A Study on Extracting the Parasitic and Intrinsic Parameters of Equivalent Circuit for Schottky Barrier Diode

Schottky barrier 다이오드의 외부 기생 소자 및 내부 소자 추출에 관한 연구

  • 조동준 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 김영훈 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 최민수 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 양승인 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 전용구 (단암전자통신 주식회사)
  • Published : 2000.11.01

Abstract

본 논문에서는 SIEMENS사의 BAS125 소자의 I-V curve에서 RF신호를 고려하여 파라미터를 추출하였으며, 바이어스에 독립적인 외부소자를 추출하고, 바이어스에 종속적인 접합캐패시터를 S-parameter를 fitting하여 추출하였다.

Keywords