• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• v.37 no.2
• /
• pp.182.1-182.1
• /
• 2012

태양전력 조절기는 태양전지에서 전력을 생성하여 배터리를 충전하고 인공위성의 모든 부하에 전력을 공급하는 역할을 한다. 이러한 태양전력 조절기는 신뢰성 확보와 대전류 처리를 위해 병렬운전한다. 병렬운전 시 전류가 각 태양전력 조절기에 균등하게 분배되지 않을 경우, 한 태양전력 조절기에만 과도한 전류가 흐르게 되고 해당 태양전력 조절기에 문제가 발생한다. 따라서 병렬운전 하는 각 태양전지 조절기에 전류를 균등하게 분배하기 위해 전류 제어기가 필요하다. 전류 제어 방식에는 Inner Loop방식과 Outer Loop 방식이 있다. Inner Loop방식은 전류 제어기가 태양전력 조절기의 전류를 제어하고, 전류 제어기의 기준 전압을 외부의 전압 제어기가 제어하는 방식이다. 한편, Outer Loop 방식은 전압 제어기가 태양전력 조절기의 전압을 제어하고, 전압 제어기의 기준 전압에 태양전력 조절기의 전류 정보를 더하여 전압을 제어하면서 간접적으로 전류를 제어하는 방식이다. 한편, 태양전지는 전압과 전류가 강한 비선형성 관계를 가지므로 태양전지의 동작점에 따라 태양전력 조절기의 소신호 특성이 변화하고, 이는 전류제어기 안정도에 심각한 영향을 미친다. 따라서 본 논문에서는 태양전지의 각 동작점에 관계없이 전류 제어기가 안정적으로 태양전력 조절기의 전류분배를 수행할 수 있도록 Inner Loop방식과 Outer Loop방식의 전류 제어기를 해석하고 두 방식을 비교한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2019.07a
• /
• pp.324-325
• /
• 2019

본 논문에서는 3-Level Neutral-Point-Clamped (NPC) 인버터의 중성점 리플 전압 예측 기법을 제안한다. 산업용 계통 연계형 인버터의 경우, 계통 규정을 만족하기 위하여 전압 강하와 같은 계통 사고 발생 시 계통에 협조할 수 있도록 무효전류 보상이 요구된다. NPC 인버터는 두 개의 커패시터가 직렬로 이루어진 구조로 무효전류 출력 시 상단과 하단의 커패시터 전압에 3차 중성점 리플 전류로 인해 중성점 리플 전압이 발생한다. 따라서 중성점 리플 전압을 고려하여 출력 전류에 보상하지 않으면 무효전류의 품질에 악영향을 끼칠 수 있다. 본 논문에서는 하나의 DC 전압센서를 통하여 중성점 전류를 예측하고, 중성점 리플 전압을 보상하는 알고리즘을 제안한다. Hardware In the Loop (HIL) Simulation을 통하여 본 논문에서 제안한 알고리즘의 타당성을 검증한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.11 no.5
• /
• pp.955-960
• /
• 2007

In this paper, the deviation of tunneling current for gate voltage has been investigated in double gate MOSFET developed to decrease the short channel effects. In device scaled to nano units, the tunneling current is very important current factor and rapidly increases,compared with thermionic emission current according to device size scaled down. We consider the change of tunneling current according to gate voltage in this study. The potential distribution is derived to observe the change of tunneling current according to gate voltage, and the deviation of off-current is derived from the relation of potential distribution and tunneling probability. The derived current is compared with the termionic emission current, and the relation of effective gate voltage to decrease tunneling current is obtained.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.352-352
• /
• 2012

MOSFET의 크기는 작아지고 다양한 소자열화 현상으로 신뢰성 문제가 나타나고 있다. 특히 CMOS 인버터에서 PMOS가 'HIGH'일 때 음의 게이트 전압이 인가되고 소자 구동으로 인해 온도가 높아지면 드레인 전류의 절대값은 줄어들고 문턱 전압 절대값과 GIDL전류가 증가하는 NBTI현상이 발생한다. 본 연구에서는 NBTI현상에 따른 열화 특성을 분석하였다. 측정은 드레인과 소스는 접지시킨 상태에서 온도 $100^{\circ}C$에서 게이트에 -3.4V과 -4V의 게이트 스트레스를 인가한 후 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 스트레스 시간에 따라 측정하였다. 측정에 사용된 소자의 산화막 두께는 25A, 채널 길이는 $0.17{\mu}m$, 폭은 $3{\mu}m$이다. 게이트에 음의 전압이 가해지면 게이트 산화막에 양전하의 interface trap이 생기게 된다. 이로 인해 채널 형성을 방해하고 문턱 전압은 높아지고 드레인 전류의 절대값은 낮아지게 된다. 또한 게이트와 드레인 사이의 에너지 밴드는 게이트 전압으로 인해 휘어지게 되면서 터널링이 더 쉽게 일어나 GIDL전류가 증가한다. NBTI스트레스 시간이 증가함에 따라 게이트 산화막에 생긴 양전하로 인해 문턱 전압은 1,000초 스트레스 후 스트레스 전압이 각각 -3.4V, -4V일 때 스트레스 전에 비해 각각 -0.12V, -0.14V정도 높아지고 드레인 전류의 절대값은 5%와 24% 감소한다. GIDL전류 역시 스트레스 후 게이트 전압이 0.5V일 때, 스트레스 전에 비해 각각 $0.021{\mu}A$, $67{\mu}A$씩 증가하였다. 결과적으로, NBTI스트레스가 인가됨에 따라 게이트 전압 0.5V에서 0V사이의 드레인 전류가 증가함으로 GIDL전류가 증가하고 문턱전압이 높아져 드레인 전류가 -1.5V에서 드레인 전류의 절대값이 줄어드는 것을 확인할 수 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.10 no.9
• /
• pp.1648-1653
• /
• 2006

