• 대한화장품학회지
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• 제44권2호
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• pp.183-189
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• 2018

블루라이트는 가시광선영역의 파장 중 가장 에너지가 높은 파장으로 피부노화 유발 및 활성산소를 유발하는 것으로 알려져 있으며, 피부의 유해 기작에 관한 연구가 진행 중이다. 화장품 분야에서의 블루라이트 차단소재 연구 및 관련 제형연구는 아직 초기 단계에 있으며, 블루라이트 차단 측정과 관련된 시험법 또한 명확하게 정립되어 있지 않다. 블루라이트 차단 효능 평가 시험법은 해외 자외선 차단제의 차단효과 평가 방법을 참고하여 확립하였다. 국내에 고시되어 있는 자외선 차단제 원료 27종 중 17종에 대하여 블루라이트 차단효과를 평가하였으며, 블루라이트 차단 효과는 징크옥사이드가 14.97%, 비스에칠헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진이 16.32%, 메칠렌비스-벤조트리아졸릴테트라메칠부틸페놀이 35.47%, 티타늄디옥사이드가 65.96% 순으로 나타났다. 또한 동일 함량의 티타늄디옥사이드의 입자크기에 따른 블루라이트 차단효과를 확인한 결과 Nano-티타늄디옥사이드 보다 Micro-티타늄디옥사이드가 두 배 이상의 차단효과가 높게 나타냈다. 제시된 블루라이트 차단효과 평가 시험법은 블루라이트 차단 소재 탐색 및 화장품 제형 연구에 활용될 수 있을 것이다.

• 문화기술의 융합
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• 제6권4호
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• pp.599-604
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• 2020

코로나 19 이후 향균에 대한 인식이 많아 달라졌다. 외출 후의 손세정은 필수사항이 되었다. 또한 마스크 착용에 따라 안경에 김서림이 많이 발생한다. 이 문제점은 지금까지의 일상생활에 많은 불편함을 야기하고, 향균과 김서림 방지에 대한 우리들의 인식을 바꾸게 하였다. 이에 본 연구에서는 쑥 추출물을 이용하여 향균 및 김서림 방지에 효과가 있는지 연구를 하였다. 쑥 추출물을 얻기 위해 쑥의 건조과정, 알코올 추출과정, 동결건조과정을 거쳤다. 쑥 추출물과 3:7로 혼합된 징크옥사이드, 천연제올라이트 혼합물을 사용하여 향균성 테스트를 실시하였으며, 쑥 추출물과 기타 혼합물을 사용하여 김서림 방지 테스트를 실시하였다. 그 결과 향균성 테스트에서 시험균주로 사용된 E. coli와 K. pneumoniae의 경우 갯쑥추출물 1% 첨가배지부터 세균이 배양되지 않아 대표적인 그람음성균에 대한 항균력이 확인되었다. 김서림 방지 테스트에서 쑥 추출물 10wt% 혼합물이 고온부와 저온부 모두 매우 양호한 결과를 나타냈다. 우리는 쑥 추출물이 향균과 김서림 방지에 효과가 있어 코로나 19를 극복하는데 많은 도움을 줄 것으로 기대한다.

• 대한화장품학회지
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• 제43권4호
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• pp.381-390
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• 2017

본 연구에서는 국내 유통 중인 자외선 차단 기능성화장품 총 100건을 대상으로 살균보존제 16종과 자외선차단성분 18종의 사용실태를 조사하였다. 그 결과, 검출률이 가장 높은 살균보존제 성분 5가지는 페녹시에탄올(61건), 안식향산(19건), 메틸파라벤(11건), 벤질알콜(8건), 프로필파라벤(7건)순이었으며, 자외선차단성분의 경우는 티타늄디옥사이드(81건), 에칠헥실메톡시신나메이트(69건), 징크옥사이드(48건), 에칠헥실살리실레이트(48건), 비스-에칠헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진(44건)순이었다. 검사한 100건의 화장품 모두 검출된 살균보존제와 자외선차단성분 함량이 식품의약품안전처에서 정한 사용한도 기준에 적합하였지만 일부 자외선 차단 화장품의 경우 포장 용기에 표시되어 있지 않은 살균보존제와 자외선차단성분이 검출되었다. 100건 중 31건의 화장품에서 표시되지 않은 살균보존제 성분(벤질 알콜 등 6종)이 검출되었고, 2건에서는 표시되지 않은 자외선차단성분(호모살레이트 등 2종)이 검출되었다.

