• 제목/요약/키워드: 중심 두께

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비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화 (Deviation of Threshold Voltage and Conduction Path for the Ratio of Top and Bottom Oxide Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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    • pp.765-768
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    • 2014
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

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비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화 (Deviation of Subthreshold Swing for the Ratio of Top and Bottom Oxide Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기;정동수
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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    • pp.849-851
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압이하 스윙 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 문턱전압이하 스윙은 전도중심에 따라 변화하며 전도중심은 상하단의 산화막 두께에 따라 변화한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 스윙의 저하 등 단채널효과를 감소시키기에 유용한 소자로 알려져 있다. 본 연구에서는 포아송방정식의 해석학적 해를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 유도하였으며 상하단의 산화막두께 비가 전도중심 및 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 또한 채널길이 및 채널두께, 상하단게이트 전압 그리고 도핑분포함수의 변화에 따라 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상호 유기적으로 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

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비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압 및 전도중심 분석 (Analysis of Threshold Voltage and Conduction Path for Ratio of Channel Length and Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기;정동수
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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    • pp.829-831
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.

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방향 전환 달리기 동작시 마커 정의에 따른 슬관절각 비교 (Sensitivity of Marker Set and Knee Joint Centre on Knee Angles during Cutting Movement)

  • 박상균;이중숙
    • 한국운동역학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.19-31
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    • 2006
  • 이 연구의 목적은 각 분절의 마커세트와 무릎관절 중심 정의가 3차원 무릎 관절각을 산출하는데 얼마나 민감하게 영향을 미치는지를 연구하였다. 자료수집은 1명을 실험대상자로 하여 두 가지 형태의 각기 다른 분절의 정의와 무릎관절의 중심을 나타내는 반사마커들을 동시에 오른쪽 하지에 부착시켜 실험을 실시하였다. 실험대상자의 달리기동작 중 좌측으로 45도 방향전환동작의 지지기를 분석하였다. 이를 위해서 8대의 고속카메라들을 이용하였고 달리기속도는 4m/$sec{\pm}(10%)$로 통제하였다. 하지분절의 발분절에는 하나의 마커세트를, 정강이와 대퇴분절에는 두 가지의 다른 마커세트들을 부착시켰다. 발분절에는 3개의 마커를 신발의 뒷부분에 부착하였고 정강이분절을 정의하기 위하여 첫 번째 마커세트는 경골을 중심으로 3개의 마커들을 두 번째 마커세트는 비골을 중심으로 3개의 마커를 부착하였다. 대퇴분절의 마커세트를 정의하기 위하여 첫 번째 마커세트에는 대퇴골을 중심으로 3개의 마커를 두 번째 마커세트에는 대퇴근육을 중심으로 3개의 마커들을 부착하였다. 무릎관절중심을 정의하는데 두 가지 다른 정의가 적용되었다. 첫 번째 무릎중심을 무릎의 내측과 외측의 마커들을 통해 두 마커의 중심을 무릎관절의 중심으로 정의하였다. 두 번째 무릎중심정의는 무릎의 외측부분과 슬개골의 중심에 부착된 마커들로부터의 교차점을 무릎관절중심으로 산출하였다. 무릎관절의 각도를 산출하기 위해서 JCS(Joint Coordinate System)의 정의가 적용되었고 연구의 결과는 다음과 같았다. 두 가지의 다른 분절마커세트 사이에서 무릎의 신전(extension)과 굴곡(flexion)은 유사한 형태를 나타냈으며 최대 무릎굴곡(peak knee flexion)각에서 $4.746^{\circ}$의 차이를 나타냈다. 다른 분절마커세트 사이의 회전(rotation)각과 내전(adduction)/외전(abduction)에서는 서로 다른 형태를 나타내었고, 두 마커세트간 최대무릎외측회전(peak knee external rotation)각도에서는 $15.628^{\circ}$의 차이를 나타냈다. 또한, 각 분절마커세트 내에서 두 가지의 다른 무릎관절 중심의 정의가 얼마나 무릎도 산출에 영향을 미치는지를 비교했을 때 무릎의 최대외측회전(peak external rotation)각에서 차이를 나타내었다. 첫 번째 분절마커세트의 무릎관절중심정의의 형태변화에 따라 최대외측회전각은 $0.549^{\circ}$의 차이를 나타냈고, 두 번째 분절마커 세트에서 무릎관절중심정의의 형태변화에 따라 최대외측회전각은 $0.309^{\circ}$의 차이를 나타냈다. 이와 같이 분절을 나타내는 마커세트와 무릎관절중심정의의 형태변화에 따라 무릎간을 계산하는데 있어서 결과가 다르게 산출되었다. 즉, 관절각의 계산이 분절에 부착되는 마커의 정의 혹은 위치에 매우 민감하게 영향을 받았다. 따라서 연구자가 여러 실험대상자들을 대상으로 실험시 마커세트 혹은 마커들을 동일한 위치에 가깝게 부착하는 것이 마커부착으로부터 발생하는 실험오차를 줄일 수 있을 것이다.

