• Proceedings of the KSMRM Conference
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• 2003.10a
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• pp.76-76
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• 2003

목적： fMRI와 뇌파의 동시측정 방법은 높은 시간적-공간적 해상도를 동시에 달성할 수 있는 뇌기능 측정을 가능케 하고, 각각의 방법이 제공하는 정보를 상호보완적으로 동시에 이용할 수 있도록 하는 유용한 방법이다. 그러나 자기공명영상을 얻기 위한 경사자계가 유발하는 잡음과 높은 자기장 내에서의 심장박동으로 인한 미세한 움직임 때문에 생기는 잡음이 뇌파신호의 질을 크게 저하하는 요소로 작용하여 이를 해결하기 위한 계측시스템의 최적화와 신호처리 방법의 개발이 요구된다. 본 논문에서는 평균차감법과 recursive least square 적응 필터링 방법에 기반한 심장 박동잡음의 감소를 위한 신호처리 방법의 개발 결과에 대한 연구 결과를 제시한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2007.10a
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• pp.834-837
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• 2007

전력선 설비나 고속철도에 의한 전력 유도 전압의 산출 방법은 매우 복잡하기 때문에 합리적인 조정이 어려우며 이에 보다 정확하고 구체적인 산출 방법의 도출을 위해 전력 유도 전압의 발생 조건을 갖춘 지역을 다수 선정하여 유도원과 병행하는 2Km 긍장의 통신 케이블이 설치된 테스트베드를 구축하고, 국내 기술기준 및 국내외 표준에서 제시하는 다양한 방법을 이용하여 전력 유도장애 발생 시 통신 케이블에 미치는 유도 잡음 전압의 영향을 분석하였다. 본 논문에서는 특히, 유도원으로부터의 유도 잡음 전압을 측정하기 위해 통신 케이블 종단에 사용하는 종단 회로의 유형에 따른 영향을 분석하였다. 이를 위해 통신 케이블의 종단 회로로서 300옴 발란스형 임피던스 회로와 600옴 종단 임피던스 회로를 사용하여 측정한 결과를 비교 분석하였으며, 향후 전력 유도 전압의 구체적인 산출 방법 도출을 위한 자료로 활용될 것이다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.19 no.11
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• pp.1272-1280
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• 2008

In this paper, we have proposed a phase noise model of fast frequency hopping synthesizer with DDS Driven PLL architecture. To accurately model the phase noise contribution of noise sources in frequency hopping synthesizer, they were investigated using model of digital divider for PLL, DAC for DDS and Leeson's model for reference oscillator and VCO. Especially it was proposed that the noise component of low pass filter was considered together with the phase noise of VCO. Under assuming linear operation of a phase locked loop, the phase noise transfer functions from noise sources to the output of synthesizer was analyzed by superposition theory. The proposed phase noise prediction model was evaluated and its results were compared with measured data.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SP
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• v.45 no.5
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• pp.95-102
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• 2008

This paper presents an appropriate approach for modeling noise in Computed Radiography(CR) images of high strength materials. The approach is specifically designed for types of noise with the statistical and nonlinear properties. CR images Ere degraded even before they are encoded by computer process. Various types of noise often contribute to contaminate radiography image, although they are detected on digitalization. Quantum noise, which is Poisson distributed, is a shot noise, but the photon distribution on Image Plate(IP) of CR system is not always Poisson process. The statistical properties are relative and case-dependant due to its material characteristics. The usual assumption of a distribution of Poisson, binomial and Gaussian statistics are considered. Nonlinear effect is also represented in the process of statistical noise model. It leads to estimate the noise variance in regions from high to low intensity, specifying analytical model. The analysis approach is tested on a database of steel tube step-wedge CR images. The results are available for the comparative parameter studies which measure noise coherence, distribution, signal/noise ratios(SNR) and nonlinear interpolation.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.12 no.7
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• pp.1191-1198
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• 2001