• 대한화장품학회지
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• 제47권4호
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• pp.289-296
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• 2021

본 연구에서는 국내 유통 중인 민감성 피부 대상 자외선 차단제의 안전성 조사를 위해 무기 자외선 차단제 27 건 및 어린이용 자외선 차단제 23 건을 수거하여 자외선 차단 성분 17 종, 보존제 13 종 및 중금속 5 종의 사용 및 혼입 실태을 조사하였다. 그 결과 자외선 차단 성분은 티타늄디옥사이드(41 건), 징크옥사이드(29 건), 비스-에칠헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진(10 건) 에칠헥실살리실레이트(8 건) 및 에칠헥실메톡시신나메이트(8 건)순으로 검출되었으며, 보존제는 페녹시에탄올(6 건), 안식향산(1 건), 디히드로초산(1 건) 순으로 검출되었다. 확인된 자외선 차단성분은 모두 표시 사항에 적합 하였으나, 1 개 제품에서 표시사항 외 보존제 성분인 페녹시에탄올이 0.1% 농도로 검출되었다. 중금속 납, 카드뮴, 비소, 안티몬, 니켈은 불검출에서 3.6 ㎍/g로 다양한 농도로 검출되었다. 이번 연구에서 확인된 자외선 차단성분, 보존제 및 중금속은 화장품 안전기준 등에 관한 규정의 성분별 최대 배합한도 및 최대 허용량 기준에 적합하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권7호
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• pp.521-524
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• 2012

We report on variations of electrical properties with different active layer thickness and post-annealing temperature in amorphous In-Ga-Zn-O (IGZO) thin-film transistors (TFTs). In particular, subthreshold swing (SS) of the IGZO-TFTs was improved as increasing the active layer thickness at an given post-annealing temperature, accompanying the negative shift in turn-off voltage. However, as increasing post-annealing temperature, only turn-off voltage was shifted negatively with almost constant SS value. The effect of the active layer thickness and post-annealing temperature on electrical properties, such as SS, field effect mobility and turn-off voltage in IGZO-TFTs has been explained in terms of the variation of trap density in IGZO channel layer and at gate dielectric/IGZO interface.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권5호
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• pp.349-352
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• 2010

Thin-film transistors (TFTs) were fabricated using amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) channels by rf-magnetron sputtering at room temperature. We have studied the effect of oxygen partial pressure on the threshold voltage($V_{th}$) of a-IGZO TFTs. Interestingly, the $V_{th}$ value of the oxide TFTs are slightly shifted in the positive direction due to increasing $O_2$ partial pressure from 0.007 to 0.009 mTorr. The device performance is significantly affected by varying $O_2$ ratio, which is closely related with oxygen vacancies provide the needed free carriers for electrical conduction.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권9호
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• pp.693-696
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• 2011

Recently, amorphous oxide semiconductors (AOSs) based thin-film transistors (TFTs) have received considerable attention for application in the next generation displays industry. The research trends of AOSs based TFTs investigation have focused on the high device performance. The electrical properties of the TFTs are influenced by trap density. In particular, the threshold voltage ($V_{th}$) and subthreshold swing (SS) essentially depend on the semiconductor/gate-insulator interface trap. In this article, we investigated the effects of Ar plasma-treated $SiO_2$ insulator on the interfacial property and the device performances of amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) TFTs. We report on the improvement in interfacial characteristics between a-IGZO channel layer and gate insulator depending on Ar power in plasma process, since the change of treatment power could result in different plasma damage on the interface.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권8호
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• pp.674-677
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• 2011

The dependency of sputtering power on the electrical performances in amorphous HIZO-TFT (hafnium-indium-zinc-oxide thin film transistors) has been investigated. The HIZO channel layers were prepared by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method with different sputtering power at room temperature. TOF-SIMS (time of flight secondary ion mass spectrometry) was performed to confirm doping of hafnium atom in IZO film. The field effect mobility (${\mu}FE$) increased and threshold voltage ($V_{th}$) shifted to negative direction with increasing sputtering power. This result can be attributed to the high energy particles knocking-out oxygen atoms. As a result, oxygen vacancies generated in HIZO channel layer with increasing sputtering power resulted in negative shift in Vth and increase in on-current.

