• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.4
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• pp.263-268
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• 2003

Precise thickness control and excellent properties of silicon nitride thin films are essential for the next-generation semiconductor and display devices. In this study, silicon nitride thin films were deposited by batch-type atomic layer deposition (ALD) method using $SiC1_4$ and $NH_3$ as the precursors at temperatures ranging from 500 to $600^{\circ}C$. Thin film deposition using a batch-type ALD reactor was a layer-by-layer atomic growth by self-limiting surface reactions, and the thickness of the deposited film can be controlled by the number of deposition cycles. The silicon nitride thin films deposited by ALD method exhibited composition, refractive index and wet etch rate similar with those of the thin films deposited by low-pressure chemical vapor deposition method at $760^{\circ}C$. The addition of pyridine mixed with precursors increased deposition rate by 50%, however, the films deposited with pyridine was readily oxidized owing to its unstable structure, which is unsuitable for the application to semiconductor or display devices.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.52-58
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• 1996

본 연구에서는 반응성 마그네트론 스퍼터 이온플래이팅법에 의해 Co계 합금인 stellite 6B 기판 위에 증착된 TiN 박막의 증착특성을 조사하였다. 증착된 박막의 증착속도는 기판에 인가된 bias 가 증가함에 따라 박막의 치밀화와 resputtering으로 인해 감소하였으며 박막의 형상은 bias가 인가되지 않은 상태에서의 open columnar 구조에서 bias가 인가된 경우 columnar 구조가 사라진 매끈하고 치밀한 구조로 변화하였다. 기판 bias가 인가된 경우 N/Ti 조성비는 거의 stoichiometry를 만족하였으며 증착된 박막의 우선성장 방위는 $N_2$의 양이 감소할 수록 (200)에서 (111)로, bias 증가에 따라서는 (200)에서 (111)을 거쳐 (220)으로 변화하였다. 박막의 경도는 박막이 압축응력을 나타낼수록 증가하였으며, bias가 인가된 경우 약 2000~3300kgf/$\textrm{mm}^2$의 높은 경도를 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.97-97
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• 2009

원격 고주파 원도결합 플라즈마 증착공정을 이용하여 태양광의 반사도를 낮추고, 흡수효율을 개선할 수 있는 피라미드형 표면구조를 가지느니 투명전동성 ZnO 박막을 높은 증착속도로 증착할 수 있는 공정조건을 찾기 위하여 반응압력, $H_{2}O$/DEZn 유량비, 플라즈마 출력과 기판온도에 대하여 실험하였다. 실험결과 400$\sim$600nm/min 이상의 높은 증착속도을 얻을 수 있었으며, 넓은 공정 영역에서 안정적인 피라미드 표면 구조를 가지는 공정조건을 확보하였다. 증착된 박막의 표면구조와 물분석 결과와 공정조건과의 관계에 대한 연구 결과를 발표할 예정이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.470.2-470.2
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• 2014

RF-PECVD 장치에 의해 증착된 실리콘 질화막(SiNx)은 결정질 실리콘 태양전지에서 반사 방지막 효과 및 우수한 표면 패시베이션 특성을 제공하는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 실리콘 질화막의 패시베이션 특성을 향상시키기 위해서 공정온도를 $400^{\circ}C$로 고정하고 공정압력, 가스비, RF (radio frequency) power를 가변하였다. 이 때의 실리콘 질화막의 굴절률 및 두께는 각각 2.0, 80 nm로 증착하여 그에 따른 특성에 대해 분석하였다. 공정 압력이 감소할수록 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 증가함을 보였고, 반면에 증착속도는 감소하였다. 또한 RF-power 500 W에서 실리콘 질화막이 증착된 결정질 실리콘 태양전지의 유효 반송자 수명이 상대적으로 높았으며 출력이 올라갈수록 증착속도가 증가하였다. 결과적으로 결정질 실리콘 태양전지에 증착한 실리콘 질화막은 0.8torr 공정 압력과 RF-power 500 W에서 $38.8{\mu}s$로 가장 좋은 유효 반송자 수명을 확인하였다. 위의 결과를 바탕으로 결정질 실리콘 태양전지를 제작하였고 향상된 패시베이션 특성을 갖는 실리콘 질화막의 조건을 찾기 위해서 개방전압(open circuit voltage)을 비교하였다. 공정압력 0.8 torr, RF-power 500 W에서 가장 높은 결과를 보였으며 이는 유효 반송자 수명과 유사한 결과를 나타냈다. 하지만 낮은 FF (fill factor)로 인해 변환 효율이 낮은 결과를 보였다. 태양전지 제작시 낮은 fill factor를 보인 이유와 위의 단점을 보완하기 위해 추가 실험을 수행하였으며, 개선된 fill factor를 통해 18.3% 효율의 태양전지를 제작하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.20 no.6
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• pp.612-616
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• 2009

