristics for Ga LMIS and In LMIS)

  • 현정우;임연찬;정강원;정원희;박철우;이종항;강승언
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.360-363
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    • 2005
  • 본 연구에서는 인듐 액체금속이온원을 제작하여 빔 특성에 대해 연구를 하였으며, 기존의 연구를 하였던 갈륨 액체금속 이온원의 빔특성과 비교분석 하였다. 빔특성 분석을 위해 빔 안정도, 전류-전압특성곡선, 에너지 퍼짐을 측정하였다. 액체금속이온원에 사용되는 액체금속 저장소 및 바늘전극(tip)은 $500{\mu}m$의 직경을 갖는 텅스텐을 사용하였으며, 국내에서 제작된 제품을 사용하였다. 액체금속 저장소의 구조는 이전에 구상하여 연구가 이루어진 6개의 pre-etching된 텅스텐와이어(wire)가 묶여진 형태를 사용하였다.

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전기화학적 에칭법을 이용한 AFM용 텅스텐 탐침 제작에 관한 연구 (Fabrication of Tungsten Probe Tips for AFM using Electrochemical Etching)

  • 한규범;장현아;안효석
    • Tribology and Lubricants
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    • 제29권4호
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    • pp.213-217
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    • 2013
  • As commercial atomic force microscopy (AFM) probes made of Si and $Si_3N_4$ have low stiffness, it is difficult to induce sufficient elastic deformation on the surface of a specimen in a tapping mode. Therefore, high-guality phase contrast images can not obtained. On the other hand, a tungsten AFM probe has relatively higher stiffness than a commercial AFM probe. Accordingly, it is expected to provide an enhanced phase contrast image, which is an effective tool for achieving a better understanding of the micromechanical properties of worn surfaces and wear mechanisms. In this study, on electrochemical etching method was optimized to fabricate tungsten probe tips for an AFM. Electrochemical etching was performed by applying pulse waves with a 20% duty cycle at various voltages instead of only a DC voltage, which has been commonly used.

텅스텐 와이어 초단 펄스 미세 전해가공 (Tungsten Wire Micro Electrochemical Machining with Ultra Short Pulses)

  • 신홍식;김보현;주종남
    • 한국정밀공학회지
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    • 제24권6호
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    • pp.105-112
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    • 2007
  • Tungsten wire micro electrochemical machining (W-wire micro ECM) with ultra-short pulses enables precise micro machining of metal. In wire micro ECM, platinum wire has been used because it is electrochemically stable. However, the micro metal wire with low strength is easily deformed by hydrogen bubbles which are generated during the machining. The wire deformation decreases the machining accuracy. To reduce the influence of hydrogen bubbles, in this paper, the use of tungsten wire was investigated. To improve machining accuracy, suitable pulse conditions which affect generation of bubbles were also investigated. The tungsten wire micro ECM can be applied to the fabrication of various shapes. Using this method, various micro-parts and shapes were fabricated.

전기화학적 에칭법에 의한 텅스텐 와이어의 Sharp tip 제조에 관한 연구 (Tungsten With Tip Sharpening by Electrochemical Etching)

  • 우선기;이홍로
    • 한국표면공학회지
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    • 제31권1호
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    • pp.45-53
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    • 1998
  • Sharp tips are commonly used for applications in fields as diverse as nanolithography, lowvoltage field emitters, emitters, nanoelectroniecs, electrochemisty, cell biology, field-ion and electron microscopy. tungsten wire, mater만 used in this experiment, which test the chip of wafer has been used to the needle of probe card. Tungsten wire was sharpened by electrochemical etching methode to get a typical tip shape.

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전기화학적 에칭에 의한 AFM용 텅스텐 탐침의 강성 제어 (Effective Control of Stiffness of Tungsten Probe for AFM by Electrochemical Etching)

  • 한규범;이승제;안효석
    • Tribology and Lubricants
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    • 제30권4호
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    • pp.218-223
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    • 2014
  • This paper presents a method of controlling the stiffness of a tungsten probe for an atomic force microscope (AFM) in order to provide high-quality phase contrast images in accordance with sample characteristics. While inducing sufficient deformation on sample surfaces with commercial Si or $Si_3N_4$ probes is difficult because of their low stiffness, a tungsten probe fabricated by electrochemical etching with appropriately high stiffness can generate relatively large elastic deformation without damaging sample surfaces. The fabrication of the tungsten probe involves two separate procedures. The first procedure involves immersing a tungsten wire with both ends bent parallel to the surface of an electrolyte and controlling the stiffness of the tungsten cantilever by decreasing its diameter using electrochemical etching in the direction of the central axis. The second procedure involves immersing the end of the etched tungsten cantilever in the direction perpendicular to the surface of the electrolyte and fabricating a tungsten tip with a tip radius of 20-50 nm via the necking phenomenon. The latter etching process applies pulse waves every 0.25 seconds to the manufactured tip to improve its yield. Finite element analysis (FEA) of the stiffness of the tungsten probe as a function of its diameter showed that the stiffness of the tungsten probes greatly varies from 56 N/m to 3501 N/m according to the cantilever diameters from $30{\mu}m$ to $100{\mu}m$, respectively. Thus, the proposed etching method is effective for producing a tungsten probe having specific stiffness for optimal use with an AFM and certain samples.