• 대한기계학회논문집B
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• 제35권1호
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• pp.17-22
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• 2011

실험을 통해 구현한 ZnO 기반의 투명 박막트랜지스터의 기계적 특성을 분석하고 안정성에 대한 확보방안을 제시하기 위해 FEM (Finite Element Method)을 이용하여 소자를 구성하는 브릿지 와 패드 부분에 대한 구조해석을 실시하였다. 소자의 유연성 확보를 위해 설계된 브릿지 부분의 웨이브 패턴을 구현한 결과 실험 값 대비 최대 진폭의 크기가 오차 0.5%로 실험값과 유사한 신뢰성 있는 결과 값을 얻어낼 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 브릿지와 패드 사이에 나타나는 압축 응력을 확인하였으며, 압축 응력 값을 패드에 적용하여 그 변형 정도를 분석하였다. 기계적으로 안정성을 갖는 소자를 설계하기 위해 $SiO_2$ 절연층위의 ITO 전극과 ZnO 활성 층의 위치 및 크기를 예측 하였으며, SU-8 코팅 두께를 조절함으로써 중성 역학 층 (Neutral Mechanical Plane)의 위치와 구조적 타당성에 대하여 분석하였다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제37권6호
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• pp.1517-1527
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• 2020

이 연구는 감성공학을 적용한 다중에멀젼(W/O/W) 선블록크림의 자외선차단효과와 내수성에 관한 것으로 실제 공업화된 사례를 보고한다. 다중에멀젼 시스템의 선블록크림을 개발하여 바를 때는 부드럽고 촉촉한 사용감을 가지면서, 흡수 후에는 내수성이 우수한 W/O 타입으로 변화하는 특징이 있다. 다중에멀젼 크림은 촉촉함과 내수성을 동시에 가진 고기능성 선블록크림으로 안정한 유백색의 크림, 점도는 36,000cps이었다. 자외선차단크림에 사용된 유기계 선스크린은 에칠헥실메톡시신나메이트, 비스에칠헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진이다. UVB와 UVA를 모두 차단하는 헥사고날 징크옥사이드와 티타늄다이옥사이드의 무기계 선스크린으로 처방하였다. In-vitro법으로 자외선차단효과를 측정한 결과 자외선차단효과(SPF)는 다중에멀젼 크림은 78.9, W/O크림은 76.7, O/W크림은 71.3으로 동일종류와 함량을 포함해도 제형에 따라 자외선 차단효과는 다르게 나오는 것을 알 수 있었다. 이는 다중에멀젼에서 가장 높은 효과의 수치를 얻었다. 자외선차단효과의 임상 (in-vivo)결과로써 다중에멀젼 시스템으로 개발한 선블록크림의 자외선차단효과를 나타내는 SPF 값은 85.7이었으며, UVA영역을 차단해 주는 PA값은 26.5로, ++++에 해당하는 높은 차단효과를 가지고 있음을 알 수 있었다. 내수성시험결과로써, W/O/W 제형은 4시간경과 후에도 93.8%의 높은 내수성을 가지고 있었고, W/O는 75.4%, O/W는 25.3%의 낮은 내수성을 가지고 있었다. 사용감 HUT테스트 결과에서도 다중에멀젼 선블록크림>친수성크림>친유성 크림 순으로 나타났다. 이 다중에멀젼의 연구결과를 바탕으로 사용감, 자외선 차단지수, 내수성을 모두 높여 레포츠야외활동 전용의 선블록 크림으로 활동도가 높을 것으로 기대된다.