In this paper, transport characteristics have been investigated using analytical current-voltage model for double gate MOSFET(DGMOSFET). Scaling down to 100nm of gate length for MOSFET can bring about various problems such as a threshold voltage roll-off and increasing off current by tunneling since thickness of oxide is down by 1.fnm and doping concentration is increased. A current-voltage characteristics have been calculated according to changing of channel length,using analytical current-voltage relation. The analytical model has been verified by calculating I-V relation according to changing of oxide thickness and channel thickness as well as channel length. A current-voltage characteristics also have been compared and analyzed for operating temperature. When gate voltage is 2V, it is shown that a current-voltage characteristic in 77K is superior to in room temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2007.10a
• /
• pp.772-775
• /
• 2007

본 연구에서는 Sentaurus를 이용하여 전압의 변화에 따른 항복전압과 전류의 경계 조건을 나타내려고 한다. 다이오드는 순방향 일 때 전류가 흐르고, 역방향 일 때는 전류가 흐르지 않는다. 하지만 역전압을 계속 올리면 어느 순간에 갑자기 전류가 흐르게 되는데 이때 전압을 항복전압이라 하며 전류의 경계조건은 컬렉터 전류의 변화에 따라 다르게 표현된다. 본 연구에서는 Sentaurus 시뮬레이션 프로그램을 이용하여 항복 전압과 전류의 경계조건을 설계하고자 한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2015.11a
• /
• pp.65-66
• /
• 2015

본 논문에서는 단상 다이오드 정류기와 소용량 직류단 캐패시터를 가지는 전동기 구동 시스템에서 계통 전류에 최소 고조파 전류 주입을 통하여 직류단 전압을 높이는 방법을 제안한다. 소용량 직류단 캐패시터를 가지는 전동기 구동 시스템은 직류단전압이 맥동하게 되는데 직류단 전압이 낮은 부분에서는 과도한 약자속 전류가 필요하게 된다. 기존의 연구에서는 직류단 전압을 확보하기 위해 직류단 최소 전압을 설정하는 방법이 제안되었다. 하지만 계통 전류의 고조파 규정 때문에 직류단 최소 전압을 높이는 것은 한계가 있다. 제안된 방법에서는 계통 전류에 고조파를 주입함으로써 기존의 한계보다 더 높은 직류단 최소 전압을 가지면서도 계통 전류의 고조파 규정을 만족시킬 수 있도록 한다. 제안된 방법은 시뮬레이션을 통해 그 타당성을 검증한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.20 no.7
• /
• pp.1311-1316
• /
• 2016

This paper analyzes the influence of tunneling current on threshold voltage shift by channel length of short channel asymmetric double gate(DG) MOSFET. Tunneling current significantly increases by decrease of channel length in the region of 10 nm below, and the secondary effects such as threshold voltage shift occurs. Threshold voltage shift due to tunneling current is not negligible even in case of asymmetric DGMOSFET to develop for reduction of short channel effects. Off current consists of thermionic and tunneling current, and the ratio of tunneling current is increasing with reduction of channel length. The WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation is used to obtain tunneling current, and potential distribution in channel is hermeneutically derived. As a result, threshold voltage shift due to tunneling current is greatly occurred for decreasing of channel length in short channel asymmetric DGMOSFET. Threshold voltage is changing according to bottom gate voltages, but threshold voltage shifts is nearly constant.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.46-53
• /
• 2000

본 논문에서는 전원전압 센서 없는 단상 PWM 컨버터의 전류제어방법을 제안한다. 제안된 방법에서 전원전압은 슬라이딩 모드 관측기에 의해 추정되며 추정된 전원전압을 이용하여 컨버터의 입력 역률을 '1'로 하고 일정한 DC링크전압을 얻을 수 있다. 제안된 방법의 특징은 전원전압의 크기와 위상의 추정이 실제전류와 추정전류의 전류오차에 의해서 얻어질 수 있다. 제안된 방법은 DSP를 이용하여 구현하고, 실험결과는 제안된 방법의 정당성을 입증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2018.07a
• /
• pp.396-397
• /
• 2018

벡터제어는 V/F운전에 비해서 높은 기동 토크와 과부하시 효율적인 전류 제한이 가능한 장점으로 인하여 고성능이 요구되는 부하에 적용이 확대되고 있다. 하지만 출력전압이 V/F운전과 같이 주파수에 따라서 결정되지 않고, 모터파라미터와 D축전류에 의해 결정되므로 정격부하에서 출력전압이 작아지는 경우 출력전류가 정격전류 보다 지나치게 커지는 단점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 기존 약자속 운전에 적용되었던 전압제어기를 사용하여 출력전압을 제어하는 용도로 사용하고자 한다.