• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 1990.07a
• /
• pp.22-25
• /
• 1990

• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
• /
• 1992.06a
• /
• pp.384-388
• /
• 1992

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.02a
• /
• pp.262-263
• /
• 2003

홀로그램은 광학계의 소형화, 집적화, 저가격화를 위해 많은 장점을 가진 광학소자로, 픽업에는 1980년대 중반부터 Pencom, Sharp, Matsushita, Philips등이 연구, 개발, 상품화하였다. 홀로그램을 사용하여 집적화한 픽업헤드를 홀로그래픽 광헤드 또는 픽업 모듈이라고 하는데 이것은 조립조정이 간단하여 신뢰성에 많은 장점을 가지고 있다. 또한 새로운 아이디어의 픽업을 개발해서 시장에 발표할 때에도 개발시간이 단축된다는 장점이 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.18 no.1
• /
• pp.50-55
• /
• 2007

Using the Selective Area Growth (SAG) technology of Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), we successfully integrated an active device and passive devices on the same substrate. In other words, we integrated a Semiconductor Optical Amplifier (SOA) as an active device and an S-bend waveguide and a Multi Mode Interference (MMI) waveguide as passive devices. The SOA is successfully integrated with passive devices on the same substrate. The Cross-Gain Modulation (XGM) characteristic of the integrated SOA and the loss of an MMI and an S-bend waveguide were measured. Measured XGM characteristics of the SOA showed an extinction ratio of 8.82 dB. The total loss of the MMI and S-bend waveguide was 18 dB.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.16 no.4
• /
• pp.376-383
• /
• 2005

We designed and fabricated integrated-optic tunable polarization controllers based on $LiNbO_3$ with the Ti-indiffused waveguide along the y-axis utilizing the electro-optic effect. The device consists of $TE↔TM$ mode converters and TE/TM phase shifters. We analyzed the operation principles of each device utilizing transfer matrices based on a Jones matrix and simulated shifting of the center wavelength by inducing voltage. We confirmed experimentally that the fabricated devices control the tunability of the center wavelength and the input SOP.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2002.07a
• /
• pp.8-9
• /
• 2002

고분자 광도파로소자 기술은 광통신에 사용되는 광도파로소자들을 고분자를 이용하여 구현하는 기술로써, 실리카에 비하여 제조장비가 간소하기 때문에 제조단가를 줄일 수 있으며, 열광학효과가 10배정도 크기 때문에 동작전력을 1/10 이하로 줄일 수 있고, 소자제작공정이 40$0^{\circ}C$ 이하에서 이루어지기 때문에 다른 소자와의 집적이 유리한 점 등 다양한 장점이 있다. 또한 실리카와 달리 고분자는 실리콘뿐만 아니라 다양한 고분자 기판을 사용할 수 있기 때문에 고분자 기판의 열팽창계수와 도파로물질의 열광학계수를 잘 조합하면 온도의 변화에 따른 파장변화와 편광의존성을 근본적으로 해결할 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.07a
• /
• pp.230-231
• /
• 2003

SOI (Silicon On insulator)는 SiO$_2$와 같은 절연체 위에 실리콘 (Si) 박막층이 놓여있는 구조로서 전자나 광소자들이 실리콘 박막층 위에 만들어진다. SOI의 기본적인 생각은 기생 정전용량 (parasitic capacitance)을 감소시킴으로서 소자의 스위칭 속도를 더 빠르게 하는 것이다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 실리콘 이외의 GaAs, InP, SiC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.07a
• /
• pp.108-109
• /
• 2003

실리콘은 반도체 산업에 이용되는 주된 물질로, 원가, 기능성, 신뢰도 등의 면에서 이점을 가지고 있기 때문에 실리콘칩 위에 기존의 전기적 소자와 광전기적 소자들을 집적하고자 하는 노력이 계속되고 있다. 특히 실리콘 나노결정 (nc-Si)으로부터 가시광 방출을 관측한 이래, 이를 기반으로 한 광학적 능동매질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 최근에는 nc-Si을 이용한 LED와 어븀이 첨가된 nc-Si을 이용한 nc-Si／silica 광 도파로 광증폭기에서의 광학적 이득이 보고 된 바 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.9 no.5
• /
• pp.333-341
• /
• 1998

The novel integrated device, 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$ DR-LD(distrbuted reflector laser diode) integrated EA-MOD (electro-absorption modulator) as light source, is proposed to improve the device yield and its operational performances. This device can be easily fabricated by the selective MOVPE technique and its fabrication processes are almost the same as the reported 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$ DFB-LD(distributed feedback laser diode) integrated EA-MOD except the asymmetric gratings. The static and dynamic properties are investigated simultaneously by solving the transfer matrix method for light propagation, the time-dependent rate equation for carrier change and schr$\"{o}$dinger equation for QCSE (Quantum-Confined Stark Effect). The performances of the proposed device such as output power, chirp, and extinction ratio are compared with those of DFB-LD integrated EA-MOD. Under 10Gb/s NRZ modulation, we obtain that DR-LD integrated EA-MOD. is 30% higher in output power on the on-state, about 50% lower in chirp, and slightly larger in extinction ratio than DFB-LD integrated EA-MOD.-MOD.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.48 no.12
• /
• pp.15-22
• /
• 2011

Integrated-optic symmetric/asymmetric Mach-Zehnder interferometers at $1.3{\mu}m$ wavelength were studied as sensing part for electric-field measurement system. The devices were simulated based on the BPM software and fabricated utilizing Ti-diffused $LiNbO_3$ channel optical waveguides and lumped-type electrodes. A half-wave voltage of $V_{\pi}$=6.6V and modulation depth of 100% and 75% for a symmetric structure were measured for 200Hz and 1kHz electrical signal bandwidth, respectively. By the way, almost half-maximum power transmission was observed for asymmetric interferometers with ${\pi}$/2 intrinsic phase difference. Expected experimental measurements were observed for 1kHz electrical signal bandwidth.