중심장액성맥락망막병증 눈의 시력 및 망막 상태 분석 (Analysis of Visual Acuity and Retinal State in the Eyes with Central Serous Chorioretinopathy)

  • 최종길;이경민;김세일;김소라;박미정
    • 한국안광학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.137-146
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    • 2016
  • 목적: 중심장액성맥락망막병증을 가진 눈의 망막 두께 및 망막 부피와 같은 망막 상태와 시력과의 상관관계를 알아보았다. 방법: 총 78명 136안을 대상으로 중심장액성맥락망막병증을 치료 중인 눈 및 무증상 반대편 눈, 중심장액성맥락망막병증을 진단받은 후 완치된 눈 및 반대편 눈과 정상인 눈 각각의 나안시력, 최대교정시력, 망막 두께, 망막 부피를 측정하였다. 결과: 중심장액성맥락망막병증을 치료 중인 눈은 나안시력, 최대교정시력, 망막 두께, 망막 부피 모두에서 반대편 무증상 눈, 질환이 완치된 눈 및 정상 눈과 비교하여 통계적으로 유의하게 차이가 있었다. 중심장액성맥락망막병증의 반대편 무증상 눈의 최대교정시력은 정상 눈과 차이가 없었으나 망막 두께 및 망막 부피는 정상 눈과 통계적으로 유의한 차이가 있었다. 망막 두께가 증가함에 따라 망막 부피가 증가하는 정도가 정상안의 경우보다 중심장액성맥락망막병증 소견을 보이는 눈이나 반대편 무증상 눈, 중심장액성맥락망막병증이 완치된 눈 및 그 반대편 눈에서 더 컸다. 결론: 본 연구를 통하여 중심장액성맥락망막병증을 가지고 있는 눈 뿐만 아니라 반대편 무증상 눈에서도 망막 두께 및 망막 부피가 증가하며, 중심장액성맥락망막병증에 의한 최대교정시력의 변화는 일정 정도 이상의 망막 두께 및 망막 부피가 증가되었을 때 나타남을 밝혔다.

20․30대 정상안과 콘택트렌즈 착용안의 각막 중심 두께 (Central Corneal Thickness of Normal Eyes and Contact Lens-wearing Eyes Aged in their 20s and 30s)

  • 박미정;박경선;안소연
    • 한국안광학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.29-35
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    • 2007
  • 본 연구는 착용하고 있는 콘택트렌즈의 종류에 따른 각막 중심 두께의 차이를 밝히고자 하였다. 20 30대 394명을 대상으로 초음파 각막 두께 측정계를 이용하여 각막 중심 두께를 측정하였다. 콘택트렌즈를 착용한 경험이 없는 Group 1의 각막 중심 두께는 성별 뿐만 아니라 좌우안 간에도 차이가 나타나지 않았으나, 굴절이상도가 높아질수록 얇아지는 경향을 보였다. 소프트콘택트렌즈만을 착용한 Group 2는 착용기간이 길어질수록 각막 중심 두께가 얇았으며, 10년 이상 착용안의 경우 4년 이하 착용안보다 각막 중심 두께가 유의하게 얇았다. 4년 이하의 기간 동안 RGP 렌즈만을 착용한 Group 3의 경우 소프트 콘택트렌즈만을 착용한 Group 2와 각막 중심 두께가 차이가 없었다. 또한, 소프트콘택트렌즈를 착용한 후 RGP 렌즈로 교체하여 사용하고 있는 Group 4와 Group 2의 각막 중심 두께를 비교하였을 때 통계적으로 유의한 차이가 없었다. 그러나, PMMA(polymethyl methacyrlate) 재질의 하드렌즈를 착용한 후 소프트 콘택트렌즈로 교체한 Group 5는 소프트 콘택트렌즈만을 착용한 Group 2에 비해 통계적으로 유의하게 각막 중심 두께가 얇았다.

