Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference (한국전자파학회:학술대회논문집)
- 2000.11a
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- Pages.248-251
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- 2000
A Study on Extracting the Parasitic and Intrinsic Parameters of Equivalent Circuit for Schottky Barrier Diode
Schottky barrier 다이오드의 외부 기생 소자 및 내부 소자 추출에 관한 연구
Abstract
본 논문에서는 SIEMENS사의 BAS125 소자의 I-V curve에서 RF신호를 고려하여 파라미터를 추출하였으며, 바이어스에 독립적인 외부소자를 추출하고, 바이어스에 종속적인 접합캐패시터를 S-parameter를 fitting하여 추출하였다.
Keywords