탄소나노튜브를 이용한 고휘도 X-선원용 전자빔원 개발 (Development of an electron source using carbon nanotube field emittes for a high-brightness X-ray tube)

  • 김선규;허성환;조성오
    • 한국진공학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.252-257
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    • 2005
  • 고휘도 마이크로빔 X-선원에 사용할 고휘도 전자빔원을 탄소나노튜브를 이용하여 설계, 제작하였다. 전자빔원은 탄소나노튜브 팁을 이용한 음극, 전자빔 인출용 그리드, 전자빔 가속용 양극으로 이루어진 삼극관 형태의 구조를 가진다. 설계된 휘도 값을 얻기 위하여 X-선 발생부에서의 전자빔 직경이 5 $\mu$m 이하, 빔전류가 약 30 $\mu$A 이상이 요구된다 이러한 요구조건을 만족시키기 위하여, EGUN Code를 이용하여 전자빔의 궤적 및 공간분포 등을 계산함으로써, 탄소나노튜브 팁 및 전자빔원의 구조 등을 최적화 하였다. 제작된 탄소나노튜브 팁은 직경 200 $\mu$m 의 텅스텐 와이어를 전기화학적으로 에칭하여 그 끝을 뽀족하게 만든 뒤 텅스텐의 끝 부분에 탄소나 노튜브를 화학기상법으로 증착하여 제작하였다. 제작된 탄소나노튜브를 이용하여 전자빔 인출실험을 수행하였다. 개발 중인 탄소나노튜브 팁을 이용한 고휘도 전자빔원의 설계 특성 및 기초 실험결과를 보고한다.

기지내 반응법에 의한 WC 복합재료의 제조에 관한 연구(1);주조접합된 주철/텅스텐 와이어의 계면반응층 생성기구와 조직특성 (A Study on the Manufacture of WC MMCs by In-situ Reaction Process(1);The Formation Mechanism of Interfacial Reaction Layer in Cast-bonded Cast iron/W wire and Its Structure)

  • 박흥일;김창업;허보영;이성렬;김창규
    • 한국주조공학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.272-282
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    • 1995
  • Iron-based metal matrix composites have been recently investigated for the use of inexpensive abrasion resistance material. This paper carried out to investigate the in-situ reaction effects on the microstructural characteristics and the formation mechanism of tungsten carbides in a white cast iron matrix. The specimens of Fe-3.2%C-2.8%Si alloy cast-bonded with tungsten wire were cast in the metal mold and isothermally heat treated at $950^{\circ}C$ up to 48 hours. The typical microstructure of heat treated specimens showed the reaction layer of WC at the interface of tungsten wire and the carbon depletion zone between the WC layer and the matrix. During the formation of WC layer, if the carbon supply is insufficient due to the decarburization of matrix or the isolation of matrix by cast-bonded W wires, the reaction layer develops coarse hexagonal crystalline WC. From the microstructural investigation, it was found that the volume of WC layer and the carbon depletion zone increased linearly with the isothermal heat treating time. This results supported that the formation rate of WC in the white cast iron matrix is controlled by the interfacial reaction with a constant reaction rate.

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콘빔형 소동물용 전산화단층촬영(CT) 장치의 성능평가 (Characterization of Cone-beam Computed Tomography System for Small Animal)

  • 강형근;천권수
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제4권1호
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    • pp.19-24
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    • 2010
  • 콘빔형 소동물용 CT 장치는 바이오-의료분야의 기초 실험에 활발히 응용되고 있다. $10{\mu}m$의 직경을 가진 텅스텐 와이어(wire)와 물 팬텀을 이용하여 비교적 간단한 방법으로 소동물용 CT 장치를 평가할 수 있는 방법을 제시하였다. X선 튜브가 안정적으로 장시간 운전 가능한 조건에서 $1^{\circ}$ 간격으로 360개의 투영영상을 획득하고, 영상재구성을 통하여 슬라이스 영상 및 3차원 영상을 얻었다. 콘빔형 소동물용 CT 장치는 배율 1.07배 위치에서 13.78lp/mm(공간해상도 $36.2{\mu}m$)를 나타내었고, 80kV의 관전압에서 CNR 10.33 및 S/N 5.87을 보였다.