• Title/Summary/Keyword: 전자부품연구원

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Development of 10kW PWM Rectifier for Battery Charger with SiC MOSFET (SiC MOSFET을 적용한 10kW급 배터리 충전장치용 PWM 정류기 개발)

  • Joo, Dongmyoung;Hyon, Byong Jo;Park, Joon Sung;Kim, Jin-Hong;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2019.07a
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    • pp.275-276
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    • 2019
  • 본 논문에서는 SiC MOSFET을 적용한 10kW급 배터리 충전장치용 3상 PWM 정류기를 개발한다. 개발한 정류기는 3상 Bridge에 IGBT를 대체할 수 있는 WBG 전력반도체 SiC MOSFET을 적용하여 스위칭 주파수 향상 및 고전력밀도를 달성하였다. 개발한 10kW급 3상 PWM 정류기의 효율 및 THD 성능을 실험을 통해 검증한다.

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Switching Characteristic Analysis and Performence Evaluation of 600V GaN FET (600V급 GaN FET의 스위칭 특성 분석 및 성능 평가)

  • Lim, Jong-Hun;Kim, Jae-Won;Park, Joon-Sung;Kim, Jin-Hong;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2019.07a
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    • pp.279-280
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    • 2019
  • 본 논문에서는 3KW급 전력변환장치에 적용 가능한 650V급 GaN FET를 사용하여 Half-bridge 구조의 개발보드를 설계 및 제작하고, Double pulse test 실험을 통해 Turn-on 및 off 시스위칭 특성을 분석하였다. 또한 동기정류식 Buck 컨버터에 GaN FET을 적용하고, 유사한 전압 및 전류 정격의 Si MOSFET 소자와 시스템 효율을 비교하여 GaN FET 전력반도체의 성능을 평가하였다.

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Switching Characteristic Analysis of 3kW Single-Phase Inverter based on GaN HEMT (GaN HEMT를 적용한 3kW급 단상 인버터의 스위치 특성 분석)

  • Han, Seok-Gyu;Choi, Su-Ho;Joo, Dong-Myoung;Park, Jun-Sung;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.294-295
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    • 2020
  • 차세대 전력반도체 중 하나인 GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)는 낮은 온 저항, 고속 스위칭 및 낮은 출력 커패시턴스 특성을 가지므로 더 높은 전력밀도를 달성할 수 있다. 그러나 낮은 문턱 전압 및 높은 dv/dt로 인해 외부 요인에 취약하다. 본 논문에서는 GaN HEMT를 3kW급 단상 인버터에 적용 시 발생한 문제점을 분석하고 해결방안을 제시한다.

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Controller Design and Analysis of Bi-directional Buck-Boost Converter for Fuel-Cell (연료전지용 양방향 벅-부스트 컨버터 제어기 설계 및 해석)

  • Kim, Seung-Wook;Noh, Yong-Su;Hyon, Byong Jo;Park, Joon Sung;Kim, Jin-Hong
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.351-352
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    • 2020
  • 본 논문은 연료전지를 이용한 양방향 벅-부스트 시스템의 제어기 설계와 해석을 하고자 한다. 제어기 설계는 주파수응답을 해석하여 제어 루프의 안정성과 성능을 고려하여 설계하였다. 제어기의 게인 값은 시스템의 대역폭과 위상여유를 고려하여 선정하였고, 설계된 제어기는 Matlab과 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

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Development of 3.5kW Single Phase PV Inverter using SiC MOSFET (SiC MOSFET를 적용한 3.5kW급 단상 PV 인버터 개발)

  • Kim, Jye-Won;Kim, Myeong-Gi;Joo, Dongmyoung;Choi, Jun-Hyuk;Kim, Jin-Hong
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.353-354
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    • 2020
  • 본 논문에서는 SiC (Silicone Carbide) MOSFET 기반 Buck-Unfolder 토폴로지를 적용한 단상 태양광 인버터를 개발한다. 개발한 인버터의 성능 평가를 위해 3.5kW 급 prototype의 효율 및 전고조파 왜율(THD)을 분석한다.

