• Title/Summary/Keyword: 캐패시터

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W/TiN 금속 게이트 MOS 소자의 물리.전기적 특성 분석

  • 윤선필;노관종;노용한
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.123-123
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    • 2000
  • 선폭이 초미세화됨에 따라 게이트 전극에서의 공핍 현상 및 불순물 확산의 물제를 갖는 poly-Si 게이트를 대체할 전극 물질로 텅스텐(W)이 많이 연구되어 왔다. 반도체 소자의 배선물질로 일찍부터 사용되어온 텅스텐은 내화성 금속의 일종으로 용융점이 높고, 저항이 낮다. 그러나, 일반적으로 사용되고 있는 CVD에 의한 텅스텐의 증착은 반응가스(WF6)로부터 오는 불소(F)의 게이트 산화막내로의 확산으로 인해 MOS 소자가 크게 열화될수 있다. 본 연구에서는 W/TiN 이중 게이트 전극 구조를 갖는 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적 특성을 살펴보았다. P-Type (100) Si위에 RTP를 이용, 85$0^{\circ}C$에서 110 의 열산화막을 성장 및 POA를 수행한 후, 반응성 스퍼터링법에 의해 상온, 6mTorr, N2/Ar=1/6 sccm, 100W 조건에서 TiN 박막을 150, 300, 500 의 3그룹으로 증착하였다. 그 위에 LPCVD 방법으로 35$0^{\circ}C$, 0.7Torr, WF6/SiH4/H2=5/5~10/500sccm 조건에서 2000~3000 의 텅스텐을 증착하였다. Photolithography 공정 및 습식 에칭을 통해 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ 크기의 W/TiN 복층 게이트 MOSC를 제작하였다. W/TiN 복측 게이트 소자와 비교분석하기 위해 같은 조건의 산화막을 이용한 알루미늄(Al) 게이트, 텅스텐 게이트 MOSC를 제작하였다. 35$0^{\circ}C$에서 증착된 텅스텐 박막은 10~11$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 미소한 W(110) peak값을 나타내는 것으로 보아 비정질 상태에 가까웠다. TiN 박막의 경우 120~130$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 TiN (200)의 peak 값이 크게 나타난 반면, TiN(111) peak가 미소하게 나타났다. TiN 박막의 두께와 WF/SiH4의 가스비를 변화시켜가며 제작된 MOS 캐패시터를 HF 및 QS C-V, I-V 그리고 FNT를 통한 전자주입 방법을 이용하여 TiN 박막의 불소에 대한 확산 방지막 역할을 살펴 보았다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. TiN 박막이 300 , 500 이고 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우 소자 특성이 우수하였으나, 5:5의 경우에는 FNT 전자주입 특성이 열화되기 시작하였다. 그리고, TiN박막의 두께가 150 으로 얇아질 경우에는 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우에서도 소자 특성이 열화되기 시작하였다. W/TiN 복층 게이트 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적인 특성 분석결과, 순수 텅스텐 게이트 소자의 큰 저전계 누설 전류 특성을 해결할 수 있었으며, 불소확산에 영향을 주는 조건이 WF6/SiH4의 가스비에 크게 의존됨을 알 수 있었다. TiN 박막의 증착 공정이 최적화 될 경우, 0.1$\mu\textrm{m}$이하의 초미세소자용 게이트 전극으로서 텅스텐의 사용이 가능할 것으로 보여진다.

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내장형 캐패시터의 설계 파라미터 추출에 관한 연구 (Design parameters of embedded capacitors)

  • 윤희선;유찬세;조현민;이영신;이우성;박종철
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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    • pp.61-66
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    • 2001
  • In this research, the design parameters of embedded capacitors are extracted by modeling and fabrication. The traditional library of capactor has a few problems in applying the circuit. Its capacitance is discrete, so target values in any circuit often can't be obtained in library, To solve this problem, the characteristics of capacitors are detected in the variation with the shape and structure, and then the capacitors with the expected reactance value at target frequency are obtained, In this procedure, 3-dimensional structure simulation is performed to predict the characteiristics of capacitors.

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EDLC를 적용한 태양광-풍력 복합발전시스템 (Wind-Photovoltaic Hybrid Generation System using EDLC)

  • 정병호;최낙일;민병국;김동휘;백형래;조금배
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2008년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.621-623
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    • 2008
  • 태양광/풍력복합발전시스템은 친환경에너지원의 대표적인 복합발전시스템이다. 본 논문에서는 복합발전시스템을 하나의 DC링크에서 안정적으로 연결하기 위해 슈퍼캐패시터를 도입하여 발전된 전력의 배터리 충전매체로 활용하여 시스템의 안정성으로 높이고 충방전효율을 증가시키고자 하였다.