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비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향 (Influence of Ratio of Top and Bottom Oxide Thickness on Subthreshold Swing for Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.571-576
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    • 2016
  • 비대칭 이중게이트 MOSFET는 다른 상하단 게이트 산화막 두께를 갖는다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압이하 스윙 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 문턱전압이하 스윙은 전도중심에 따라 변화하며 전도중심은 상하단의 산화막 두께에 따라 변화한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 문턱전압이하 스윙의 저하 등 단채널효과를 감소시키기에 유용한 소자로 알려져 있다. 포아송방정식의 해석학적 해를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 유도하였으며 상하단의 산화막 두께 비가 전도중심 및 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하였다. 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 하단 게이트 전압은 문턱전압이하 스윙에 큰 영향을 미치며 하단게이트 전압이 0.7V 일 때 $0<t_{ox2}/t_{ox1}<5$의 범위에서 문턱전압이하 스윙이 약 200 mV/dec 정도 변화하는 것을 알 수 있었다.

전도중심에 따른 비대칭 이중게이트 MOSFET의 차단전류 분석 (Analysis of Off Current for Conduction Path of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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    • pp.759-762
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    • 2014
  • 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET는 단채널 효과를 감소시킬 수 있는 새로운 구조의 트랜지스터이다. 본 연구에서는 비대칭 DGMOSFET의 전도중심에 따른 차단전류를 분석하고자 한다. 전도중심은 채널 내 캐리어의 이동이 발생하는 상단게이트에서의 평균거리로써 상하단 게이트 산화막 두께를 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에서 산화막 두께에 따라 변화하는 요소이며 상단 게이트 전압에 따른 차단전류에 영향을 미치고 있다. 전도중심을 구하고 이를 이용하여 상단 게이트 전압에 따른 차단전류를 계산함으로써 전도중심이 차단전류에 미치는 영향을 산화막 두께 및 채널길이 등을 파라미터로 분석할 것이다. 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수 형태의 해석학적 전위분포를 유도하였다. 결과적으로 전도중심의 위치에 따라 차단전류는 크게 변화하였으며 이에 따라 문턱전압 및 문턱전압이하 스윙이 변화하는 것을 알 수 있었다.

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급수를 이용한 DGMOSFET에서 소자 파라미터에 대한 전도중심 의존성 (Dependence of Conduction Path for Device Parameter of DGMOSFET Using Series)

  • 한지형;정학기;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.835-837
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    • 2012
  • 본 연구에서는 상단게이트와 하단게이트를 갖는 (Double gate ; DG) MOSFET 구조의 소자 파라미터에 따른 전도중심을 분석하였다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송 방정식을 이용하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 사용하여 DGMOSFET 설계시 중요한 채널길이, 채널두께, 그리고 게이트 산화막 두께 등의 요소 변화에 대한 전도중심의 변화를 관찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 DGMOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

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거리의 합이 최소가 되는${\lambda}$ 이산 2-중심 문제 (Min-Sum ${\lambda}$ Discrete 2-Center Problem)

  • 신찬수
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제29권6호
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    • pp.340-345
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    • 2002
  • 본 논문에서는 기관위치설정 문제 중에서, 이차원 평면에 주어진 n개의 점들로 구성된 집합 P에 대한 이산 2-중심 문제를 다룬다. P의 있는 서로 다른 두 점을 중심으로 선택하는 데, P의 다른 점들은 두 중심 중에서 가까운 중심가지의 거리의 최대값과 두 중심 사이의 거리의 합이 최소가 되도록 선택하는 것이 목적이다. 본 논문에서는 Ο(n$^2$logn) 시간에 이산 2-중심을 구하는 알고리즘을 제시한다.