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Design of 3kW LLC Resonant Converter Based on GaN HEMT (GaN HEMT를 적용한 3kW급 LLC 공진형 컨버터 설계)

  • Lim, Jong-Hun;Joo, Dongmyoung;Hyon, Byoung Jo;Kim, Jin-Hong;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.292-293
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    • 2020
  • 본 논문은 차세대 전력반도체 GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 적용한 통신전원 시스템용 LLC 컨버터의 설계에 대해 다룬다. GaN HEMT 소자의 노이즈를 저감하기 위해 3-level 게이트 드라이버를 설계하였다. 설계한 게이트 드라이버와 GaN HEMT를 적용한 3kW급 LLC 공진 네트워크를 설계하였고, 테스트 베드를 제작하여 실험을 통해 시스템의 성능을 검증하였다.

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Start-up solutions for bi-directional isolated DC-DC Converter (절연형 양방향 DC-DC 컨버터의 초기 기동 방법)

  • Joo, Dong-Myoung;Noh, Yong-Su;Hyon, Byong Jo;Park, Joon Sung;Kim, Jin-Hong
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.306-307
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    • 2020
  • 본 논문에서는 고전압-저전압 간 인터페이스에 활용되는 절연형 양방향 컨버터를 분석한다. 양방향 컨버터의 가능한 토폴로지 및 실제 구현시 발생할 수 있는 문제점 및 해결방안을 고찰하고 이를 시뮬레이션으로 검증한다.

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Design of Transformer to improve the Performance of Phase-Shifted Full-Bridge DC/DC Converter (위상천이 풀-브릿지 DC/DC 컨버터의 성능 개선을 위한 변압기 설계)

  • Sim, Seung-Ae;Lee, Wan-Hee;Noh, Yong-Su;Park, Jun-Sung;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.296-297
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    • 2020
  • 변압기의 크기와 누설 인덕턴스는 각각 위상천이 풀-브릿지 컨버터의 전력 밀도와 영전압 스위칭의 동작 범위에 영향을 준다. 따라서 본 논문에서는 컨버터의 전력 밀도 및 효율향상을 위한 변압기의 설계에 대해 이론적으로 분석하고, 이를 시작품으로 만들어 5.6kW급 컨버터를 통해 실험적으로 검증하였다.

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An Analysis of Switching Characteristic of GaN Power Module and GaN IPM (GaN 전력모듈과 GaN IPM의 DPT를 통한 스위칭 특성 분석)

  • Noh, Yong-Su;Joo, Dongmyoung;Hyon, Byong Jo;Kim, Jin-Hong;Choi, Jun-Hyuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.300-301
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    • 2020
  • 본 논문은 GaN(Gallium Nitride)전력모듈과 GaN IPM(Intelligent Power Module)의 DPT(Double Pulse Test)를 통한 스위칭 특성 분석에 대해 다룬다. GaN 소자는 낮은 스위칭 손실로 인하여 고속 스위칭이 가능하여 최근 각광받는 소자 중 하나이다. 본 논문에서는 GaN 소자의 DPT를 위한 테스터를 설계/제작하고, 이를 활용하여 전압/전류 별 스위칭 특성을 실험적으로 확인하였다.

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Design for MOST network device on AVR32 processor (AVR32 프로세서를 이용한 MOST 네트워크 장치 설계)

  • Park, Duck-Keun;Jeong, Sung-Hwan;Lee, Sang-Yub;Choi, Hyo-Sub;Lee, Chul-Dong
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.27-28
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    • 2012
  • 오늘날 차량 기술에 대한 관심사는 기계적 성능에서 각종 전자장치를 사용한 기술로 이동하고 있다. 특히 자동차 내에서 각종 멀티미디어 서비스 및 여러 정보들의 통합 분석을 위해서 자동차 네트워크 기술이 각광받고 있다. 본 논문에서는 자동차 네트워크 기술 중 MOST(Media Oriented System Transport)네트워크를 사용하기 위한 장치로 저가형 장치인 MiniAMG 단말기를 제안한다. Mini AMG 단말기를 통해 어떻게 오디오 스트리밍 서비스를 제공하는지와 향후 어떠한 방향으로 사용 가능한지에 대해 기술하였다.