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Schottky barrier 다이오드의 외부 기생 소자 및 내부 소자 추출에 관한 연구 (A Study on Extracting the Parasitic and Intrinsic Parameters of Equivalent Circuit for Schottky Barrier Diode)

  • 조동준;김영훈;최민수;양승인;전용구
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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    • pp.248-251
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    • 2000
  • 본 논문에서는 SIEMENS사의 BAS125 소자의 I-V curve에서 RF신호를 고려하여 파라미터를 추출하였으며, 바이어스에 독립적인 외부소자를 추출하고, 바이어스에 종속적인 접합캐패시터를 S-parameter를 fitting하여 추출하였다.

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Furnace의 $N_2O$ 분위기에서 성장시킨 Oxynitride MOS 캐패시터 특성 (Characteristics of Oxynitride MOS Capacitor Prepared in $N_2O$ Atmosphere of Furnace)

  • 박진성;문종하;이은구
    • 한국세라믹학회지
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    • 제32권11호
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    • pp.1241-1245
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    • 1995
  • Ultrathin oxynitride (SiOxNy) films, 8nm thick, were formed on Si(100) in furnace using O2 and N2O as reactant gas. Compared with conventional furnace grown oxide, oxynitride dielectrics show better characteristics of Qbd and I-V, and less flat-band voltage shift. Excellent diffusion barrier property to dopant (BF2) is also confirmed.

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업체탐방 - (주)알에프세미

  • 최인환
    • 월간양계
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    • 제48권1호
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    • pp.146-149
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    • 2016
  • 캐패시터 마이크로폰용 소자반도체 분야에서 세계 일류 기업으로 성장한 (주)알에프세미(대표 이사 이진효)는 꾸준한 연구개발을 통해 혁신적인 교류직결형구동장치(AC Direct LED Drive IC)를 개발하여 LED 조명의 고품질 저가격 실현을 이루고 있다. 일반 가정용, 주차장, 공장 등에 공급한 교류직결형 LED 조명을 양계장에서 사용할 수 있게 방진 방습 기능을 업그레이드 시켜 작년부터 양계장에 본격적으로 공급하고 있다. 이번호에는 수명보증, 차별적인 AS 등으로 양계장 LED 전구 시장에 거침없이 도전장을 내민 (주)알에프세미를 소개코자 한다.

E급 증폭기를 이용한 전계결합형 비접촉 충전회로의 설계 (Design of Capacitively-coupled Contactless Charging System using Class-E Amplifier)

  • 최병우;최성진
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.173-174
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    • 2013
  • 전기장만으로 에너지를 전송하는 전계결합형 비접촉 충전기술은 송수신부를 매개하는 AC링크를 구성하는 전극쌍의 정전용량확보에 한계가 있으므로, 이를 잘 활용하기 위한 송수신회로가 요구된다. 따라서 본 논문에서는 이를 감안하여 전계결합형 에너지전송에 적합한 매칭변압기를 사용한 E급 송수신회로 구조를 제안한다. 제안된 구조에서 AC-링크 캐패시터의 낮은 정전용량을 감안한 최적 설계방식을 제안하고 회로설계에 따른 성능을 모의실험을 통해 예측한다.

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하이브리드 에너지 저장장치의 배터리 SOC를 고려한 DC Link 전압 제어 (DC Link Voltage Control based on Battery SOC of Hybrid Energy Storage System)

  • 정교범
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.74-75
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    • 2013
  • 본 연구는 Back-to-back 구조의 삼상인버터와 양방향 DC/DC 컨버터로 구성된 전력변환기를 이용하여 신재생에너지 발생원을 효과적으로 계통에 연계하여 스마트 그리드의 강인성을 제고하기 위한 슈퍼캐패시터와 배터리로 구성된 하이브리드 에너지 저장장치의 SOC를 고려한 DC Link 전압 제어를 수행하여 스마트그리드의 최적운영 개념을 제안하고, 타당성 검증을 위해 소프트웨어 시뮬레이션 모델을 개발하여 특성을 연구하였다.

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절연형 풀브리지 타입 전력변환기에서의 변압기 포화에 관한 연구 (A Study on Transformer Saturation in Isolated Full-bridge Type Power Converters)

  • 김정훈;차헌녕;김흥근
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2019년도 추계학술대회
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    • pp.40-42
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    • 2019
  • 절연형 전력변환기에서 사용되는 고주파 변압기는 반도체 소자의 스위칭 시간, 전압 강하, 게이트 신호의 불균형 등으로 인해 변압기의 양과 음의 전압-시간(volt-second)에 차이가 발생할 수 있다. 본 논문은 절연형 풀브리지 타입 전력변환기에서 DC 성분에 의한 변압기 코어의 포화문제를 방지하기 위해 사용되는 DC 블로킹 캐패시터(DC blocking capacitor)의 설계 방법에 대해 분석하고 실험을 통해 증명한다.

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