• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2009.06a
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• pp.1045-1046
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• 2009

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2008.06a
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• pp.925-926
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• 2008

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2011.06a
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• pp.733-734
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• 2011

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.13 no.10
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• pp.4378-4384
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• 2012

In LED chip packaging, die bonding is a very important process which fixes the LED chip on the lead frame to provide enough strength for the next process. This paper focuses on the process optimization of a LED die bonding, which attaches small zener diode chip on PLCC LED package frame, using response surface analysis. Design of experiment (DOE) of 5 factors, 3 levels and 5 responses are considered, and the results are investigated. As the results, optimal conditions those satisfy all response objects can be derived.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.181-184
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• 2002

본 논문에서는 600Hz 무선 LAN 시스템에 탑재를 위한 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈을 개발 하였다. 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈에 실장된 600㎓ 대역 전력증폭기 MMIC는 ETRI에서 설계 및 제작한 것으로 칩의 크기는 2.80 × 1.75㎟이며, on-wafer측정을 하여 얻은 결과는 동작 주파수 58~620Hz에서 소신호 이득은 12.4dB이고, 최대 소신호 이득은 59~60G보z에서 ISdB이며, 출력전력(Pldn)은 16.3~16.7dBm을 얻었다. 이와 같은 특성을 갖는 전력증폭기 MMIC를 사용하여 모듈을 제작하였으며, RF feed line을 위해 Rogers 사의 R03003 기판을 사용하였다. 모듈의 입출력은 동작 주파수 대역에 적합한 WRl5라는 waveguide 형태를 사용하였고, DC 바이어스 공급을 위해 3.5㎜ K-connector를 사용하였다 제작한 모듈의 크기는 40 × 30 × 15㎣이며, 최적의 성능을 얻고자 tuning bar를 상하로 이동하여 최적점을 찾았으며 나사로 고정하여 상태를 유지하도록 하였다. DC 바이어스 및 RF feed line과 칩의 연결은 본딩에 의한 인덕턴스를 최소화하기 위하여 3mil 두께의 리본 본딩을 하였다 전력증폭기 모듈을 측정한 결과, 동작주파수 600㎓ 대에서 소신호 이득은 6dB 이상, 입력 정합은 -lOdB 이하, 출력 정합은 -4dB 이하로 측정되었긴, 출력전력은 SdBm 이상으로 측정되었다. 동국대에서 제작한 600Hz 무선 LAN 시스템에 전력증폭기 모듈을 시스템 송신부에 탑재 시험한 결과, 동영상을 실시간으로 전송하는데 성공하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.14 no.3
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• pp.57-64
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• 2007

New Chip-on-glass technology to attach an Si chip directly on the glass substrate of LCD panel was studied with local heating method of the Si chip by using thin film heater fabricated on the Si chip. Square-shaped Cu thin film heater with the width of $150\;{\mu}m$, thickness of $0.8\;{\mu}m$, and total length of 12.15 mm was sputter-deposited on the $5\;mm{\times}5\;mm$ Si chip. With applying current of 0.9A for 60 sec to the Cu thin film heater, COG bonding of a Si chip to a glass substrate was successfully accomplished with reflowing the Sn-3.5Ag solder bumps on the Si chip.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.25 no.4
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• pp.483-486
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• 2014

Although flip-chip interconnects have smaller parasitics than bonding wires, they should be carefully designed at 60 GHz. Insertion loss at a flip-chip transition may differ as much as 2 dB depending on design parameters. In this paper we present a comprehensive sensitivity analysis to optimize the flip-chip transition.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.4
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• pp.203-211
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• 2013

UHF RFID tag designers usually ndde the chip impedance and read power sensitivity value obtained when a tag chip is mounted on a chip pad. The chip impedance, however, is not able to be supplied by chip manufacturer, since the chip impedance is varied according to tag designs and fabrication processes. Instead, the chip makers mostly supply the chip impedances measured on the bare dies. This study proposes a chip impedance and read power sensitivity evaluation method which requires a few simple auxiliary and some RF measuring equipment. As it is impractical to measure the chip impedance directly at mounted chip terminals, some form test fixture is employed and the effect of the fixture is modeled and de-embeded to determine the chip impedance and the read power sensitivity. Validity and accuracy of the proposed de-embed method are examined by using commercial RFID tag chips as well as a capacitor and a resistor the value of which are known.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2010.05a
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• pp.78-78
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• 2010

모바일 정보통신기기를 중심으로 패키지의 초소형화, 고집적화를 위해 플립칩 공법의 적용이 증가되고 있고 있으며 접속피치의 미세화에 따라 솔더 및 언더필을 사용하는 C4 공법보다 ACA(Anisotropic Conductive Adhesive), NCA (Non-conductive Adhesive) 등의 접착제를 이용하는 칩본딩 공법에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, NCA 공법의 경우 산업 현장의 대량생산에 대응하기 위해서는 접착제의 속경화 특성이 요구되어 진다. 일반적으로 접착제의 경화거동은 DSC(Differential Scanning Calorimeter)를 사용해 확인하지만, 수초 이내에 경화되는 접착제의 경우는 적용되기 어렵다. 본 연구에서는 이러한 전자패키지용 접착제의 속경화 거동을 효과적으로 평가할 수 있는 방법을 조사 하였다. 실험에서 사용된 접착제는 에폭시계 레진 기반에 이미다졸계 경화제를 사용한 기본적인 포뮬레이션을 사용하였고, 경화시간은 160^{\circ}C에서 1분 이내에 경화되는 특성을 가지고 있다. 경화 거동을 확인하기 위해서 isothermal DSC와 DEA(Dielectric Analysis)의 두가지 방법을 사용해 비교하였다. 두 실험 방법 모두 $160^{\circ}C$를 유지하며 경화 거동을 확인하였고, DoC(Degree of Cure)의 측정오차를 비교 분석하였다. DEA는 이온 모빌리티 변화에 따른 유전손실율을 측정하는 방법으로 80~90% 이후의 경화도는 측정되지 않았지만, 수초 이내에 경화되는 속경화 특성을 평가하기에 적합한 것으로 확인되었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.8
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• pp.929-935
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• 1995

In order to develop COG (Chip On Glass) technology for LCD module interconnecting the driver IC to Al pad electrode on the glass substrate, Anisotropic Conductive Adhesive(ACA) process, the most promising one among COG technologies, was investigated. ACA process was carried out by two steps, dispensing of ACA resin in the bonding area and curing by W radiation. Load on the chip was ranged from 2.0 to 15kg and the chip was heated at about 12$0^{\circ}C$. In resin, the density of conductive particles coated with Au or Ni at the surface were 500, 1000, 2000 and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$, and the diameter of particles were 5, 7 and 12${\mu}{\textrm}{m}$. As a result of the experiments, ACA process using ACA particle of diameter and density of 5${\mu}{\textrm}{m}$ and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$ respectively shows optimum characteristic with the stabilzed bonding properties and contact resistance.