MMIC low noise amplifiers for millimeter-wave application using 0.15 $\mu$m pHEMT have been presented in this paper. The design emphasis is on active device model and EM simulation. The deficiency of conventional device models is identified. A distributed device model has been adapted to circumvent the scaling problems and, thus, to predict small signal and noise parameters accurately. Two single-ended low noise amplifier are designed using distributed active device model for Q-band(40 ∼ 44 GHz) and V-band(58 ∼65 GHz) application. The Q-band amplifier achieved a average noise figure of 2.2 dB with 18.3 dB average gain. The V-band amplifier achieved a average noise figure of 2.9 dB with 14.7 dB average gain. The design technique and model employed provides good agreement between measured and predicted results. Compared with the published data, this work also represents state-of-the-art performance in terms of gain and noise figure.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2001.09a
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• pp.853-856
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• 2001

잡음발생기는 통신시스템을 측정할 때 신호에 영향을 미치는 잡음신호들을 인위적으로 만들어 실제 신호가 전송되는 환경과 유사한 환경을 만드는데 필요한 시스템이다. 본 논문에서는 최근에 제안된 DCT를 이용한 잡음발생회로의 면적을 약 40∼45% 정도 줄이는 방안을 제시한다. 또한, 전력소모를 줄이기 위해 시스템에 사용되는 ADD 블록의 불필요한 동작을 억제하며 면적증가에 영향을 주지 않는 구조를 제안한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.232-235
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• 2001

본 논문은 주파수 범위가 0∼30MHz에서 전력선 통신 채널상에 나타나는 잡음에 대한 실험적인 특성 및 수치계산에 의한 이론적인 근거를 전력선 채널 파라미터의 스펙트럼상의 잡음밀도 측정으로부터 유도하였으며, 거리에 따른 채널 모의실험을 통해서 나타난 잡음 특성을 이론적인 정보전달 범위에서 비교ㆍ분석하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.12
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• pp.2655-2661
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• 2009

In this paper, an accurate noise parameters for thermal noise modeling of short channel MOSFET is derived and extracted. Fukui model for calculating the noise parameters of a MOSFET is modified by considering effects of parasitic elements in short channel, and it is compared with conventional noise model equation. In addition, for obtaining the intrinsic noise sources of devices, noise parameters(minimum noise figure $F_{min}$, equivalent noise resistance $R_n$ optimized source admittance $Y_{opt}=G_{opt}+B_{opt}$) in submicron MOSFETs is extracted. With this extraction method, the intrinsic noise parameters of MOSFET without effects of probe pad and extrinsic parasitic elements from RF noise measurements can be directly obtained.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• v.1 no.2
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• pp.120-120
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• 1997

광섬유 Fabry-Perot 간섭계를 센서로 하는 TDM 다중화 광섬유 압력/온도 센서시스템을 개발하고, 이 시스템을 이용하여 수위와 온도 측정실험을 행하였다. 측정시스템의 측정속도는 측정데이타를 저장하지 않는 경우 최대 초당 4500회이며, 센서의 응답속도는 ~1 ms로 추정된다. 압력센서와 온도센서의 특성은 이론적 추정치와 비교하여 각각 +13.7%,-18%의 차이를 보였으며, 반복실험을 통하여 선형화한 후의 선형화 오차는 1%이내, 온도의 변화가 0.1$^{\circ}C$이내 일 때 수위측정의 오차는 $\pm$0.3cm이며, 수위측정에 대한 시스템 잡음은 측정하지 않았다. 온도센서의 시스템 잡음은 0.1$^{\circ}C$이내였으며, 이 시스템을 이용하여 수위 및 온도 변화량에 대한 고속 측정실험을 수행할 결과 예상된 결과를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.3
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• pp.632-638
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• 2011

This paper presents on-chip Design-for-Testability (DFT) circuit for radio frequency System-on-Chip (SoC) applications. The proposed circuit measures functional specifications of RF integrated circuits such as input impedance, gain, noise figure, input voltage standing wave ratio (VSWRin) and output signal-to-noise ratio (SNRout) without any expensive external equipment. The RF DFT scheme is based on developed theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by output DC voltages from the DFT chip. The proposed DFT showed deviation of less than 2% as compared to expensive external equipment measurement. It is expected that this circuit can save marginally failing chips in the production testing as well as in the RF system; hence, saving tremendous amount of revenue for unnecessary device replacements.