Transparent conductive oxide (TCO) films have been widely used in the field of flat panel display industry. Transparent conductive indium zinc oxide (IZO) thin films with excellent chemical stability have attracted much attention as an alternative material for indium tin oxide (ITO) films. In this study, using a $In_2O_3$ and ZnO powder mixture with a ratio of 90 : 10wt% as a target, IZO films were prepared on polynorbornene (PNB) substrates by electron beam evaporation. The effect of substrate temperature and $O_2$ introduction flow rate were investigated in terms of electrical and optical properties of deposited IZO films. The best electrical and optical properties we obtained from this study were sheet resistance value of $5.446{\times}10^2{\Omega}/{\boxempty}$ and optical transmittance of 87.4% at 550 nm at $O_2$ introduction flow rate of 4 sccm, deposition rate of $2{\AA}$/sec, thickness of 1000 $\AA$ and substrate temperature of $150^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.127-127
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• 2011

수소가 아닌 헬륨을 희석 가스로 사용하여 나노결정질 실리콘박막을 증착하였고 압력과 RF power에 따른 특성을 살펴보았다. 특히, 4 Torr이상의 공정압력과 낮은 $SiH_4$ 유량을 사용하여 high pressure depletion(HPD)조건을 구현하였다. 그 결과, 6 Torr의 압력과 100W의 RF power를 사용하여 67%의 결정화도와 0.28nm/s의 증착속도를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.99-100
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• 2008

전기도금 방법은 많은 장점(낮은 증착온도, 두께 조절용이, 낮은 제조비용, 빠른 증착속도, 복잡한 형상의 물체 증착 가능 등)을 가지고 있으며 현재 FPCB의 소재인 FCCL을 제조 하는데 핵심 공정으로 많이 사용되고 있다. Sulfate 및 Pyrophosphate 용액으로부터 Cu 박막/후막을 제조 하였으며 공정 변수가 최종 도금된 Cu 박막/후막에 미치는 영향을 고찰하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.14 no.2
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• pp.19-27
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• 1996

재료의 표면개질은 표면층의 조직변화에 대한 개질법과 표면피복에 의한 개질 법으로 나눌 수 있다. 조직변화에 의한 개질법으로는 침탄, 질화, 이온주입 및 금속 확산 등이 있고, 표면피복에 의한 개질법으로는 도장, 도금, 육성용접, 물리증착(PVD) 및 화학증착(CVD) 등이 있는데, 용사법은 표면피복에 의한 개질법에 속한다. 용사기술 은 비교적 최근에 발달된 표면피복 기술로서 그림1과 같이 플라즈마, 가스화염 또는 아크열원을 이용하여 금속 또는 비금속 재료를 용융 혹은 반용융 상태로 모재에 고속 도로 분사하여 충돌 적층시켜 피복하는 공정으로 다른 표면개질기술에 비해서 여러 가지 잇점을 가지고 있다. 이것은 거의 모든 재질의 모재(금속, 세라믹, 유기재료 등) 에 대해 피막의 형성이 가능하고, 용사재료의 종류도 다양하다(금속, 합금, 각종 세라 믹, 플라스틱, 각종 복합재료 등). 또한 노재크기의 제한이 없고, 대형의 재료에 대해 서 한정된 부위의 피복이 가능하며, 모재의 열영향이 적고, 피막의 형성속도가 다른 피막법에 비해 빠른 장점을 가지고 있다. 그 예로 알루미나(Al$_{2}$O$_{3}$)를 피복할 경우 화학증착(CVD)법에 의해서는 피막형성 속도가 약 2 * $10^{-4}$mm/min 인데 비해 용사법에 의해서는 약 7.5 * $10^{-1}$mm/min로 매우크다. 이와같은 많은 장점을 갖고있는 용사법을 이용한 표면개질에 대해 본 기술보고에서 서술하고자 한다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.21 no.2
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• pp.224-229
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• 2010

Transparent conductive oxide films have been widely used in the field of flat panel display (FPD). Transparent conductive Indium Zinc Oxide (IZO) thin films with excellent chemical stability have attracted much attention as an alternative material for Indium Tin Oxide (ITO) films. In this study, using $In_2O_3$ and ZnO powder mixture with a ratio of 90 : 10 wt% as a target, IZO films are prepared on polynorbornene (PNB) substrates by electron beam evaporation. The effect of thickness and $O_2$ introduction flow rate on the optical, electrical, structural properties and surface composition of deposited IZO films were investigated by UV/Visible spectrophotometer, 4-point probe method, SEM, XRD and XPS.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.2
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• pp.235-243
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• 1997

The high-$T_c$ superconducting phase, $YBa_2Cu_3O_x$, was deposited on the single crystal MgO substrate, using a liquid aerosol feed method in a plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) reactor. The effect of the plasma distribution depending on the design of a reactor was studied by the analysis of the microstructures of thin films. The particles landed were frequently observed on the films and the two causes that were responsible for the particle deposition were explained. The particles were deposited by the unstable and non-uniform plasma and the low evaporation rate of the precursors. Also, the thin film deposition rate decreased significantly as the distance between the evaporating location and the substrate increased.